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[发明专利]一种刻蚀副产物智能自清洁方法-CN201811026563.2有效
发明人：聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀副产物智能自清洁方法，适用于对半导体干法刻蚀工艺过程，提供一工艺控制系统及一干法刻蚀设备，还包括以下步骤：步骤S1，工艺控制系统于干法刻蚀设备对应的干法刻蚀工艺开始之前，采集干法刻蚀设备执行之前的干法刻蚀工艺过程中的第一工艺参数；步骤S2，工艺控制系统根据第一工艺参数，获得对干法刻蚀设备进行自清洁的第二工艺参数；步骤S3，工艺控制系统根据第二工艺参数对干法刻蚀设备执行自清洁工艺；步骤S4，干法刻蚀设备执行对应的干法刻蚀工艺，待干法刻蚀工艺执行完毕后返回步骤本发明的技术方案有益效果在于：减少刻蚀过程中因聚合物累积造成的刻蚀缺陷颗粒源，改善晶圆批次作业的首枚效应问题。
一种刻蚀副产物智能清洁方法

[发明专利]干法刻蚀机台及干法刻蚀方法-CN201811646355.2有效
发明人：高鹏飞;丁玎 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种干法刻蚀机台及干法刻蚀方法，所述干法刻蚀机台包括用于对基板进行刻蚀的制程腔，所述制程腔包括底板、升降部件、转动部件和承载部件，所述承载部件上设置有基板固定装置，进行干法刻蚀时，调整升降部件和转动部件，使基板的刻蚀面朝下，刻蚀用等离子体从底板上的气孔中释放并向上扩散至刻蚀面，该干法刻蚀机台可防止刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量；本发明还提供了一种干法刻蚀方法，包括使用上述干法刻蚀机台对基板进行干法刻蚀的步骤，该方法可避免刻蚀过程中制程腔顶部和侧壁的杂质掉落至刻蚀面而影响刻蚀质量。
刻蚀机台方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310647735.9有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的形成方法，提供衬底并形成NMOS栅极结构、PMOS栅极结构，先通过对衬底干法刻蚀形成U形凹槽，再对所述U形凹槽进行湿法刻蚀，形成Σ形凹槽，接着在Σ形凹槽进行外延生长锗硅层以形成源区或漏区在干法刻蚀形成U形凹槽时，将干法刻蚀分成两步，先对所述衬底进行第一干法刻蚀，再对所述衬底进行第二干法刻蚀，第二干法刻蚀采用还原性气体作为刻蚀气体，能够将第一干法刻蚀产生的刻蚀附加产物去除，并且第二干法刻蚀产生的刻蚀附加产物非常少，为后续的湿法刻蚀提供了洁净的表面，使得形成的Σ形凹槽形貌标准且表面平整，后续形成的源区或漏区形貌更佳。
干法刻蚀衬底形凹槽形貌湿法刻蚀晶体管刻蚀漏区源区还原性气体表面平整产物去除刻蚀气体外延生长锗硅层洁净

[发明专利]一种金属刻蚀方法及干法刻蚀机台-CN201510253980.0在审
发明人：陈定平 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属刻蚀方法及干法刻蚀机台，主要包括将进行金属湿法刻蚀后的金属元件放入干法刻蚀机台腔体内，向所述干法刻蚀机台腔体内至少充入氟化物气体；将所述氟化物气体电离，形成含氟等离子气体；所述含氟等离子气体与所述元件表面的硅渣在设定压力和设定时间内进行反应后，抽取所述干法刻蚀机台腔体内的气体；在所述干法刻蚀机台腔体内对所述元件进行金属干法刻蚀。
一种金属刻蚀方法机台

[发明专利]光掩模坯料-CN201810188726.0在审
发明人：深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。第二膜和第四膜由含铬材料形成，该含铬材料耐氟基干法刻蚀并通过氯基干法刻蚀可除去。在氯基干法刻蚀时，第四膜的刻蚀完成时间比第二膜的刻蚀完成时间长。
法刻光掩模坯料含铬材料含硅材料刻蚀时间比衬底透明

