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[发明专利]单晶硅引晶拉速设定、调控方法及装置-CN202310660360.3在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;胡子武 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提出一种单晶硅引晶拉速设定、调控方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取由单晶硅引晶过程中产生的引晶历史数据确定的多个引晶样本数据集，基于多个引晶样本数据集，求解单晶硅引晶拉速过程中对应的最优引晶目标拉速，并选取出与单晶硅引晶拉速相关的特征监测变量，以根据特征监测变量与单晶硅引晶拉速的对应关系，构建引晶拉速预测模型；在任一目标时刻的引晶拉速需要调控的情况下，根据最优引晶目标拉速与引晶拉速预测模型在目标时刻的预测引晶拉速之间的偏差，对目标时刻的引晶拉速进行调控，由此，基于最优引晶目标拉速与预测引晶拉速之间的偏差，进行引晶拉速的超前、自适应、精准调节，提高拉速控制的精度和稳定性。
单晶硅引晶拉速设定调控方法装置

[发明专利]一种直拉单晶硅生产用的引晶装置及引晶方法-CN202110026220.1在审
发明人：詹玉峰;陈跃华;方勇华 -专利权人：浙江旭盛电子有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生产加工设备技术领域，具体地说，涉及一种直拉单晶硅生产用的引晶装置及引晶方法，包括引晶箱，引晶箱上安装有下料漏斗，引晶箱内底部安装有加热座，加热座的顶部安装有坩埚，下料漏斗的出料口正对坩埚的进口处，引晶机构包括两个对称嵌设于引晶箱内壁上的升降气缸，每个升降气缸的活塞杆顶部安装有固定杆，两个固定杆之间安装有单晶硅夹头，单晶硅夹头的底部安装有单晶硅。本发明通过引晶机构能够方便将单晶硅向上缓慢提拉，使得单晶硅带动多晶硅原料向上拉伸，保证引晶操作的稳定进行，生产效率高，通过引晶方法能够方便引晶的顺利进行，升降气缸保证晶体向上慢慢拉直且避免产生断裂等现象
一种单晶硅生产装置方法

[发明专利]引晶功率的确定方法及装置-CN202310485620.8在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;钟坚;童佳妮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种引晶功率的确定方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取单晶硅生产过程中的历史数据样本，其中，历史数据样本包括与引晶功率相关的工况特征向量，以及不同工况特征向量对应的引晶功率；基于工况特征向量与引晶功率之间的映射关系，构建单晶硅对应的引晶功率计算模型；将单晶硅实时生产过程中的实时工况特征向量输入到引晶功率计算模型进行预测，以得到实时引晶功率，由此，基于单晶硅生产过程中的历史数据样本建立的引晶功率计算模型，实现单晶硅生产过程中的实时引晶功率的精准确定，避免人工不合理修正，提高单晶硅的成晶率和产能。
功率确定方法装置

[发明专利]制单晶硅棒时引晶用的籽晶和单晶硅棒的制作方法-CN201310412874.3无效
发明人：周浩;尚繁;郭凯 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种制单晶硅棒时引晶用的籽晶和单晶硅棒的制作方法，其中籽晶呈锥形。锥形能够使熔硅与籽晶间的吸附力增大，这样引晶过程就不容易出现引断的情况。熔硅中的热对流对晶体的冲击是造成引断的主要因素，而采用本申请的籽晶进行引晶时硅棒就更能承受热对流的冲击，所以引晶过程中的埚转速度就可以降低，埚转速度的降低使得直拉法制造单晶硅棒的引晶过程的功耗相应降低。埚转速度的降低同时也减小了熔硅表面的横向温度梯度，使得晶体的生长界面的热对流强度降低，这样就可以避免熔硅中的杂质撞击到晶体的生长界面的几率，提高了引晶过程的成晶率，并降低了单晶硅棒中的杂质含量，使得单晶硅棒的品质得以提高
制单晶硅棒时引晶用籽晶单晶硅制作方法

[发明专利]一种引晶功率计算方法、确定方法及装置-CN202211393218.9在审
发明人：李彬 -专利权人：四川永祥光伏科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种引晶功率计算方法，包括：获取上次引晶功率、上次平均引晶拉速；获取上次放肩高度、上次引晶对应的调温时间到本次调温的运行时间、上次引晶对应的炉内石英埚内硅液重量、本次调温对应的硅液重量；获取平均引晶拉速变化量对应的功率变化量，确定引晶拉速与功率变化系数；获取放肩高度变化量对应的功率变化量，确定放肩高度与功率变化系数；获取运行时间变化量对应的功率变化量，确定运行时间与功率变化系数；获取硅液重量变化量对应的功率变化量，确定硅液重量与功率变化系数；确定引晶标准拉速和放肩标准高度；将上述数据输入引晶功率计算模型，计算得到本次引晶功率。本发明提高了找引晶功率的效率和准确性。
一种功率计算方法确定方法装置

