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[发明专利]一种快速恢复二极管的制备方法-CN202011037492.3在审
发明人：葛孝昊;曾丹;史波;赵浩宇 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速恢复二极管的制备方法，该方法将离子注入工艺与中子嬗变工艺相结合用于制备快速恢复二极管，在保证快速恢复二极管性能的前提下，大大简化了快速恢复二极管的制备工艺，降低了制备周期。其中，快速恢复二极管的制备方法包括：在N‑型衬底上表面制备快速恢复二极管FRD的正面结构；通过离子注入工艺分别从N‑型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从N‑型衬底的背面注入中子，并通过预设温度对N‑型衬底进行退火激活处理，以形成与N‑型衬底导电类型相同的多层场截止层，氢离子位于第一场截止层，中子位于第二场截止层，磷离子位于第三场截止层；在N‑型衬底的下表面制备FRD的阴极区域。
一种快速恢复二极管制备方法

[发明专利]全彩发光二极管的省电控制装置及其方法-CN201010189646.0无效
发明人：林宗熙 -专利权人：昆盈企业股份有限公司
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种全彩发光二极管的省电控制装置及其方法，至少包含二个不同颜色的单色发光二极管，而欲显示混合色时，即将不同颜色的单色发光二极管快速轮流发光，使其一个时间内只有一个单色发光二极管发亮，避免以往全彩发光二极管显示混合色时，须同时点亮所有组合混合色所对应的单色发光二极管，因此，除较以往全彩发光二极管装置更为省电外，亦可同时维持均衡一致的亮度。
全彩发光二极管控制装置及其方法

[发明专利]一种具有故障检测装置的光伏阵列组件-CN201010244863.5有效
发明人：王磊 -专利权人：王磊
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有故障检测装置的光伏阵列组件，所述的具有故障检测装置的光伏阵列组件包括旁路二极管组、故障检测装置、蓄电池和至少一块光伏组件，所述的光伏组件与蓄电池串联连接在一起；所述的旁路二极管组与一个二极管串接，该旁路二极管组与一个二极管串接所组成的电路与所述光伏组件并联连接，所述的故障检测装置与所述的旁路二极管组并联连接。本发明通过检测与光伏组件并接的旁路二极管组上是否有电流流过，来快速判断光伏组件是否处于故障状态，并且通过与光伏组件连接的故障检测装置使人们能够方便快速地感知。
一种具有故障检测装置阵列组件

[实用新型]一种具有多种显示状态的发光二极管灯珠-CN202022468672.9有效
发明人：王超 -专利权人：王超
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H05B47/165 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有多种显示状态的发光二极管灯珠，包括绝缘外壳和正反向双发光二极管电路，绝缘外壳的内部固定装有正反向双发光二极管电路，正反向双发光二极管电路包括发光二极管和电阻，发光二极管的数量为2个，发光二极管之间反向并联连接。本实用新型通过应用了外壳、凸起和凹槽，不仅可以保护电路，还可以实现多只灯珠的快速拼接以及灯珠与其它零件的快速拼接，应用了两芯导线占用单片机两只或一只引脚的连接状态下通过程序控制，实现灯珠两种颜色的多种组合变换
一种具有多种显示状态发光二极管

[发明专利]一种二极管生产线-CN202110161053.1在审
发明人：张淑美 -专利权人：广州市魔蔓网络科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B21F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管生产线，其结构包括滑轨、工作台、粘晶器、定位装置、切脚器、检测器、主体、移动板，本发明进行使用时，通过连接板与橡胶垫互相配合对二极管进行定位，将二极管脚定位在接口上，用软胶垫和泡沫层配合对二极管脚进行保护，使得切脚器可以快速稳定对二极管脚进行切脚处理，提高二极管的切脚效果，通过多个腔体将多个二极管进行夹持加工，提高二极管加工后的产品质量。
一种二极管生产线