[发明专利]干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法-CN202011044728.6在审
发明人：易芳;孟凡顺;杨伟杰 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法，通过在干法刻蚀机台的冷却台的上方设置通入吹扫气体的供气管道，并在冷却台的下方设置抽气管道，将经过干法刻蚀工艺的晶圆传送至所述冷却台，并对晶圆通入吹扫气体吹扫，将干法刻蚀工艺带出来的反应气体吹扫干净，防止干法刻蚀工艺反应生成的聚合物或副产物会与空气中的水蒸气反应，引发缺陷产生，并防止已经完成干法刻蚀工艺晶圆上的气体残留，与未完成干法刻蚀工艺晶圆上的光刻胶发生反应，进而影响刻蚀形貌；该方法无需使用缓存台运转，避免了因缓存台不足影响机台的WPH，有利于提高生产效率。
刻蚀机台半导体器件制造方法

[发明专利]一种基于干法刻蚀负载效应的亚波长连续面形微结构制备方法-CN200710121244.5无效
发明人：董小春;杜春雷;李飞;潘丽 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种基于干法刻蚀负载效应的亚波长连续面形微结构制备方法，(1)首先选择基底材料，然后对干法刻蚀设备进行标定，建立缝宽与刻蚀速率的关系；(2)依据标定的结果，设计与目标结构相应的干法刻蚀掩模图形，并在基底表面制作金属材质的干法刻蚀掩模图形；(3)采用标定过程中使用的刻蚀参数对基底进行干法刻蚀；(4)刻蚀结束后，对刻蚀后的基底材料进行湿法腐蚀抛光，抛光完成后即可获得需要的目标结构。本发明通过利用干法刻蚀过程中的负载效应实现了亚波长尺度连续面形微结构的成形，当然本发明也可以实现尺寸远大于波长的各种连续面形结构的成形，可广泛应用于基于表面等离子体的各种新型功能器件的制备。
一种基于刻蚀负载效应波长连续微结构制备方法

[发明专利]一种真空干法刻蚀机的静电处理方法及装置-CN201010192275.1有效
发明人：左迪建;张进 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空干法刻蚀机的静电处理装置，用以解决现有技术中真空干法刻蚀机传片故障率高的问题。该装置包括电极和机械手臂，所述真空干法刻蚀机还包括静电释放控制模块，所述静电释放控制模块的一端与所述电极相连，另一端接地，用于控制所述电极与地的开合。本发明实施例还提供了一种真空干法刻蚀机的静电处理方法。如本发明提出的方案，通过静电释放控制模块控制电极与地的开合，从而实现将真空干法刻蚀机上聚集的静电释放到大地，进而降低真空干法刻蚀机的传片故障率。
一种真空刻蚀静电处理方法装置

[发明专利]用于多产品混合生产的刻蚀工艺方法-CN202011354242.2有效
发明人：马莉娜;姚道州;肖培 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多产品混合生产的刻蚀工艺方法，包括如下步骤：步骤一、对刻蚀工艺腔进行第一次腔体清洗，以去除累积在刻蚀工艺腔中的聚合物。步骤二、将被刻蚀晶圆传输到刻蚀工艺腔中进行干法刻蚀，干法刻蚀以图形化的光刻胶为掩膜，干法刻蚀的刻蚀气体参数按照各个产品自身要求设置。步骤三、进行第二次晶圆清洗以保证混合生产中所有晶圆在干法刻蚀完成后所积累的聚合物被去除。本发明能在同一刻蚀工艺腔中实现对干法刻蚀中的聚合物要求不同的各种产品进行刻蚀且不会影响产品质量。
用于产品混合生产刻蚀工艺方法

[发明专利]一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质-CN202110961934.1在审
发明人：曾健忠 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请适用于干法刻蚀领域，提供了一种干法刻蚀设备的腔体清理方法、装置、终端和介质。其中，上述干法刻蚀设备的腔体清理方法具体包括：获取依序进入所述干法刻蚀设备的多个晶圆中每个晶圆对应的在所述干法刻蚀设备的腔体内目标元素的元素浓度；根据所述元素浓度，计算N种间隔时长中每种间隔时长分别对应的自相关系数；若所述N种间隔时长的每个目标时间间隔分别对应的自相关系数中存在符合预设条件的自相关系数，则对所述干法刻蚀设备的腔体进行清理。
一种刻蚀设备清理方法装置终端介质

