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[发明专利]感应耦合等离子体装置-CN201010590661.6有效
发明人：彭东阳 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H05H1/16 文献下载
摘要：本发明公开一种感应耦合等离子体装置，主要是为了解决地磁场对ICP等离子体的影响以及如何灵活调节等离子体分布的问题而设计。本发明所述感应耦合等离子体装置至少包括：感应耦合发生装置和等离子体工作室，所述感应耦合发生装置设置在所述等离子体工作室的顶端开口处，在所述感应耦合等离子体装置上设置有一补偿调节装置，所述的补偿调节装置设置在所述感应耦合发生装置的外部或内部，且该补偿调节装置用于补偿地磁场影响且调节等离子体密度分布。本发明能够有效的补偿地磁场对等离子体密度分布的影响，并能够通过调节磁体的磁性强弱和磁场方向来灵活调节等离子体密度分布。
感应耦合等离子体装置

[发明专利]一种射频感应耦合等离子体中和器-CN201711446538.5在审
发明人：陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本发明包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、
射频感应耦合等离子体中和器等离子体放电腔放电等离子体容性耦合电子束射频耦合射频天线低温等离子体技术阴极陶瓷绝缘件阳极高压绝缘工作稳定屏蔽外壳气路装置有效减少有效屏蔽杂质污染无电极屏蔽溅射内壁束流污染离子抽取洁净容纳

[实用新型]一种射频感应耦合等离子体中和器-CN201721863054.6有效
发明人：陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本实用新型包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、
射频感应耦合等离子体中和器等离子体放电腔放电等离子体容性耦合电子束本实用新型射频耦合射频天线低温等离子体技术阴极陶瓷绝缘件阳极高压绝缘工作稳定屏蔽外壳气路装置有效减少有效屏蔽杂质污染无电极屏蔽溅射内壁束流污染离子抽取洁净容纳

[发明专利]混合等离子体源阵列-CN202210560233.1在审
发明人：龙茂林 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体源阵列。等离子体源阵列包括设置在基板上的多个混合等离子体子源。每个混合子源包括：具有内部区域和外部表面的介电管；感应耦合等离子体源，感应耦合等离子体源用于产生感应耦合等离子体并靠近介电管的外部表面设置；电容耦合等离子体源，电容耦合等离子体源用于产生电容耦合等离子体并设置在介电管的内部区域内还提供了包含等离子体源阵列的等离子体处理设备和使用方法。
混合等离子体阵列

[发明专利]一种偏压感应耦合等离子体源优化方法、系统及电子设备-CN202211188157.2在审
发明人：赵明亮;张钰如;高飞;王友年 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种偏压感应耦合等离子体源优化方法、系统及电子设备，涉及偏压感应耦合等离子体技术领域，包括：确定偏压感应耦合等离子体源的电场和感应沉积功率密度，进而得到体区流体参数和每个鞘层的鞘层参数；确定并将鞘层对体区的随机加热通量，作为下一次迭代时体区二维流体模型中体区电子能量方程的边界条件，确定偏压感应耦合等离子体源的电场，直至体区流体参数和鞘层参数均收敛，得到时空变化电场；进而确定离子蒙特卡洛碰撞模型，得到极板不同位置处的离子能量分布和离子角度分布能够同时且快速地确定出偏压感应耦合等离子体源中的离子能量分布和离子角度分布，进而提高优化偏压感应耦合等离子体源放电特性的效率。
一种偏压感应耦合等离子体优化方法系统电子设备

[发明专利]一种感应耦合等离子体热平衡的判断方法-CN202010597744.1有效
发明人：包为民;牛越;刘东林;李小平;刘彦明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种感应耦合等离子体热平衡的判断方法，具体包括：通过工业相机从透明的圆柱反应器内放电等离子体源的轴向获得气体放电的稳定态图像；通过平衡态等离子体磁流体动力学模型进行感应耦合等离子体源热平衡的二维模型仿真，得到热平衡感应耦合等离子体轴向的仿真温度等值线图；将工业相机所采集到的彩色图像通过光照强度分析方法得到等离子体源的光强分布三维图；判断等离子体源光强分布与仿真等离子体源内热平衡状态的温度分布趋势一致，则说明检测的感应耦合等离子体放电为热平衡放电。本发明将图像处理与感应耦合等离子体热平衡下的仿真结果相结合，提高等离子体热平衡判断的准确性，具有实时、直观、稳定、非接触、低成本的优点。
一种感应耦合等离子体平衡判断方法

