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[发明专利]一种全极耳电芯、电池及装配方法-CN202210851966.0有效
发明人：王林;袁丹丹;吴刚;董伟强;尚随军;毛焕宇 -专利权人：苏州宇量电池有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种全极耳电芯、电池及装配方法，所述全极耳极片包括集流体，所述集流体表面由一侧边缘至另一侧边缘依次分为揉平区、打孔区和涂布区，所述涂布区形成极片，所述打孔区和揉平区形成全极耳，所述打孔区位于所述全极耳的根部；所述涂布区内设置有浆料层，所述打孔区内开设若干通孔，所述通孔的孔径为0.2~2mm；所述打孔区的孔隙率为15~50%；所述全极耳电芯的揉平部设置有锡膏层。本发明通过在全极耳极片的一侧留白区内划分出揉平区和打孔区，在揉平区揉皱压平提高焊接良率，在打孔区打孔形成电解液流道，提升浸润效果，成本低且效果明显，不会影响电芯容量，能有效降低电性内阻，并提高内阻一致性
一种全极耳电芯电池装配方法

[发明专利]一种运动鞋的平针织帮面-CN201911247487.2在审
发明人：韩婴峰;卓建华 -专利权人：莆田市百合鞋业有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： A43B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种运动鞋的平针织帮面，属于运动鞋技术领域，该平针织帮面包括前脚区、脚中区和后脚区，脚中区包括中区内侧和中区外侧，中区内侧和中区外侧均由平针织部组成，平针织部包括第一编织层和与第一编织层分离编织的第二编织层，第一编织层和第二编织层之间形成夹层，第二编织层被编织的连接在第一编织层上，平针织部由至少一种纱线编织而成，中区内侧和中区外侧的夹层内设有鞋带元件。本发明提供的平针织帮面，相较于将两个编织层共同延伸编织，增强了平针织部在脚中区的支撑性，不会对第一编织层结构造成损伤，同时第一编织层和第二编织层之间形成夹层，可设置其他元件，相较于单层针织结构在帮面立体结构表现上更为突出
一种运动鞋针织

[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法-CN200910189692.8有效
发明人：朱超群;唐盛斌;冯卫;陈宇;吴海平;刘林 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：形成于半导体衬底上的半导体层；形成于所述半导体层上的阱区；所述阱区中间填充有一电极接触层，所述电极接触层与所述半导体层表面平齐；所述电极接触层两侧分别有横向扩散的源区，底面有扩散深阱，并且源区、深阱区、电极接触层两两接触。本发明中，将形成于半导体层上的阱区中部掏空，在其中填充一与半导体层表面平齐的电极接触层，而电极接触层侧面有横向扩散的源区，源区尺寸完全由其横向扩散的宽度决定，即器件的源区的横向尺寸可以达到最小，减小位于P-阱中源区下寄生的横向电阻，阻止寄生的NPN管工作在放大状态，从而抑制器件的闩锁效应。
一种功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]柱状电池及包含其的用电装置-CN202211379212.6在审
发明人：黄吉民;张青文;戴志芳 -专利权人：厦门新能达科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：正极极片包括正极集流体，正极集流体的第一表面上设置有活性材料层、绝缘层及空箔区，活性材料层、绝缘层及空箔区沿柱状电池的轴向方向依次排列。电极组件还包括揉平部，揉平部具有由空箔区向电极组件的卷绕中心轴弯折并重合形成的揉平面。绝缘层对正极集流体起到了支撑作用，可防止揉平部翻折超过隔膜与负极极片接触造成短路。
柱状电池包含用电装置

[发明专利]上下层错层复式楼户型-CN202010267665.4在审
发明人：周金桥 -专利权人：周金桥
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： E04H1/04 文献下载
摘要：上下层错层复式楼户型，是建筑设计领域中的一种新型的错层复式楼户型。该户型相比现有平层户型，户型空间更加丰富，动静分离更加合理；该户型相比现有复式楼户型，公共交通的公摊面积减少50％，室内楼梯间占用的套内面积减少50％，提高住户的得房率。该户型通过室内楼梯间与梯段板之间的分户墙组合将平层户型错层分隔成两层，下层为动态区或公共区，上层为静态区或私人区。本发明适用于各类多层和高层建筑。
下层复式户型

