专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果4425181个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]接触针及插座-CN201980079427.6在审
  • 上山雄生 - 恩普乐股份有限公司
  • 2019-12-02 - 2021-07-23 - G01R1/067
  • 接触针具备:第一针头,具有设置在上端的第一接触部、和设置在比第一接触部更靠下侧的中空的主体部;第二针头,具有设置在下端的第二接触部、设置在比第二接触部更靠上侧且直径向第二接触部扩大的第一锥形部、设置在比第一锥形部更靠上侧的小直径部、和设置在比小直径部更靠上侧且插入主体部而与主体部的内壁面抵接的大直径部;以及弹簧,以使第一接触部与第二接触部彼此分离的方式施力,在第一接触部与第二接触部彼此靠近时,第一锥形部可与主体部的下端抵接。
  • 接触插座
  • [发明专利]用于低压的电气负载断路开关-CN201210561371.8无效
  • D.豪克;R.韦伯 - ABB股份公司
  • 2012-12-21 - 2013-06-26 - H01H21/36
  • 本发明涉及一种用于低压的电气负载断路开关,其带有:单触点,其包括构造在接触支架的固定接触件和构造在可摆动的接触的可动接触件;带有接线端子,其中的一个与可动接触件而另一个与固定接触件相连接;并且带有用于操纵接触杆的转换手柄负载断路开关包括带有衔接部位的转换机构,其中,转换机构可占据衔接状态和脱开状态,其中,在衔接状态中设置成用于将转换手柄运动传递到接触杆上,并且其中,在脱开状态中构造成用于将转换手柄运动与接触杆分离。将电流输送给触点的、第一可动导体件在接触靠近可动接触件来安装,而将电流从触点引离的第二导体件固定在接触支架
  • 用于低压电气负载断路开关
  • [发明专利]用于车辆的把手装置-CN202010915270.0在审
  • T·贝齐格;C·雅赫曼 - 大众汽车股份公司
  • 2020-09-03 - 2021-03-05 - B60Q3/267
  • 本发明涉及一种用于车辆(1)的把手装置(100),具有带有用户可接触接触面(11)和用户不可接触的内面(12)的壳体元件(10)和至少一个用于在把手装置(100)提供环境照明的光导元件(30),其中,光导元件(30)被固定在壳体元件(10)。为此根据本发明作如下设置,即,在壳体元件(10)的接触面(11)如此地成型有用于容纳光导元件(30)的槽(N),即,光导元件(30)的用户可接触接触侧(31)在壳体元件(10)的接触面(11)的槽(N)的开口区域中面齐平地且无间断地补足接触面(11)。
  • 用于车辆把手装置
  • [发明专利]半导体器件及其电接触结构与制造方法-CN201910926990.4在审
  • 童宇诚;詹益旺;黄永泰;方晓培;吴少一 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2019-09-27 - 2020-09-08 - H01L27/108
  • 本发明提供了一种半导体器件及其电接触结构与制造方法,通过使得形成在所述核心元件区的边界的至少两个接触插塞的顶部相联在一起,来在核心元件区的边界形成顶部横截面积较大的组合接触结构,由此,为后续在核心元件区的边界接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量,使得该边界的所述电学结构的尺寸增大,降低接触阻抗,且通过该边界尺寸增大的所述电学结构的,缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异,改善光学邻近效应,保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性,并防止所述边界接触插塞上方的电学结构出现坍塌,提高器件性能。
  • 半导体器件及其接触结构制造方法
  • [实用新型]半导体器件及其电接触结构-CN201921636158.2有效
  • 童宇诚;詹益旺;黄永泰;方晓培;吴少一 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2019-09-27 - 2020-05-19 - H01L27/108
  • 本实用新型提供了一种半导体器件及其电接触结构,通过使得形成在所述核心元件区的边界的至少两个接触插塞的顶部相联在一起,来在核心元件区的边界形成顶部横截面积较大的组合接触结构,由此,为后续在核心元件区的边界接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量,使得该边界的所述电学结构的尺寸增大,降低接触阻抗,且通过该边界尺寸增大的所述电学结构的,缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异,改善光学邻近效应,保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性,并防止所述边界接触插塞上方的电学结构出现坍塌,提高器件性能。
  • 半导体器件及其接触结构
