专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果421640个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种流芯片及利用流芯片制备聚合物球的方法-CN200610019354.6有效
  • 赵兴中;刘侃 - 武汉大学
  • 2006-06-14 - 2006-12-27 - C12N11/08
  • 本发明涉及一种流芯片,包括合成沟道和两个流聚焦成球沟道,两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇,每个流聚焦成球沟道由预聚物沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成,所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧,预聚物沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口,连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物沟道的输入口相交汇。本发明还提供了利用上述流芯片制备聚合物球的方法:将两种连续相从两个流聚焦沟道的连续相沟道的输入口注入,将分散相分别从两个流聚焦沟道的分散相沟道注入,即从合成沟道出口得到聚合物球。本发明可精确制作大小一致可控的聚合物球。
  • 一种芯片利用制备聚合物方法
  • [发明专利]一种通道加工方法、通道-CN201810771392.X有效
  • 蔡孟锦;詹竣凱;邱冠勳 - 潍坊歌尔微电子有限公司
  • 2018-07-13 - 2020-10-16 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种通道加工方法及通道,在衬底上形成沟道,所述沟道贯通衬底的两侧;在沟道中沉积牺牲层,所述牺牲层的上端将沟道的开口封闭住,牺牲层的内部形成空隙;在衬底上沉积覆盖层,所述覆盖层覆盖在衬底以及沟道本发明通道的加工方法,可以使覆盖层与衬底上除沟道以外的位置良好地结合在一起,避免了传统键合带来的泄露问题,以及传统贴合带来的沟道阻塞问题,保证了沟道的小型化发展。
  • 一种通道加工方法
  • [发明专利]沟道高分子粉末成形方法-CN201610403215.7有效
  • 龚峰 - 深圳大学
  • 2016-06-08 - 2019-02-01 - H01M8/0258
  • 一种沟道高分子粉末成形方法,坯料放置在沟道成形纹路上,坯料至少部分位于卡位部上;凸模填料腔与沟道成形纹路的轴线重合对齐后压料板与下模合上;压料板的底面紧贴坯料,对压料板施加压力,以使卡位部对坯料进行卡位固定;向凸模填料腔填充高分子粉末;高分子粉末对坯料向沟道成形纹路压制;在预设条件满足时,坯料的沟道区域表面积发生形变形成沟道。由于坯料被卡位部进行卡位固定,因此,在成形过程中,坯料的外部轮廓大小不变,而沟道区域表面积发生形变,此外,由于高分子粉末的推进,使得沟道区域受力均匀,从而使得沟道区域成形的沟道厚薄相对均匀。
  • 沟道高分子粉末成形方法
  • [发明专利]一种钙钛矿单晶的制备方法以及光电器件-CN202210002574.7有效
  • 张秀娟;邓巍;揭建胜;孙玉叶 - 苏州大学
  • 2022-01-04 - 2023-06-06 - C30B7/02
  • 该制备方法包括:在基底上制备获得由多个间隔开布置的沟道组成的沟道阵列;加热基底;将钙钛矿前驱体溶液施加到沟道阵列中;在施加有钙钛矿前驱体溶液的基底上贴附软体刀片,并使软体刀片的底面至少能够完全覆盖沟道阵列;控制软体刀片以预设速度从沟道阵列的一端朝向另一端移动,以逐渐暴露出沟道阵列,从而使得沟道阵列内的钙钛矿前驱体溶液在软体刀片的头部结晶,并在沟道阵列完全暴露出时结晶形成钙钛矿单晶阵列。本发明方案可以制备出大面积的钙钛矿单晶,并且可以根据需要设计沟道阵列中沟道的深度,进而可以控制该钙钛矿单晶的厚度。
  • 一种钙钛矿单晶制备方法以及光电器件
  • [实用新型]基于MEMS的多固定相微型填充柱结构-CN201920617680.X有效
  • 冯飞;杨雪蕾 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2019-04-30 - 2020-06-30 - G01N30/60
  • 本实用新型提供一种基于MEMS的多固定相微型填充柱结构,基于MEMS的多固定相微型填充柱结构包括:衬底,衬底的表面形成有沿衬底的表面延伸的沟道沟道的一端为入口端,另一端为出口端;阻挡柱组件,位于沟道内,且临近沟道的出口端;至少一个筛选柱组件,位于沟道内,且位于阻挡柱组件与沟道的入口端之间。本实用新型的基于MEMS的多固定相微型填充柱结构通过在沟道内设置阻挡柱组件及筛选柱组件,可以实现固定相自主分段填充,最终实现多种类的混合气体的一次性分离,扩展了色谱柱的使用范围,实现了微型填充柱结构的多功能化
