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[发明专利]余氯传感芯片及余氯检测方法-CN201811014115.0有效
发明人：王宁;杨建强;雷磊 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：所述空心光子晶体光纤的一端通过光纤连接外部的光电探测器，另一端的底部端面为反射面；所述空心光子晶体光纤的一端还设有光源耦合端口；在所述空心光子晶体光纤外部沿其长度方向依次设置显色剂腔、混合反应腔和溶液回收腔；所述显色剂腔内设有显色剂微流体管；所述混合反应腔内设有微流控芯片，该微流控芯片上设有微流沟道，该微流沟道与所述空心光子晶体光纤的内部连通；所述该微流沟道上设有显色剂入口和水样入口，该显色剂入口与所述显色剂微流体管连通，该水样入口连接一水微流体管
余氯传感芯片检测方法

[发明专利]单细胞胞浆粘性测量装置及方法-CN201810092406.5有效
发明人：陈健;王棵;张毅;王军波;陈德勇;孙晓昊;龙荣 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01N11/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种单细胞胞浆粘性测量装置及方法，该装置包括：微流控芯片模块，包括：主压缩沟道，供细胞挤入并沿该主压缩沟道运动；以及至少一个侧压缩沟道，其一端垂直连通于主压缩沟道，供细胞在经过侧压缩沟道时发生部分伸入；压力控制模块，连接至微流控芯片模块，提供细胞沿主压缩沟道运动及在侧压缩沟道伸入的压力；图像采集模块，采集细胞经过该交叉位置时的图像；以及数据分析与处理模块，与图像采集模块连接，对采集的图像进行处理得到细胞在侧压缩沟道内的伸入长度
单细胞粘性测量装置方法

[发明专利]将以离子浓度梯度形式储藏的自由能转化为电能的方法-CN200910091546.1无效
发明人：王宇钢;郭维;曹留烜 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H02N3/00 文献下载
摘要：该方法是将开设有纳米孔、纳流沟道或微流沟道的基质置于所述基质两端存在离子浓度梯度的电解质中，利用所述纳米孔、纳流沟道或微流沟道的离子选择性，将所述电解质中的阴阳离子进行分离，从而形成电流，将离子浓度梯度形式储藏的自由能转化为电能利用该方法所制备的供能单元尺寸在纳米量级，可以用来在微环境下为其他纳米器件提供能量，在纳米器件体系的集成方面具有很好的应用前景。
离子浓度梯度形式储藏自由能转化电能方法

[发明专利]低电压驱动阵列电极式毛细管电泳芯片-CN200610200183.7无效
发明人：闫卫平;陈里铭;刘军民;郭吉洪 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本发明属于分析化学中的微全分析系统研究技术领域，用以在芯片毛细管电泳分离过程中实现低电压驱动样品进样。其特征是利用毛细管电泳中电渗流驱动的原理，在玻璃盖片上刻蚀毛细管电泳微沟道，并以热键合的方法封接基片和盖片，制作出阵列电极式毛细管电泳芯片。在“十”字形毛细管电泳芯片的进样沟道和分离沟道上分别设置了一系列电极，即在缓冲液池至十字沟道之间，以及样品废液池至十字沟道之间，都分别设置了阵列电极，通过设计不同的电压组合，在电极上循环施加电压实现样品的进样和分离本发明的效果和益处是较大幅度降低毛细管电泳的进样和分离电压，使微全分析系统实现真正的集成化和微型化。
电压驱动阵列电极毛细管电泳芯片

[发明专利]双光路微液滴芯片分析仪及其控制方法-CN202111381187.0在审
发明人：苏世圣;韩应敏;杜晓纯;刘晓彬;高东风;潘树强;杨文军;王勇斗 -专利权人：新羿制造科技（北京）有限公司
申请日： 2021-11-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种双光路微液滴芯片分析仪及其控制方法，其中的双光路微液滴芯片分析仪包括具有操作平台的架体，所述操作平台上设置有能够放置微液滴芯片的芯片座，所述操作平台上还设置有第一检测光路组件及第二检测光路组件，所述微液滴芯片上至少具有两条间隔的沟道，所述第一检测光路组件能够检测两条所述沟道中的一条，同时所述第二检测光路组件能够检测两条所述沟道中的另一条。
双光路微液滴芯片分析及其控制方法