[发明专利]一种二极管弯折装配设备-CN202210793319.9在审
发明人：陶健 -专利权人：苏州常思行自动化科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B23P23/00 文献下载
摘要：本发明涉及二极管装配技术领域，公开了一种二极管弯折装配设备，包括机架，所述机架上设有若干组二极管上料折弯装置、接料组装装置、焊接装置以及下料装置，所述二极管上料折弯装置包括上料裁剪机构、折弯机构和二极管转移机构，所述二极管上料折弯装置包括上料裁剪机构、折弯机构和二极管转移机构，通过折弯机构的第一弯折工装和第二弯折工装将二极管的引脚折弯呈S形，从而更加紧凑的将其焊接在导电体上，即能满足二极管的使用性能，同时又节省了空间接料组装装置的流转盘转动通过焊接装置的上焊接头和下焊接头可以快速将二极管引脚和导电体焊接，提高了生产效率。
一种二极管装配设备

[发明专利]微型发光二极管的转移方法及其设备-CN202010743693.9在审
发明人：庄士仁;吴玉堂 -专利权人：和硕联合科技股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种微型发光二极管的转移方法及其设备，方法包括形成粘着层于显示软板；以显示软板相反于设置粘着层的一侧安装于载体；放置具有多个微型发光二极管的基板于移动平台上，其中多个微型发光二极管为垂直式发光二极管，且相邻的多个微型发光二极管之间已完成打线接合；移动基板至载体下方；以及提供作用力于基板的微型发光二极管，使接收到作用力的微型发光二极管自基板上剥离并粘贴至粘着层。由此，以快速稳定且精确将大量微型发光二极管从基板转移到显示软板。
微型发光二极管转移方法及其设备

[发明专利]统一微型发光二极管元器件取向的方法及应用其的巨量转移方法-CN201910195872.0在审
发明人：唐小兵;陈祖辉;严群;林金堂;赵晓刚;田洪涛;黄屏;林碧新;黄丽超;吴莉 -专利权人：泉州市盛维电子科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种统一微型发光二极管元器件的取向的方法，包括对多个微型发光二极管元器件中每一个的衬底表面进行亲水处理或疏水处理；将经过处理后的各个微型发光二极管元器件放置到水性溶液中，并对水性溶液施加震荡，使得漂浮在水性溶液表面的各个微型发光二极管元器件的衬底表面皆朝向上方或下方。本发明并公开了一种微型发光二极管巨量转移方法，其中应用了如上所述的统一微型发光二极管元器件的取向的方法。本发明实现了微型发光二极管元器件在水性溶液中的快速统一取向，并继而能够将如上统一取向后的各个微型发光二极管元器件快速、准确地经由转载模具定位到电路基板，实现了微型发光二极管的高效、高精度、高良品率且低成本的转载
微型发光二极管元器件取向水性溶液衬底表面统一元器件放置电路基板模具定位亲水处理疏水处理低成本良品率应用漂浮震荡施加

[发明专利]一种二极管智能检测设备-CN202111210955.6在审
发明人：张春美;李晨佳 -专利权人：南京尚科得科技发展有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明属于二极管检测技术领域，尤其是一种二极管智能检测设备，包括振动筛分盘、传送带和二极管体，传送带的一侧设置有L型支撑板，传送带的另一侧设置有支撑底座；L型支撑板的一侧表面设置有快速检测装置，快速检测装置包括检测板，其设置在传送带的上方，对传送带上的二极管体进行检测；支撑底座的上表面设置有筛选装置，筛选装置包括旋转气缸，其设置在支撑底座的上表面，对检测不合格的二极管体进行夹送；传送带的表面设置有移送装置，其包括吸孔盘，对检测完成的二极管体进行吸附移送。该二极管智能检测设备，通过往复气缸工作，使检测板向下运动，其下表面的检测环与二极管体的电极接触，通过指示灯可直观观察到该排二极管体的检测结果。
一种二极管智能检测设备

[实用新型]一种带散热组件的发光二极管-CN202121559525.0有效
发明人：刘仁娟 -专利权人：深圳市益贝电子实业有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带散热组件的发光二极管，包括二极管体和安装在二极管体上端的发光罩，二极管体的下端还设置有引脚，二极管体的下端设置有散热扇，散热扇的四周均设置有第一散热口，二极管体的侧面设置有第二散热口，散热扇通过连通管与两侧的竖向通风管相连接，竖向通风管的中部设置有横向通风管，在二极管体使用时，散热扇开始工作，通过连通管向两侧的竖向通风管进行吹风，将半导体制冷片发出的冷气吹向二极管体内部，加速二极管体内部的空气流动，同时将内部的热气由竖向通风管和横向通风管排出，进而保证二极管体内部的热量可以快速散去，避免在使用时二极管体的温度较高。
一种散热组件发光二极管