[发明专利]DMOS器件及其制造方法-CN201110338198.0有效
发明人：万颖 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种DMOS器件制造方法，包括：提供基底，包括有源区和位于有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。本发明通过在形成钨塞之后，增加了对ILD层的回刻过程，使得钨塞表面和ILD层表面不再齐平，从而使源区部位和栅区部位表面的金属区域也不再平齐，使得栅区表面的金属区域与区表面的金属区域的反光能力不同，在进行识别时，识别光束打到产品晶片上后，栅区和源区存在色差，从而能够通过色差清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，提高了后续引线键合过程的准确性。
dmos 器件及其制造方法

[发明专利]一种退台式别墅-CN201710284059.1在审
发明人：唐中荣;方明富;张韬;李霆;张淳;肖意 -专利权人：金科地产集团股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： E04H1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种退台式别墅，所述退台式别墅为塔型结构，包括多层住宅区，所述住宅区包括电梯厅和东西对称的两个住宅单元组成，所述电梯厅位于所述住宅区的中部，每个住宅区单元均至少包括一户复式别墅和至少一户位于复式别墅上部的平层别墅；所述电梯厅内设有电梯间和楼梯间；所述复式别墅为两层或三层复式住宅结构，所述平层别墅为单层住宅结构，所述复式别墅位于各住宅单元的底部；每户所述复式别墅均设有露台，所述平层别墅选择性设置露台。
一种台式别墅

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202310947799.4在审
发明人：何水;许良钦 -专利权人：厦门天马显示科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区、第一非显示区和第二非显示区，显示区至少部分围绕第一非显示区，第二非显示区围绕显示区。在垂直显示面板所在平面的方向，显示面板包括基板和触控层，触控层设置于基板的一侧。沿着显示区朝向第一非显示区的方向，触控层的边缘在基板上的投影和基板的边缘不交叠，也就是说，触控层靠近第一非显示区的一侧边缘和基板靠近第一非显示区的一侧边缘不齐平，这样在对显示面板的第一非显示区进行切割时，触控层由于边缘和基板边缘不齐平，应力释放较小，降低由于触控层在被切割时释放应力导致显示面板中不同膜层之间的缝隙出现概率，从而提高显示面板性能。
一种显示面板显示装置

[发明专利]接触孔的形成方法及图像传感器-CN201810218345.2在审
发明人：徐翼丰;王杰;刘家桦 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种接触孔的形成方法及图像传感器，所述接触孔的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上定义出逻辑区和像素区，逻辑区和像素区分别形成有器件结构；在像素区的器件结构上形成第一绝缘层；在逻辑区的器件结构上形成金属硅化物阻挡层；在金属硅化物阻挡层上和第一绝缘层上形成第二绝缘层；刻蚀像素区的第二绝缘层，以使像素区的第二绝缘层的表面与逻辑区的第二绝缘层的表面齐平；在表面齐平的第二绝缘层上形成层间介质层；刻蚀层间介质层、第二绝缘层及第一绝缘层至露出金属硅化物阻挡层和像素区的器件结构，形成接触孔。
绝缘层接触孔像素区器件结构金属硅化物阻挡层逻辑区图像传感器表面齐平介质层衬底刻蚀半导体金属硅化物接触电阻刻蚀层与逻辑

[发明专利]液晶显示装置及其边框设计-CN201611258491.5在审
发明人：陈猷仁 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明是有关于一种液晶显示装置及其边框设计，包括第二基板，具有一显示区及一边框区，所述边框区位于所述第二基板边缘且环绕所述显示区；滤色器层，位于所述第二基板的所述显示区上，所述滤色器层具有第一厚度；平坦层，位于所述第二基板的所述边框区上，且环绕于所述显示区；其特征在于，所述平坦层具有第二厚度，所述第二厚度与所述第一厚度具有相同厚度，使所述平坦层与所述滤色器层平齐，所述平坦层与所述滤色器层连接形成同一平面，通过所述第二厚度与所述第一厚度具有相同厚度，使所述平坦层与所述滤色器层平齐，所述平坦层与所述滤色器层连接形成同一平面的特征，解决显示区与边缘区之间大段差导致成盒时液晶扩散不良所造成的边缘真空泡问题。
液晶显示装置及其边框设计