[实用新型]双光路微液滴芯片分析仪-CN202122851877.X有效
发明人：韩应敏;苏世圣;杜晓纯;刘晓彬;高东风;潘树强;杨文军;王勇斗 -专利权人：新羿制造科技（北京）有限公司
申请日： 2021-11-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双光路微液滴芯片分析仪，其中的双光路微液滴芯片分析仪包括具有操作平台的架体，所述操作平台上设置有能够放置微液滴芯片的芯片座，所述操作平台上还设置有第一检测光路组件及第二检测光路组件，所述微液滴芯片上至少具有两条间隔的沟道，所述第一检测光路组件能够检测两条所述沟道中的一条，同时所述第二检测光路组件能够检测两条所述沟道中的另一条。
双光路微液滴芯片分析

[发明专利]一种微小三维结构沟道微流芯片的制备方法-CN201410574398.X有效
发明人：刘侃;刘松林;艾钊;方义 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微小三维结构沟道微流芯片的制备方法，包括湿法刻蚀工艺中的基底的选择、刻蚀图样的包埋、湿法刻蚀、基底的键合，所述的湿法刻蚀是指将基底经过刻蚀图样的掩膜包埋物之后，通过输送夹具，按照0.01mm/min-1mm/min的速率将基底缓慢的放入到刻蚀液中，通过调整输送夹具的速率，得到不同坡度的微小三维结构沟道微流芯片。本发明的制备方法改变了以往以直接浸泡腐蚀方法刻蚀出的微流芯片的沟道过于单一和过于规则的现状，通过调整夹具的输送速率，使浸入到刻蚀液中的基底的刻蚀面的各个部分刻蚀的时间不同，从而得到不同特殊形状的微小三维结构沟道本发明的制备方法工艺简单，制备出来的微流芯片具有微型化的特点，可广泛的用于分析领域。
一种微小三维结构沟道芯片制备方法

[发明专利]一种微纳跨尺度聚合物喷针的制造方法-CN202010893592.X有效
发明人：邹赫麟;郭冉;徐良 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于微机电研究领域，涉及一种微纳跨尺度聚合物喷针的制造方法。本发明采用侧蚀剥离法和反应离子深刻蚀技术，制备硅纳米模具；通过PDMS浇注技术将硅纳米模具的图形转移到PDMS上，制备带有纳米沟道图形的PDMS纳米模具。通过热压印将PDMS纳米模具的图形转移到SU‑8光刻胶上，形成纳米沟道；采用反向紫外曝光方法制造微米沟道同时紫外固化纳米结构。用SU‑8光刻胶盖板通过氧等离子体辅助热键合，对微纳沟道进行封装，获得微纳跨尺度聚合物喷针。热键合后采用湿法刻蚀方法去除聚合物喷针下面的玻璃基底，使聚合物喷针针尖前部悬空，形成针尖悬空的带有微纳复合图形的聚合物喷针。本发明操作简单、成本低、工艺重复性好。
一种微纳跨尺度聚合物制造方法

[实用新型]一种H桥双路电机驱动电路-CN201921008463.7有效
发明人：谭伟;李涵;师杰 -专利权人：重庆海德世拉索系统（集团）有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H02P5/46 文献下载
摘要：一种H桥双路电机驱动电路，包括两个电机、三个N沟道场效应管、三个P沟道场效应管，三个P沟道场效应管的漏极与电源连接，三个N沟道场效应管的源极接地，第一电机的第二连接端连接第二电机的第二连接端，第一电机的第一连接端连接第一P沟道场效应管的源极和第一N沟道场效应管的漏极，第二电机的第一连接端连接第三P沟道场效应管的源极与第三N沟道场效应管的漏极，第二P沟道场效应管的源极和第二N沟道场效应管的漏极与第一电机的第二连接端、第二电机的第二连接端间的连接点相连，三个P沟道场效应管和三个N沟道场效应管的栅极连接微控制单元相应的控制端口，通过微控制单元控制三个N沟道场效应管和三个P沟道场效应管的导通和关断。
一种桥双路电机驱动电路