[发明专利]一种引晶引断后自动稳温工艺-CN201910833133.X有效
发明人：赵国伟;王建平;周泽;王鑫;皇甫亚楠;杨志;刘学;吴树飞;刘振宇;郭志荣;王林;高润飞 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种引晶引断后自动稳温工艺，应用于直拉单晶引晶引断后进行自动稳温，包括以下步骤，S1：籽晶引断后，调节坩埚内硅溶液温度至过热温度，其中，在硅溶液温度调节过程中，籽晶自动延迟下降；S2：硅溶液温度调节至过热温度后，按照预置引晶功率进行热场功率选择，进行稳温；S3：根据细晶的长度进行籽晶下降，熔化细晶，进行过热熔接，并进行引晶。本发明的有益效果是改变传统工艺中引晶引断后的处理方式，由人为的手动操作转变为系统的全自动操作，单晶炉引晶时发生引断后，自动执行升温、降籽晶、预制引晶功率等步骤，直至执行下次自动引晶，提高拉近操作人员工作效率
一种引晶引断后自动工艺

[发明专利]一种多晶硅引晶方法-CN201510446358.1在审
发明人：宋江;郭宽新 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：发明公开了一种多晶硅引晶方法，包括以下步骤：(1)在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒；(2)把步骤(1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部；(3)把经过步骤(2)处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的铸锭。本发明在原有多晶硅铸锭的基础上，通过把引晶颗粒的外表面包裹一层氮化硅涂层，大大的改善了引晶颗粒与坩埚底部接触易发生粘连的问题。
一种多晶硅引晶方法

[发明专利]一种生产高效多晶硅的引晶片及引晶方法-CN201710104030.0在审
发明人：尹长浩;熊震;刘超;蒋奇军;杨双胜;杨飞 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产高效多晶硅的引晶片，其特征在于包括陶瓷基片，和粘附在陶瓷基片表面的引晶颗粒，在引晶颗粒及陶瓷基片的表面喷涂或涂刷有一层氮化硅涂层，所述引晶颗粒为石英颗粒、硅颗粒及碳化硅颗粒中的一种或几种的混合物，引晶颗粒的粒径大小为80‑800μm，引晶颗粒的密度为150‑16000个/cm2。本发明还公开了一种利用所述引晶片生产高效多晶硅的引晶方法。本发明可显著去除硅锭底部红区，大幅度提高铸锭收益，同时从根本上解决粘埚问题，从而降低铸锭成本，提高铸锭收益。
一种生产高效多晶晶片方法

[发明专利]利用大热场直拉法生产单晶硅时快速进入引晶工序的方法-CN201711458846.X在审
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李迎春;贾祯;杨少平 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开的利用大热场直拉法生产单晶硅时快速进入引晶工序的方法，硅料熔化后，上轴钨丝绳带动籽晶旋转，石英坩埚反向旋转，同时下降上轴钨丝绳使得籽晶与熔硅相接触，然后调整加热器的功率寻找引晶温度，当加热器维持某一功率一段时间而籽晶未熔断时，则进入稳温状态；在稳温状态中将籽晶下降到原生籽晶的位置熔化之前生长的单晶硅，然后加快石英坩埚反向旋转速度，进入引晶工序。本发明利用大热场直拉法生产单晶硅时快速进入引晶工序的方法可以大大缩短找温时间，而且保证在引晶过程中熔硅温度缓慢降低，从而避免了籽晶因熔硅温度变化快造成热应力和表面张力会产生位错的问题，达到快速进入引晶、
引晶籽晶单晶硅直拉法大热熔硅熔化钨丝加热器石英坩埚上轴熔断热应力硅料位错生产生长保证