  • 基于mems固定微型填充结构
  • [发明专利]一种流体电容器-CN201711183103.6在审
  • 唐星;娄达 - 昌微系统科技(上海)有限公司
  • 2017-11-23 - 2018-05-04 - H01G7/00
  • 本发明提出一种流体电容器,包括衬底及与所述衬底固定连接的盖板。其中,所述衬底朝向所述盖板的面上设置有一第一沟道,所述第一沟道中覆盖有一第一导电层,所述盖板朝向所述衬底的面上,对应所述第一沟道的位置,设置有一第二沟道,所述第二沟道中覆盖一第二导电层,所述第一沟道与所述第二沟道形成一流体通道,所述流体通道与外部流路相连接,所述外部流路中的流体流入所述流体通道,形成一以流体为介质的流体电容器。本发明所提供的电容器利用一流过流体通道的流体作为介质形成一电容值可变的可变电容器。
  • 一种流体电容器
  • [发明专利]一种基于流控萃取技术的重金属离子在线检测芯片-CN201911173976.8在审
  • 王宁;万浩;戴婷;李昶;杨思源 - 武汉理工大学
  • 2019-11-26 - 2021-05-28 - G01N21/03
  • 本发明公开种基于流控萃取技术的重金属离子在线检测芯片,该芯片包括六组平行对称排列的复合液滴生成以及萃取沟道、中间位置的复合液滴收集主沟道以及埋在左端的光纤传感器,芯片的主体由聚二甲基硅氧烷和玻璃基底键合;平行对称排列的复合液滴以及萃取沟道分为两个部分,处于上端能产生复合液滴的“十字型”沟道,处于下端复合液滴萃取重金属离子的“蛇型”沟道,中间位置的主沟道包括收集复合液滴的沟道以及集成在左端的光纤传感器的沟道;光纤传感使用两根普通单模光纤在流体沟道中对准。本发明基于流控萃取技术的重金属离子在线检测芯片具有高效、易于控制、在线快速监测等突出优势。
  • 一种基于微流控萃取技术重金属离子在线检测芯片
  • [发明专利]一种微型气相色谱柱芯片及其制作工艺-CN202310680640.0在审
  • 王俊奇 - 精智未来(广州)智能科技有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-07-14 - G01N30/30
  • 本发明涉及一种微型气相色谱柱芯片及其制作工艺,该微型气相色谱柱芯片包括:基板;盖板,覆盖在基板正面;形成在基板正面的第一沟道以及对应形成在盖板底部的第二沟道;盖板覆盖在基板后,第一沟道与第二沟道键合构成通道,通道包括多个区段;形成在基板反面的多个加热结构,每一加热结构位于通道的一个区段的下方;毛细管接口,形成在基板上通道的起始端及末端。本发明通过对接设置的第一沟道和第二沟道降低了通道的单次蚀刻深度,降低了工艺难度;通过对通道的分区设计以及设置多个加热结构,能够灵活独立地控制各加热结构分段加热,实现显著的节能而不会损失色谱分辨率
  • 一种微型色谱芯片及其制作工艺
  • [发明专利]一种纳光纤长周期光栅折射率传感器-CN202010017503.5有效
  • 冉洋;胡德明;徐志远;龙俊求;关柏鸥 - 暨南大学
  • 2020-01-08 - 2022-09-30 - G01N21/41
  • 本发明公开了一种纳光纤长周期光栅折射率传感器,包括依次连接的宽带光源、纳光纤、沟道阵列平板,以及与纳光纤连接的波长检测单元;宽带光源用于光源的输入,即输入信号;纳光纤设置在沟道阵列平板上,纳光纤轴向与沟道阵列平板的阵列周期方向一致;沟道阵列平板的沟道阵列为周期性沟道阵列,其沟道通入液流,所述液流与纳光纤接触,构成对纳光纤的周期性调制,形成纳光纤长周期光栅;波长检测单元用于输入信号的波长检测;本发明所述光栅折射率传感器,其谐振信号强度与波长由其平板沟道阵列中所通入液流的折射率所决定
  • 一种微纳光纤长周期光栅折射率传感器
  • [发明专利]微结构错流式分离芯片-CN200510012106.4无效
  • 崔大付;陈兴 - 中国科学院电子学研究所
  • 2005-07-07 - 2007-01-10 - B81B1/00
  • 本发明的“一种微结构错流式分离芯片”,由硅质基片、沟道和盖片组成,沟道中的柱或坝作为分离过滤结构,其基于错流分离原理,沟道柱或坝的排列方向与沟道轴向平行,且沿沟道轴向方向上柱间的间隙大小或坝顶端与盖片间的间隙大小由所需分离颗粒尺寸决定,柱或坝将沟道沿轴向至少分为两条通道,不同尺寸颗粒在不同的通道中流动并从不同出样口流出,实现不同尺寸颗粒的分离和收集。
  • 微结构错流式分离芯片

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top