  • [发明专利]TFT阵列基板的制作方法-CN201310215114.3有效
  • 张毅先;任思雨;刘伟;胡君文;于春崎;何基强 - 信利半导体有限公司
  • 2013-05-31 - 2013-08-28 - H01L21/77
  • 本发明提供了一种TFT阵列基板的制作方法,包括:提供半成品基板,包括基板、栅极线、栅极保护层、TFT、信号线、共通线和钝化层;在钝化层表面上形成保护层,保护层内具有贯穿保护层的通孔,通孔位于待形成栅极线接触孔位置;以保护层为掩膜,去除待形成栅极线接触孔位置第一预设厚度的待去除层,待去除层为栅极线上方的、待形成栅极线接触孔位置的栅极保护层和钝化层;去除待形成信号线接触孔位置的保护层,同时去除待形成栅极线接触孔位置的待去除层和待形成信号线接触孔位置的钝化层,形成栅极线接触孔和信号线接触孔。
  • tft阵列制作方法
  • [实用新型]一种稳定型继电器触点-CN202121683982.0有效
  • 廖金安 - 深圳市金力丰五金制造有限公司
  • 2021-07-23 - 2022-03-29 - H01H50/54
  • 本实用新型属于继电器技术领域,尤其为一种稳定型继电器触点,包括主体和静态触点,所述主体触点结构呈田子状,所述主体田子状初设有用于与限位板连接作用的转轴,所述主体通过转轴与限位板相连接,所述主体田子状的内壁设有用于缓冲作用的柔性层,通过接触台顶面和接触台底面的设置,接触台顶面增设有主接触触点,接触台底面增设有辅接触触点该设置增加了接触台顶面与接触台底面的接触面积,提高接触程度,防止触头的接触不良现象,有效保护和控制电路,拓宽了现有磁保持继电器的使用范围
  • 一种稳定继电器触点
  • [实用新型]一种铜带板材冲压成拨码开关的弹性接触-CN202122922491.3有效
  • 夏红霞;光兴宇 - 东莞市广督实业有限公司
  • 2021-11-24 - 2022-04-26 - H01H1/06
  • 本实用新型公开了一种铜带板材冲压成拨码开关的弹性接触片,包括弹性接触片,所述第一接触部的正面设置为冲压塌角面,所述第一接触部的反面设置为冲压毛刺面,所述冲压毛刺面上开设有反向拍塌角;通过反向拍塌角的设置,通过在冲压工序上增加反向拍塌角工序去除冲压塌角面,可改善油脂胶膜在弹性接触片塌角堆积,从而可防止在拨码开关拨柄进行拨动时,油脂胶膜被刮脱后,油脂胶膜附着在弹性接触片塌角接触部位,进而可防止发生其接触不导通或接触不稳定的问题,本实用新型可防止油脂胶膜膜附在弹性接触片塌角,改善弹性接触片塌角产生油脂胶膜堆积的问题。
  • 一种板材冲压成拨码开关弹性接触
  • [实用新型]一种安全型具有可调节功能的偏心触座-CN202122591358.4有效
  • 王希春;赵冠强 - 莱芜市万金机械有限公司
  • 2021-10-27 - 2022-04-12 - H01R13/502
  • 本实用新型公开了一种安全型具有可调节功能的偏心触座,包括支撑环、接触座和保护壳,所述保护壳的上端中间开设有限位槽,所述保护壳的内部底端中间固定有固定柱,所述接触座的上端中间两侧均开设有连接槽,所述接触座的下端面外侧固定有接触环,所述接触座的下端面中间固定有轴承,所述轴承固定在固定柱的上端,且固定柱的上端位于轴承的内部,所述接触座位于限位槽的内侧,所述保护壳的内部底端一侧固定有弹簧,所述弹簧的上端固定有接触片,所述接触片的上端与接触环相接触,所述接触片背离弹簧的一端延伸至保护壳的下端面。
  • 一种安全具有调节功能偏心
  • [发明专利]信息处理装置、信息处理方法和程序-CN201010265467.0在审
  • 本间文规;梨子田辰志 - 索尼公司
  • 2010-08-26 - 2011-04-06 - G06F3/048
  • 该信息处理装置包括:显示部,能够在其显示面上显示信息;触摸板,能够检测其接触面中操作工具与之接触的位置作为接触位置;压力值检测部,其检测压力值,所述压力值是由所述操作工具与所述接触面之间的接触施加于所述接触面的压力的大小;处理控制部,其根据由所述压力值检测部检测的所述压力值的变化指定第一理或第二理为要执行的处理;第一理部,其在所述处理控制部指定所述第一理为要执行的处理时执行第一理;以及第二理部,其在所述处理控制部指定所述第二理为要执行的处理时执行第二
  • 信息处理装置方法程序
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310864639.3在审
  • 赵远勇 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-10-13 - H01L21/768
  • 本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法,该制造方法包括:提供衬底;衬底包括有源区;在有源区上形成与有源区连接的第一接触;其中,第一接触的侧壁具有至少一个凹陷部;位于凹陷部的第一接触的特征尺寸小于第一接触的目标特征尺寸;在第一接触的侧壁上形成覆盖凹陷部的第二接触;其中,位于同一高度的第二接触的特征尺寸与第一接触的特征尺寸之和基本等于同一高度的第一接触的目标特征尺寸。
  • 半导体结构及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top