[发明专利]一种垂直结构的微晶硅薄膜晶体管及其制备方法-CN201110397460.9无效
发明人：陈科;刘畅 -专利权人：上海广电电子股份有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构的微晶硅薄膜晶体管，包括玻璃基板，栅电极，绝缘层，有源层，源电极，漏电极，源电极在玻璃基板上，源电极上面是有源层，有源层上面是漏电极，漏电极上面是绝缘层，漏电极通过绝缘层上设有的通孔延伸至绝缘层的上面即由于源电极、漏电极是上下夹着沟道有源层，沟道电流方向是上下方向垂直于玻璃基板，使沟道电流沿着微晶硅的晶向流动，从而可以减弱微晶硅的晶界影响薄膜晶体管性能。
一种垂直结构微晶硅薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]短沟道场效晶体管制造方法-CN03816143.5有效
发明人： R·菲赫哈伯;H·图斯 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-06-21 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种短沟道场效晶体管制造方法。本发明乃涉及一种制造一短沟道场效晶体管的方法，包括下列步骤：形成一次微影栅极牺牲层(3M)，在该次微影栅极牺牲层(3M)的侧壁处形成间隙壁(7S)，移除该次微影栅极牺牲层(3M)以形成一栅极凹陷，以及在该栅极凹陷中形成一栅极介电质(10)与一控制层(11)，而如此的结果为会形成在低于100纳米范围内的临界尺寸中具有最小波动的一短沟道FET。
沟道晶体管制造方法

[发明专利]感测装置-CN201910701883.1在审
发明人：陈东村;黄睿政;张华伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：在实施例中，一种感测装置包括：电极，被配置成在对所述电极施加第一电压时改变所述电极上方的液体微滴的接触角；感测膜，叠盖所述电极，其中所述电极被配置成基于在所述电极处感测的第二电压而评估所述液体微滴的状态；参考电极，位于所述电极上方，所述参考电极被配置成提供参考电压；以及微流体沟道，位于所述电极与所述参考电极之间，其中所述微流体沟道被配置成使用所述电极来操纵所述液体微滴。
电极参考电极液体微滴微流体沟道配置参考电压感测装置感测膜接触角叠盖感测施加评估

[发明专利]一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱及其制备方法-CN201710042386.6在审
发明人：冯飞;田博文;侯磊;李昕欣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G01N30/60 文献下载
摘要：本发明提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱及其制备方法，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本发明将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽
椭圆色谱柱微柱微柱阵列微沟道长轴制备流线型结构周期性排列短轴方向方向平行流速分布长度比均匀性流速区内固定色谱峰短轴涂敷流动垂直

[实用新型]一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱-CN201720071546.5有效
发明人：冯飞;田博文;侯磊;李昕欣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： G01N30/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱，所述微色谱柱包括微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为本实用新型将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽
一种含有流线型椭圆阵列色谱

[发明专利]一种利用法诺干涉光散射力实现金属纳米颗粒分拣的设备-CN201510961314.2有效
发明人：胡华天;张顺平;童廉明;徐红星 -专利权人：武汉大学
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用法诺（Fano）干涉光散射力实现金属纳米颗粒分拣的设备，包括微流控芯片和能利用法诺干涉引入径向光学散射力的光路系统，微流控芯片在矩形光学分离腔一侧通过目标粒子流沟道、粒子流沟道分别与目标粒子流出口、粒子流出口相连接，另一侧设有辅助流入口一、辅助流入口二、阈值流入口与样品流入口，分别由各自的辅助流沟道一、辅助流沟道二、阈值流沟道和样品流沟道连接到矩形光学分离腔上，其辅助流沟道一与其他三股沟道流汇合形成的中线与目标粒子流出口和粒子流出口形成的中线在一条直线上
一种利用干涉散射实现金属纳米颗粒分拣设备