[发明专利]引晶功率确定方法、装置及电子设备-CN202010197828.6在审
发明人：李宗飞;刘平虎;谭明科;钱龙 -专利权人：华坪隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种引晶功率确定方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质，涉及太阳能光伏技术领域。在前一次引晶从满埚料开始的情况下，分别获取所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速；其中，所述满埚料情况下，坩埚内的熔硅占装满所述坩埚的熔硅的质量比例大于预设比例；基于所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速，确定从满埚料开始的本次引晶的引晶功率；所述本次引晶为所述前一次引晶之后的下一次引晶；所述本次引晶的引放埚位与所述前一次引晶的引放埚位之间小于或等于预设距离。本发明实施例自动、准确实现了引晶功率确定，无需人工干预，降低了人工成本，且耗时较短。
功率确定方法装置电子设备

[发明专利]一种直拉法引晶方法-CN201811308065.7在审
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法引晶方法，包括步骤：提供一硅熔体和一籽晶，所述硅熔体的液面处于第一液面位置；将所述籽晶浸入所述硅熔体中，并将所述籽晶向上提拉并旋转以从所述硅熔体的液面上引出细晶；在所述引出细晶的过程中，当所述细晶的长度达到预定值时，将所述硅熔体的液面提升至第二液面位置，所述第二液面位置高于所述第一液面位置。本发明的一种直拉法引晶方法具有降低籽晶在引晶过程中的温度差，降低由于温差引起的位错，从而提高引晶成功率，节约长晶成本。
一种直拉法引晶方法

[发明专利]一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭-CN201910175300.6在审
发明人：徐云飞;毛伟;何亮;雷琦;周成;李建敏 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种籽晶铺设方法，提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。该籽晶铺设方法中使用多晶硅层和引晶层组成籽晶层，可以显著减少扩散的各种杂质，大大降低硅锭中金属杂质，显著减少制备得到的多晶硅锭尾部红区。本发明还提供了多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭。
多晶硅层多晶硅锭引晶铺设坩埚制备多晶硅片籽晶层种籽碎块晶粒生长方向底部表面金属杂质原生硅纯料硅锭籽晶拼接平行扩散

[发明专利]薄膜形成方法和薄膜太阳能电池的制造方法-CN200810126721.1有效
发明人：张群芳;李沅民 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜形成方法和薄膜太阳能电池的制造方法，包括：提供基底；在所述基底表面沉积引晶层；在所述引晶层表面沉积非晶硅层；在高压氢气气氛中进行热退火处理，将所述非晶硅层转变为微晶硅层。本发明的薄膜形成方法能够以一种更为简单可靠的方式形成微晶硅薄膜。
薄膜形成方法太阳能电池制造

[发明专利]多晶硅高效硅锭引晶颗粒及其制备方法-CN201410456035.6无效
发明人：张军彦;吴洪坤;侯炜强;杜海文;陈国红;张瑾 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅高效硅锭引晶颗粒及其制备方法，解决了现有的硅晶体自发形核引晶颗粒容易导致非均匀形核和晶核品质低的问题。包括硅纯度大于99.99999%的引晶颗粒芯（1），引晶颗粒芯（1）的粒径为0.15-0.3毫米，在引晶颗粒芯（1）的外表面上粘合有碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粘合包覆层（2），粘合包覆层（2）中的碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粒径小于或等于将选取的碳化硅碎粒与纯水及粘合剂一起放入到搅拌器中搅拌15-20分钟，制成密度大于2.33克/每立方厘米的碳化硅碎粒糊状悬浮液体，将引晶颗粒芯（1）放入到悬浮液体进行包覆，然后烘烧冷却。特别适用于在坩埚中生产多晶硅高效硅锭的生产过程中。
多晶高效硅锭引晶颗粒及其制备方法

[实用新型]多晶硅高效硅锭引晶颗粒-CN201420515832.2有效
发明人：张军彦;吴洪坤;杨静;张明;王峰 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅高效硅锭引晶颗粒，解决了现有的硅晶体自发形核引晶颗粒容易导致非均匀形核和晶核品质低的问题。包括硅纯度大于99.99999%的引晶颗粒芯（1），引晶颗粒芯（1）的粒径为0.15-0.3毫米，在引晶颗粒芯（1）的外表面上粘合有碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粘合包覆层（2），粘合包覆层（2）中的碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粒径小于或等于将选取的碳化硅碎粒与纯水及粘合剂一起放入到搅拌器中搅拌15-20分钟，制成密度大于2.33克/每立方厘米的碳化硅碎粒糊状悬浮液体，将引晶颗粒芯（1）放入到悬浮液体进行包覆，然后烘烧冷却。特别适用于在坩埚中生产多晶硅高效硅锭的生产过程中。
多晶高效硅锭引晶颗粒

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