[发明专利]一种微透镜阵列及其制备方法、垂直腔面发射激光器结构-CN202110756538.5有效
发明人：苗霈;刘恒;王俊;刘畅;肖垚;谷飞 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微透镜阵列及其制备方法、垂直腔面发射激光器结构，方法包括：在衬底的第一表面形成微透镜形状的光刻胶掩膜；基于刻蚀气体和钝化气体，采用干法刻蚀工艺对光刻胶掩膜和衬底进行刻蚀，使得衬底形成预设形状的微透镜阵列，在进行干法刻蚀的过程中，调节钝化气体的比例，使得刻蚀的选择比比值逐渐减小。通过实施本发明，在衬底上形成光刻胶掩膜，并对光刻胶掩膜和衬底进行干法刻蚀得到微透镜阵列；在干法刻蚀的过程中，加入钝化气体改变干法刻蚀的选择比，同时，在干法刻蚀的过程中，通过调整钝化气体的比例，使得刻蚀的选择比逐渐减小，即采用分步刻蚀的方式，每步采用不同的选择比，最终得到具有较好准直效果的高质量微透镜阵列。
一种透镜阵列及其制备方法垂直发射激光器结构

[发明专利]一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法-CN201310743899.1有效
发明人：陆敏;田亮;张昭;杨霏 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种陡直光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括依次进行的SiC材料清洗、沉积掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤干法刻蚀掩膜层和去胶之间增加湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制陡直光滑侧壁形貌的掩膜，本发明提供的方法突破依靠同时调节干法刻蚀掩膜层工艺和干法刻蚀SiC材料工艺的狭窄工艺窗口的技术障碍，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。
一种陡直光滑侧壁形貌 sic 刻蚀方法

[发明专利]一种干法刻蚀方法-CN201710358532.6在审
发明人：邹浩;丁振宇;刘志攀;陈幸 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种干法刻蚀方法，包括提供一干法刻蚀腔体；提供一半导体基底，半导体基底由下至上依次包括器件层、铜互联层、介电层以及图案化的掩膜层；主刻蚀的步骤，以图案化的掩膜层进行干法刻蚀，以去除部分介电层；过刻蚀的步骤，继续以图案化的掩膜层，配合碳氟聚合物和过量的氧气进行干法刻蚀，以暴露铜互联层；去除掩膜层。本发明的有益效果将原有的通过一次性干法刻蚀暴露铜互联层替换为通过两次干法刻蚀暴露铜互联层，由于在过刻蚀步骤中添加了相对于主刻蚀步骤中更多的过量的氧气，而氧气能够抑制碳氟聚合物与铜进行反应，从而避免碳氟聚合物与晶元的铜发生反应导致凹坑缺陷
一种刻蚀方法

[发明专利]温度控制装置、温度控制方法及干法刻蚀机-CN201910548392.8有效
发明人：董磊磊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：一种温度控制装置、温度控制方法及使用该温度控制装置的干法刻蚀机。所述温度控制装置包括：传感单元，计算单元，设置单元，控制单元。在本发明所述的干法刻蚀机中，通过检测并收集干法刻蚀机各个部位的温度数据，多端口得出工艺温度值，可以精确反应出干法刻蚀机腔室实时实际状况，便于工程师对各制程进行优化，降低因温度导致的刻蚀停止的风险。
温度控制装置方法刻蚀

[发明专利]膜层结构的干法刻蚀方法及膜层结构-CN201910630354.7在审
发明人：胡冲;韦显旺 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种膜层结构的干法刻蚀方法及膜层结构。膜层结构的干法刻蚀方法包括：S1、提供一衬底，所述衬底上形成有需要被刻蚀的薄膜；S2、在所述需要被刻蚀的薄膜的中间部位涂覆光阻材料；S3、将所述需要被刻蚀的薄膜进行干法刻蚀，形成一个台阶；S4、将经过步骤S3干法刻蚀后的薄膜进行灰化处理，退化部分光阻。本发明提供一种干法刻蚀方法及其膜层结构，将断面倾斜度边分成多个台阶，降低每个台阶薄膜的重力受力，从而降低两段薄膜垂直方向的受力，降低成膜断层风险。
干法刻蚀膜层结构薄膜刻蚀衬底受力倾斜度光阻材料灰化处理成膜光阻两段涂覆断层退化

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