[发明专利]高频天线电路以及感应耦合等离子体处理装置-CN201210461279.4无效
发明人：佐佐木和男;里吉务 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及高频天线电路以及感应耦合等离子体处理装置，高频天线电路能够抑制匹配电路的发热，而且能够提高具备分割天线的感应耦合等离子体处理装置的功率效率。高频天线电路用于在感应耦合等离子体处理装置中、在处理衬底的处理室内生成感应耦合等离子体，该高频天线电路具有：等离子体生成天线，其用于在处理室内生成等离子体；高频电源，其对等离子体生成天线提供高频电力；匹配电路，其存在于高频电源与等离子体生成天线之间；多个分割天线，其构成等离子体生成天线，被分配通过匹配电路之后的高频电力；以及并联谐振电容电路，其被设置成与多个分割天线中的各个分割天线并联。
高频天线电路以及感应耦合等离子体处理装置

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置-CN201010557565.1有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200810181115.X有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置方法

[发明专利]使用含硫工艺气体的含碳硬掩模去除工艺-CN201980044844.7在审
发明人：戴芬;T·王;O·D·简;M-H·基姆;马绍铭;Z·刘 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：在一个示例实施中，工艺可包括允许工艺气体进入等离子体腔室，使用感应耦合的等离子体源从工艺气体在等离子体腔室中生成等离子体，和将含碳硬掩模暴露于等离子体以去除至少一部分的含碳硬掩模。感应耦合的等离子体源可通过接地的静电屏蔽与等离子体腔室分开以减少感应耦合的等离子体源和等离子体之间的电容耦合。
使用工艺气体含碳硬掩模去除

[发明专利]感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置-CN201310261620.6有效
发明人：松泽修;赤松宪一;中野信男;一宫丰;田边英规;夏井克己 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：提供感应耦合等离子体装置、分光分析装置以及质量分析装置。感应耦合等离子体装置大幅降低等离子气体的消耗量。作为解决手段，该感应耦合等离子体装置具有圆筒形状的罩，其与等离子体炬是分离的，具有足够包围到生成等离子体火焰的前端部的高度，该罩外嵌地配置在等离子体炬上；以及校正气体导入机构，其将用于校正等离子气体的流路的校正气体导入到在罩的内表面和等离子体炬的外管的外表面之间形成的间隙部
感应耦合等离子体装置分光分析以及质量

[发明专利]感应耦合等离子体用天线部件、处理装置以及处理方法-CN201310049788.0有效
发明人：东条利洋;佐藤亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及感应耦合等离子体用天线部件、处理装置以及处理方法，在平面状地邻接设置多个天线的情况下，确保良好的等离子体控制性。感应耦合等离子体用天线部件(50)具有用于在等离子体处理装置的处理室内生成对基板(G)进行等离子体处理的感应耦合等离子体的天线，在该感应耦合等离子体用天线部件(50)中，天线(131)被配置成具有与基板(G)相对置地形成的、生成有助于生成等离子体的感应电场的平面区域(141)。
感应耦合等离子体用天线部件处理装置以及方法

[发明专利]混合型电容耦合和电感耦合等离子处理系统的方法和设备-CN200880110039.1有效
发明人：阿列克谢·马拉赫塔诺夫;尼尔·本杰明;艾瑞克·胡德森;拉金德尔·德辛德萨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种具有用于处理基片的等离子处理室的电容耦合等离子(CCP)处理系统。该电容耦合等离子(CCP)处理系统包括用于处理该基片的上部电极和下部电极，该基片在等离子处理期间设在该下部电极上。该电容耦合等离子(CCP)处理系统还包括感应线圈装置阵列，构造为该上部电极和该下部电极之间的间隙中以感应方式维持等离子。
混合电容耦合电感等离子处理系统方法设备

[发明专利]感应耦合天线以及使用该天线的等离子体处理装置-CN03132667.6无效
发明人：金泰完;尤利·N·托尔马契夫;马东俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-09-28 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有能提高等离子体均匀性的结构的感应耦合天线以及一种使用该感应耦合天线的等离子体处理装置。感应耦合天线安装在感应耦合等离子体(ICP)处理装置的反应室上，并与射频(RF)电源相连，以便感应产生电场，用于使注入反应室内的气体反应物离子化并产生等离子体。感应耦合天线包括有多圈的线圈，其中，流过最外圈的电流大于流过内圈的电流。最外圈和内圈与RF电源并联连接，内圈彼此串联连接。该感应耦合天线包括：导体金属管，该导体金属管有冷却通道；以及导体金属条带，该导体金属条带与该金属管的底部电连接和热连接。
感应耦合天线以及使用等离子体处理装置

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置-CN200610106329.1无效
发明人：李奎成;金汉基;金度根;金明洙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-07-19 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种感应耦合等离子体处理装置。该感应耦合等离子体处理装置包括：反应室；基底支架，用于在反应室中形成等离子体空间并用于支撑在其中的处理基底；屏蔽件，设置在基底支架的侧面；多个开口，形成在基底的下方；线天线，在反应室的下部，高频功率信号被施加到线天线因此，该感应耦合等离子体处理装置可均匀地分布等离子体的密度，使得可实现大尺寸的平板显示器。
感应耦合等离子体处理装置

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