专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种预留装药室形式的桥膜式封装结构-CN202111571399.5在审
  • 张威;张良;周浩楠 - 北京智芯传感科技有限公司
  • 2021-12-21 - 2022-04-01 - H01L23/367
  • 本发明提供了一种预留装药室形式的桥膜式封装结构,涉及火工品领域。一种预留装药室形式的桥膜式封装结构,包括:桥膜式芯片通过导电银胶粘接在热沉层,桥膜式芯片的区上方为预留装药室,电极和热沉层位于桥膜式芯片封装结构的下表面,热沉引线分别键合在电极和芯片上传递电信号,通过导电银胶将多余热量传递给热沉。点火药剂通过自动喷或挤注的方法装配在预留装药室。本发明的封装结构解决了桥膜式芯片焊接工艺性差和无法自动装配的问题,保护了引线,提高了芯片的装配工艺性控制。封装之后的桥膜式可进行批量化生产。
  • 一种预留装药室形式桥膜式换能元封装结构
  • [发明专利]用于非易失性存储芯片自毁的自毁系统及其自毁方法-CN201510187373.9有效
  • 刘鹏;娄文忠;丁旭冉;赵越 - 刘鹏;娄文忠;丁旭冉;赵越
  • 2015-04-20 - 2015-07-22 - B09B3/00
  • 本发明公开了用于非易失性存储芯片自毁的自毁系统及其自毁方法。本发明的自毁系统包括:封装体、微型发火芯片、存储芯片和自毁决策芯片。本发明采用在存储芯片处于正常状态时,微型安全解保单元将微型短路,保证微型不发火;当自毁决策芯片判断系统需要存储芯片自毁时,通过解保控制端向微型安全解保单元发出解保指令,将与微型的一对发火电极并联的微型安全解保单元断开解除保险,之后,发火控制端向微型发出发火信号,微型发热引起封装外壳中的含药剂发生燃烧甚至产生爆轰,反应过程中释放大量的热,使存储芯片发生不可修复的物理损伤,实现存储芯片中信息的不可恢复地销毁。
  • 用于非易失性存储芯片自毁系统及其方法
  • [发明专利]一种超宽频带MEMS换能器-CN201710217878.4有效
  • 王红亮;王朝杰;何常德;薛晨阳;陈一波;胡晓峰;卢振国;曹京胜;吕云飞;曲皎;童一飞;王柳明 - 中北大学
  • 2017-04-05 - 2018-09-28 - H04R19/00
  • 本发明涉及水声领域的装置,具体涉及一种超宽频带MEMS换能器,包括封装外壳,封装外壳底部设置有PCB板基座,PCB板基座上设置有CMUT阵列,CMUT阵列包括依次设置的多个CMUT阵,CMUT阵与封装外壳之间设置有用于密封的硅油,CMUT阵上设置有至少2组大小不同的振动,每个CMUT阵均包括由下到上依次设置的基座层,绝缘层和振动薄膜层,振动薄膜层上设置有多个图形化的上电极,基座层上与多个上电极对应位置设置有下电极,绝缘层上与上电极对应位置设置有空腔,每一个上电极及与其对应的振动薄膜层、绝缘层、空腔、基座层、下电极和基座构成一个振动,不同组的振动交错设置在CMUT阵上。本发明可拓宽MEMS换能器的特征频率,可应用于水声领域。
  • 一种宽频mems换能器
  • [发明专利]逆流式回热器热力仿真方法-CN201910822282.6有效
  • 尹钊;张华良;王少林;周桥;孙文超;高庆;谭春青 - 中国科学院工程热物理研究所
  • 2019-08-30 - 2023-04-18 - G06F30/20
  • 一种逆流式回热器热力仿真方法,该方法适用于逆流式的气‑气热且无相变回热器热力性能仿真,该方法包括以下步骤:根据回热器结构计算回热器冷、热侧热面积,获得回热器冷、热侧热系数变化规律,给定回热器数量初值,对每一进行热分析,建立所有热线性方程组,求解热线性方程组,迭代求解获得满足热精度要求的数量,从而得到回热器冷、热侧温度分布,实现回热器热力仿真。本发明提出的基于多矩阵分析的逆流式回热器热力仿真方法,可考虑回热器几何结构对换热性能的影响,不仅能实现回热器稳态与非稳态热力性能仿真,且具备较高的仿真速度与精度。
  • 逆流式回热器热力仿真方法
  • [发明专利]超临界流体换热器通道结构的优化设计方法-CN202010768113.1有效
  • 姜培学;王超;胥蕊娜;祝银海 - 清华大学
  • 2020-08-03 - 2022-06-24 - G06F30/15
  • 本发明公开了一种超临界流体换热器通道结构的优化设计方法,包括:首先构建换热器通道结构模型,换热器通道结构模型包括多个热通道,建立描述换热器通道几何结构的数学模型,然后将热通道划分为n个段,并计算每个段内的热面积dA,针对每个段建立流动热的控制方程,再计算获得每个段的热力参数,进而获得整个热通道的综合性能参数;改变换热通道几何参数,重复上述计算过程,最后每个综合性能参数相互比较,选择综合性能参数最大值对应的通道结构作为最终的换热器通道结构根据本发明实施例的超临界流体换热器通道结构的优化设计方法,可以优化超临界流体换热器通道结构,以获得轻质、高功率密度的热装置。
  • 临界流体换热器通道结构优化设计方法
  • [实用新型]压电超声换能器-CN200720169897.6无效
  • 郝震宏;乔东海 - 中国科学院声学研究所
  • 2007-07-25 - 2008-07-02 - B06B1/06
  • 本实用新型提供一种硅压电超声换能器,包括具有硅杯结构的硅基片,位于该硅基片上的支撑层以及位于支撑层上的N个压电单元;其特征在于,所述硅基片的硅杯结构上部具有选择性掺杂层,该选择性掺杂层上具有N个与所述压电单元相对应的通孔与现有技术相比,本实用新型能否达到以下技术效果:本实用新型可以用常规的体硅刻蚀工艺实现密排阵的薄膜压电换能器阵列,该阵列的阵间距不受阵间侧墙厚度及倾角的限制,可根据阵列设计需要任意调整。
  • 压电超声换能器

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