专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种空闲终端设备脱网后的小区搜索方法和设备-CN201310367652.4在审
  • 苏苓 - 中国移动通信集团公司
  • 2013-08-21 - 2015-03-18 - H04W36/00
  • 本发明公开了一种空闲终端设备脱网后的小区搜索方法和设备,该方法包括:终端设备在脱网后,读取本终端设备在脱网前收到的系统信息,系统信息中包括小区的重选点以及各重选点的重选优先级;利用各重选点的重选优先级对各重选点进行排序;按照各重选点的排序结果,从重选优先级最高的重选点开始依次搜索各重选点,一直到能够在重选点对应的小区进行驻留。本发明实施例中,使空闲终端设备在脱网后尽快搜索到能够发起驻留的重选点,减少空闲终端设备的脱网时间,减少空闲终端设备重新接入网络后的往高优先级小区的重选,提高用户的使用感受。
  • 一种空闲终端设备脱网后小区搜索方法设备
  • [发明专利]对激活接入终端进行切换的方法-CN200610106294.1有效
  • 陈钧;万蓉 - 华为技术有限公司
  • 2006-07-19 - 2006-12-13 - H04Q7/38
  • 一种在接入网间或扇区间对激活接入终端进行切换的方法,其中,在接入网间对激活接入终端进行切换的方法包括以下步骤:当前接入网接收接入终端发送的消息,并比较当前接入网中导强度最强的扇区和相邻接入网中导强度最强的扇区之间的导强度;在相邻接入网中最强的导强度比当前接入网最强的导强度高出预定门限时,当前接入网发送消息给接入终端,释放无线接口连接,使接入终端迁移到空闲;空闲的接入终端切换至相邻接入网中导强度最强的扇区。相似的方法也可以适用于在漏配相邻关系的扇区间对激活接入终端进行切换。
  • 激活接入终端进行切换方法
  • [发明专利]参考信号接收、发送方法和装置、通信装置和存储介质-CN202180003201.5在审
  • 赵群 - 北京小米移动软件有限公司
  • 2021-09-30 - 2022-02-08 - H04L5/00
  • 本公开涉及参考信号接收、发送方法和装置、通信装置和存储介质,其中,所述参考信号接收方法包括:确定在非连接接收参考信号的时资源信息,其中,所述参考信号不同于同步信号块SSB;根据所述时资源信息在非连接接收所述参考信号根据本公开,终端可以确定在非连接接收参考信号的时资源信息,进而终端在进入非连接后,可以根据所述时资源信息接收参考信号,由于所述参考信号是一种不同于SSB的参考信号,即,终端在非连接可以接收SSB以外的参考信号,进而可以使用接收到的参考信号执行动作,而不限于根据SSB执行动作,可以提高终端在非连接根据参考信号执行动作的灵活性。
  • 参考信号接收发送方法装置通信存储介质
  • [发明专利]一种重定向的方法、设备及系统-CN201380002264.4有效
  • 王学亮 - 华为技术有限公司
  • 2013-12-05 - 2017-09-12 - H04W36/04
  • 实现PCH或FACH用户设备的重定向,避免重定向时踩空,提高系统容量和业务质量。本发明实施例提供的方法包括接收PCH或FACH的用户设备在第一小区发送的小区更新请求消息,其中,所述PCH包括小区寻呼信道CELL_PCH和注册区寻呼信道URA_PCH,所述FACH包括小区前向接入信道CELL_FACH;根据预设策略确定将所述用户设备重定向至第二小区或者第二点;向所述用户设备发送小区更新响应消息,所述小区更新响应消息中包含所述第二小区的点和扰码信息或者所述第二点的点信息。
  • 一种定向方法设备系统
  • [发明专利]SiC MOSFET结监测方法、装置、设备及介质-CN202210719772.5在审
  • 张品佳;张擎昊;陆格野 - 清华大学
  • 2022-06-23 - 2022-10-28 - G01R31/26
  • 本申请涉及电力电子器件状态监测技术领域,特别涉及一种SiC MOSFET结监测方法、装置、设备及介质,方法包括:获取被测碳化硅金属氧化物场效应管SiC MOSFET的通电流和通电压;根据通电流和通电压计算其通电阻;基于预先建立的通电阻和结之间的映射关系,根据测得通电阻计算SiC MOSFET结。由此,解决了相关技术中的结监测方法只能应用于较窄的开关频率范围,且精度受器件老化影响严重等问题,通过提出新型的通压降在线测量电路以及考虑老化的SiC MOSFET结监测策略,提高了工作频率,降低了成本以及器件老化对结监测的影响
  • sicmosfet监测方法装置设备介质
  • [发明专利]一种超长自由演化时间冷原子标装置及方法-CN202010511324.7有效
  • 王秀梅;李晶;周铁中;刘亚轩;王亮;高连山 - 北京无线电计量测试研究所
  • 2020-06-08 - 2022-08-23 - H03L7/26
  • 本发明公开一种超长自由演化时间冷原子标装置及方法,涉及冷原子标技术领域,以解决现有方式冷原子自由演化时间有限,限制冷原子标稳定度指标差的问题。其中装置包括:冷原子制备装置制备具有竖直向上速度的高能冷原子;冷原子跃迁组件将所述高能冷原子跃迁为低能冷原子,为所述低能冷原子提供微波脉冲;光晶格组件对所述低能冷原子进行囚禁,限制所述低能冷原子的空间位移和扩散,直至所述低能冷原子上升速度变为零;冷原子跃迁组件对自由下落进入的冷原子进行二次微波脉冲;信号收集器对制备的高能冷原子的能分布进行采集;对自由下落穿过所述冷原子跃迁组件的冷原子包含的微波频率信号进行采集
  • 一种超长自由演化时间原子装置方法

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