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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置-CN201810975236.5有效
发明人：宋威;闫梁臣;赵策;周斌;王东方;丁远奎;刘军;胡迎宾;李伟 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括：衬底基板，以及设置在衬底基板上的栅极、源漏极、有源层、栅绝缘层以及遮光层，且遮光层与源漏极绝缘，遮光层嵌入有源层内；或者，遮光层位于有源层靠近栅绝缘层的一侧；或者，遮光层位于有源层远离栅绝缘层的一侧
薄膜晶体管及其制造方法显示装置

[发明专利]一种含有铅锡/石墨烯复合涂层的铅酸蓄电池电极的制备方法-CN201810857927.5有效
发明人：戴长松;杨少强;李如宏;蔡先玉;杨宝峰;胡信国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01M4/20 文献下载
摘要：技术方案：首先，对板栅合金基体进行预处理；然后，制备氧化石墨烯电沉积溶液；之后，利用DH1718E‑4型电源，组装三电极体系，预处理后的板栅合金为研究电极，铅锡合金电极为辅助电极，采用10～100mA恒定电流本发明的方法操作简单，能够提高板栅合金与正极活性物质界面的导电性，并且铅酸蓄电池在100％放电深度条件下循环寿命可达到367次。
一种含有石墨复合涂层蓄电池电极制备方法

[发明专利]一种烤烟房加热设备炉栅-CN201410130562.8有效
发明人：王学文;王永福;王永禄 -专利权人：山东源泉机械有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： A24B3/10 文献下载
摘要：一种烤烟房加热设备炉栅，由壳体和进风斗组成，所述壳体为半圆形整体结构，前部设置U型燃料进口，中间半圆形底部设有若干排列均匀的椭圆孔，后部为出灰口，所述壳体下面密封连接进风斗，并覆盖壳体中间半圆形底部的所有椭圆孔，所述进风斗设有进风口，所述壳体中间半圆形底部所有的椭圆孔与进风斗相通；本发明：设计合理、结构新颖，改变传统的炉膛进风为从炉栅底面进风，使煤与空气接触更充分，燃烧更彻底，因风自下而上吹入炉膛，热量不会流失，燃料升温和稳温效果良好，炉栅采用单独的整体结构，加工、更换方便，减工降本效果明显。
一种烤烟加热设备

[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的显示装置-CN201810699575.5有效
发明人：李胜敏 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其中，该薄膜晶体管包括：在基板上的底栅电极；与底栅电极交叠的半导体层，其中，半导体层包括N型半导体层和P型半导体层，N型半导体层与P型半导体层部分交叠；分别连接至P型半导体层的第一源电极和第一漏电极；分别连接至N型半导体层的不与P型半导体层交叠的部分的第二源电极和第二漏电极；以及在半导体层之上的顶栅电极。
薄膜晶体管包括显示装置

[发明专利]一种氧化物介质的原子层沉积方法-CN201611244141.3有效
发明人：孙兵;刘洪刚;王盛凯;常虎东;苏玉玉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。
氧化物介质原子层沉积栅介质原子层沉积系统半导体集成技术氧化物介质薄膜高介电常数生长氧化物击穿电压前驱体源生长过程反应腔漏电流减小钇基铪基镧基应用

[发明专利]电压调整器及其谐振栅驱动器-CN201310733241.2有效
发明人：唐样洋;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压调整器及其谐振栅驱动器，其中，谐振栅驱动器用于驱动第一功率晶体管和第二功率晶体管，包括第一控制通路、第二控制通路以及电感，其中：所述第一控制通路的第一端与所述第二控制通路的第一端连接；根据本发明实施例的谐振栅驱动器，能够缩减驱动周期，提高响应速度。
电压调整器及其谐振驱动器

[发明专利]导波雷达液位计检测装置-CN201510560227.6有效
发明人：王慧源;裴国林;许晓亮;张雷;乔博言 -专利权人：丹东通博电器（集团）有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G01F25/00 文献下载
摘要：本发明导波雷达液位计检测装置，由设置在检测平台(10)上的磁栅尺数显表(12)、伺服电机控制器(13)、磁性尺(2)、齿条(81)，滑轨(3)，可移动支架装置(4)、移动反射板装置(5)构成；在移动反射板装置(5)上设有磁头(6)、反射板(7)、伺服电机(8)，第二横梁板(50)移动带动磁头(6)与磁性尺(2)配合，磁头(6)的位移尺寸数据显示在磁栅尺数显表(12)上，同时，反射板(7)的位移尺寸数据显示在导波雷达液位计的表头(A)的液晶屏上，通过磁栅尺数显表(12)和导波雷达液位计表头(A)上的液晶屏显示的数据比较，检测导波雷达液位计的测量精度。
导波雷达液位计磁头磁栅尺数显表反射板装置检测尺寸数据检测装置磁性尺反射板表头移动伺服电机控制器可移动支架液晶屏显示数据比较伺服电机横梁板液晶屏齿条滑轨测量配合