[发明专利]显示模组及显示装置-CN202210950213.5在审
发明人：胡晓静;赵宸 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种显示模组及显示装置，显示模组包括显示面板、遮光层以及盖板；显示面板包括显示区以及位于显示区的边缘的遮光区，显示面板包括有机发光层；遮光层位于有机发光层上，遮光层设置于遮光区内；盖板位于遮光层上，盖板与遮光层分离设置；其中，遮光层远离显示区的一端与显示面板的边缘齐平；本发明通过在有机发光层上制作遮光层，不仅可以提高制作精度，而且不存在贴合公差，改善了目前遮光层与盖板一体化来料所引起的制作公差和贴合公差，使得显示面板上的遮光区可以设置的更窄；另外，遮光层远离显示区的一端与显示面板的边缘齐平，即遮光层与显示面板一同切割，不需要额外加宽遮光层以遮住切割道，利于实现极窄边框。
显示模组显示装置

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201410505412.0有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：在衬底表面形成伪栅极膜；在伪栅极膜内掺杂离子，在伪栅极膜内形成掺杂区和未掺杂区，掺杂区的表面与伪栅极膜的表面齐平，未掺杂区位于掺杂区底部；在伪栅极膜内掺杂离子之后，刻蚀部分伪栅极膜直至暴露出衬底表面为止，在衬底表面形成伪栅极层；对伪栅极层的侧壁进行减薄，使未掺杂区的侧壁相对于掺杂区的侧壁凹陷；在对伪栅极层的侧壁进行减薄之后，在伪栅极层两侧的衬底内形成源漏区；在形成源漏区之后，在衬底表面形成介质层，介质层覆盖伪栅极层的侧壁，且介质层的表面与伪栅极层的表面齐平；去除伪栅极层，在介质层内形成第一开口；在第一开口内形成栅极。
晶体管形成方法

[发明专利]一种盖板及显示模组-CN202210699225.5在审
发明人：高彪;李钊;张雄南;蔡鹏;史世明;张嵩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种盖板及显示模组，该盖板分为展平区以及与展平区连接的弯折区；盖板包括依次层叠的第一柔性平坦层、中间补强层和第二柔性平坦层，第一柔性平坦层用于临近显示面板的出光面设置，第二柔性平坦层用于远离显示面板设置，中间补强层具有覆盖弯折区的开槽，盖板还包括填充于开槽内的柔性填充部；其中，中间补强层的杨氏模量大于第一柔性平坦层的杨氏模量和第二柔性平坦层的杨氏模量，柔性填充部的杨氏模量小于第二柔性平坦层的杨氏模量该盖板能够在提升显示模组表面强度的同时满足弯折区的弯折性能。
一种盖板显示模组

[实用新型]一种运动鞋的平针织帮面-CN201922181449.3有效
发明人：韩婴峰;卓建华 -专利权人：莆田市百合鞋业有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： A43B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种运动鞋的平针织帮面，属于运动鞋技术领域，该平针织帮面包括前脚区、脚中区和后脚区，脚中区包括中区内侧和中区外侧，中区内侧和中区外侧均由平针织部组成，平针织部包括第一编织层和与第一编织层分离编织的第二编织层，第一编织层和第二编织层之间形成夹层，第二编织层被编织的连接在第一编织层上，平针织部由至少一种纱线编织而成，中区内侧和中区外侧的夹层内设有鞋带元件。本实用新型提供的平针织帮面，相较于将两个编织层共同延伸编织，增强了平针织部在脚中区的支撑性，不会对第一编织层结构造成损伤，同时第一编织层和第二编织层之间形成夹层，可设置其他元件，相较于单层针织结构在帮面立体结构表现上更为突出
一种运动鞋针织

[发明专利]一种新型门区指示灯装置-CN201610639989.X有效
发明人：朱森峰;孙佳秀 -专利权人：康力电梯股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B66B5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型门区指示灯装置，包括控制板、蓄电池、电源继电器、随行电缆、平层开关和门区指示灯；所述电源继电器包括常开电源继电器、第一常闭电源继电器和第二常闭电源继电器，常开电源继电器与控制板、随行电缆、平层开关串联而成，在常开电源继电器处并联一个与蓄电池相连的第一常闭电源继电器，在平层开关后连接与门区指示灯串联的第二常闭电源继电器。这种方法可以在不需要加装额外开关和随行电缆的情况下，实现门区指示灯回路。
一种新型指示灯装置