[发明专利]微型发光二极管显示装置的制造方法-CN202010438936.8有效
发明人：张小齐;刘政;李燕;彭益;庄世强 -专利权人：深圳市隆利科技股份有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管显示装置的制造方法。该方法包括将多个微型发光二极管悬浮于液体模板上；通过电场牵引所述多个微型发光二极管形成有序阵列；将第一衬底靠近所述微型发光二极管阵列，以使得所述微型发光二极管阵列与第一衬底结合；移除液体模板；通过所述第一衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。本发明其可以简洁快速且精准地转移巨量的微型发光二极管，并具有高良率。
微型发光二极管显示装置制造方法

[发明专利]超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法-CN201010605854.4无效
发明人：邱慈云;张帅;刘坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中所述肖特基二极管的阳极设置在超级结MOSFET芯片的元胞区域源端的相邻两个体区之间，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连，所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的漏电极。超级结MOSFET并联肖特基二极管的结构，利用肖特基二极管的快速开关特性提高超级结MOSFET器件的反向恢复速度。
超级 mosfet 集成肖特基二极管方法

[发明专利]一种快速淬灭与复位电路-CN202211586119.2在审
发明人：王明富;刘光林;金峥;冯志辉;刘博;周向东 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：一种快速淬灭与复位电路，该电路首先采用高侧淬灭子电路和低侧淬灭子电路同时对雪崩二极管的雪崩电流进行快速淬灭，然后再通过低侧复位子电路对雪崩二极管阳极电压进行快速复位，最后通过高侧复位电路对雪崩二极管阴极电压进行复位，使雪崩二极管恢复到可进行下一次产生雪崩电流的准备状态，接收下一次单光子信号。本发明旨在解决远距离激光雷达测距中要求SPAD高探测效率和低死时间之间相互制约问题，相比传统淬灭方法的雪崩二极管探测效率提高了25％左右，而死时间则降低了16％左右；并通过设计高侧复位子电路，可有效避免雪崩二极管由于雪崩电流过大引起的雪崩二极管损毁的问题主要应用于采用雪崩二极管进行高灵敏度单光子探测场合。
一种快速复位电路

[发明专利]一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法-CN201310410822.2有效
发明人：高勇;谢加强;马丽;王秀慜 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从下到上依次设置有阴极N+区、耐压层和阳极P+区，耐压层由复合结构成，复合结有L型N-柱和L型P-柱构成。其中，阳极P+区为重掺杂Si材料；耐压层复合结结构区采用新型复合结Si材料结构，掺杂浓度较常规PiN二极管高一个数量级；阴极区采用N+掺杂结构。本发明还公开了一种快速软恢复功率开关二极管的制备方法，与常规PiN二极管的不同之处在于，复合结结构中引入了横向和纵向交替内建电场。二极管的反向恢复峰值电流较常规的PiN二极管和超结二极管大大减小，反向恢复时间很大程度上缩短了，该新型复合结结构的快速软恢复功率开关二极管便能够更好的适用于高频电路应用中。
一种快速恢复功率开关二极管及其制备方法

[发明专利]保护二极管的识别、绕线方法及测试芯片设计方法和系统-CN202210746196.3在审
发明人：万晶;杨璐丹;潘伟伟 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06V20/00 文献下载
摘要：本发明提供保护二极管的识别方法，包括：获取版图，识别出源漏掺杂区；识别出与所述源漏掺杂区有接触并且与除所述源漏掺杂区外的有源区没有接触和与栅极连接线没有接触的有源区连接线，即保护二极管的引脚；通过识别出所述保护二极管的引脚实现对保护二极管的识别可以自动快速地为避免天线效应提供可选保护二极管。本发明还提供的绕线方法通过本发明的保护二极管的识别方法得到保护二极管的引脚，可自动连接到晶体管的栅极，从而保护栅极。本发明的测试芯片设计方法对于晶体管型的目标对象，利用本发明的绕线方法，可自动快速添加保护二极管，进一步提高了设计效率。本发明的测试芯片设计方法、系统、测试芯片具有相应优势。
保护二极管识别方法测试芯片设计系统