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310572089.4有效
发明人：柳镐仁;赵太熙;金根楠;廉癸憙;朴正焕;张贤禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案
半导体器件及其制造方法

[发明专利]双栅型薄膜晶体管和包括其的有机发光二极管显示器-CN201310674628.5有效
发明人：郑宇喆;尹圣埈;孙珠僖 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及双栅型薄膜晶体管和包括其的有机发光二极管显示器，该晶体管包括：在基板上的第一栅极；在所述第一栅极上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的与所述第一栅极相对应的半导体层；在所述半导体层上的蚀刻停止层；源极和漏极
双栅型薄膜晶体管包括有机发光二极管显示器

[发明专利]一种包含铅‑石墨烯复合材料的铅蓄电池板栅-CN201510545826.0有效
发明人：陈飞;张慧;郭志刚;何英;班涛伟 -专利权人：天能电池集团有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含铅‑石墨烯复合材料的铅蓄电池板栅，板栅的配方以重量百分比计，组成为锡0.01～1.0％、铅‑石墨烯复合材料0.5～10.0％、铅为余量，所述的铅‑石墨烯复合材料利用复合电镀技术制备得到利用铅‑石墨烯复合材料制得铅蓄电池板栅的硬度、抗蠕变性能、耐腐蚀性能都得到显著提高。
一种包含石墨复合材料蓄电池

[发明专利]热熔胶熔化设备-CN201310126237.X有效
发明人： W.博姆克;K.泰福格特;C.基普罗夫斯基 -专利权人：虹霓机械制造有限公司
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： A24C5/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种热熔胶熔化设备（1），其具有热熔胶熔化容器（4）以及熔化炉栅（6），所述热熔胶熔化容器用于容纳热熔胶，设置所述热熔胶以粘接烟草加工行业的产品、尤其是过滤嘴中的过滤嘴纸；所述熔化炉栅具有多个穿通开口（12）以及加热所述热熔胶的第一加热装置（7），其中，所述熔化炉栅（6）由两个相互叠置的板（16、17）构成；并且所述板（16、17）其中之一具有至少一个凹部（19），所述加热装置（7）布置在所述凹部中
热熔胶熔化设备

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510625592.0有效
发明人：田允允;崔贤植;严允晟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种阵列基板，包括多条栅线、与多条栅线交叉的多条数据线，每两条栅线与对应的数据线定义一个像素单元，每一个像素单元包括薄膜晶体管、栅极绝缘层、布置在栅极绝缘层一侧上的钝化层、像素电极和公共电极
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种电连接结构及其制造方法、阵列基板-CN201310432205.2有效
发明人：田明;刘家荣;徐利燕 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明涉及一种电连接结构及其制造方法、阵列基板，所述电连接结构用于连接阵列基板公共电极总线区域的公共电极总线与显示区域的公共电极线，其特征在于，所述电连接结构位于所述公共电极总线区域的一端从基板侧向上依次包括：栅金属图案、栅绝缘层、半导体层、源漏金属层和保护层，其中，所述公共电极总线由所述源漏金属层制成，所述保护层在所述栅金属图案的上方形成有开口，所述源漏金属层从所述开口露出，并与周围的所述保护层齐平，所述源漏金属层从所述开口露出的部分通过透明导电薄膜与所述公共电极线连接
一种连接结构及其制造方法阵列

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201410325958.8有效
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积形成粘附层；采用含硅化合物浸润所述粘附层；重复上述沉积和浸润步骤；在所述粘附层上沉积形成金属栅电极层。根据本发明的制作方法，改善了粘附层和金属栅电极层之间的界面特性，避免了金属栅电极层剥离问题的产生，提高了器件的性能和良率。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]PMOS晶体管的形成方法-CN201210165882.8有效
发明人：何永根;陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供形成有栅介质层的衬底；形成覆盖所述栅介质层的功函数金属层，所述功函数金属层的材料为金属氮化物；在所述衬底所在的反应腔内通入NH3气体，并对所述功函数金属层进行热处理，以增加功函数金属层的含氮量；进行热处理后，在所述功函数金属层上形成栅电极。
pmos 晶体管形成方法