“巨介电常数”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果47554个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种宽温域介电常数的无损光学测试方法及系统-CN202211540091.9在审
发明人：杨家跃;成涛;费天皓;刘林华 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开一种宽温域介电常数的无损光学测试方法及系统，包括：获取电介质材料在不同光波段和不同温度下的椭偏参数，所述椭偏参数为对电介质材料进行椭偏测试后得到；根据椭偏参数得到介电函数，并根据介电函数提取高频介电常数、横向光学声子频率和纵向光学声子频率；根据高频介电常数、横向光学声子频率和纵向光学声子频率得到静态介电常数。实现在宽温度领域下无损且准确的测量静态介电常数。
一种宽温域介电常数无损光学测试方法系统

[发明专利]用于评估XLPE电缆绝缘老化状态的介电分析方法-CN201810580802.2有效
发明人：周利军;蒋晓娟;张屹;陈立荣;王承;陆俊;侯东雨;杨舒婷;周宏;徐伟;何磊;朱宇明;陆青;汤敏吉;沈斌 -专利权人：国网上海市电力公司;西安交通大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于评估XLPE电缆绝缘老化状态的介电分析方法，包括以下步骤：步骤1、在设定温度下测量XLPE电缆绝缘的复介电常数的频谱，获得介电常数实部ε'和介电常数虚部ε”随频率的变化曲线；步骤2、对介电常数实部ε'进行数学变化后获得含有介电常数实部ε'的数学式随频率的变化曲线；步骤3、根据步骤2的变化曲线分析XLPE电缆绝缘老化状态。
用于评估 xlpe 电缆绝缘老化状态分析方法

[发明专利]有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法-CN00132398.9无效
发明人：张鼎张;刘柏村 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2000-11-10 - 公布日： 2002-06-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法,适用于一基底,此方法的步骤如下首先在基底上形成有机硅类低介电常数材料层,再使用氧电浆处理该基底,以去除部分有机硅类低介电常数材料层中的碳元素;接着进行化学机械研磨步骤,以使经过氧电浆前处理的有机硅类低介电常数材料层平坦化,然后再使用氨气电浆处理基底,以修补受损的有机硅类低介电常数材料层。
有机硅介电常数材料化学机械研磨平坦方法

[实用新型]用于基站天线的天线罩及基站天线-CN201922177424.6有效
发明人：陈长富 -专利权人：康普技术有限责任公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于基站天线的天线罩，包括：第一电介质层，具有第一介电常数和第一厚度；位于所述第一电介质层外侧的第二电介质层，具有第二介电常数和第二厚度；以及位于所述第二电介质层外侧的第三电介质层，具有第三介电常数和第三厚度，其中，所述第一和第三介电常数中的每个大于所述第二介电常数。
用于基站天线天线罩

[实用新型]具有高介电常数介电层的栅极结构-CN200420050503.1无效
发明人：邱显光;彭宝庆;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-27 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构。该栅极结构包括一半导体基底，该基底实质上无凹进(recess)或离子造成损伤(damage)，一具有高介电常数的栅极介电层，形成于该基底表面，以及一栅极，形成于该栅极介电层表面。其中该具有高介电常数的栅极介电层是利用干蚀刻法蚀刻部分该具有高介电常数的栅极介电层，然后利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该具有高介电常数的栅极介电层而形成。
具有介电常数介电层栅极结构

[发明专利]低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法-CN201180011792.7无效
发明人：清水秀治;永野修次;大桥芳;加田武史;菅原久胜 -专利权人：大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，作为所述绝缘膜材料不使用烃，在形成的低介电常数层间绝缘膜中，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为
介电常数绝缘方法

[发明专利]一种铋掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料及制备方法-CN201810471367.X有效
发明人：刘洋;曾杰城;贺图升;赵旭光 -专利权人：韶关学院
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料，其化学组成符合通式为：Bi2x/3Cu3‑x介电常数高、温度稳定性好等优点。
一种掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法-CN201810788762.0在审
发明人：李琦;成桑;何金良;周垚;曾嵘 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高介电常数层，利用高介电常数层的高介电常数提高薄膜整体的介电常数，并且不对聚合物电容器薄膜原有的性能造成影响
高介电常数层高介电电容器聚合物电容器薄膜制备磁控溅射磁控溅射技术高介电常数薄膜表面薄膜整体复合薄膜介电常数真空射频原有的储能沉积薄膜

[发明专利]基于共面波导传输线的介电常数提取方法及终端设备-CN201711159667.6在审
发明人：王一帮;栾鹏;吴爱华;梁法国;霍烨 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供了基于共面波导传输线的介电常数提取方法及终端设备，该方法包括设计多根、冗余的传输线作为标准覆盖待测样品介电常数频率范围，并对TRL校准过程中的误差进行分析，建立求解传播常数的误差分析模型；根据有效相移规则选取公共线，并将得到的公共传输线与其它传输线组成线对以对各个线对进行多次独立测量，并根据所述误差分析模型得到多组传播常数的观测值；根据多组传播常数的观测值确定传输线的单位长度电阻、单位长度电感，并最终得出传输线的衬底介电常数上述方法及终端设备，能大大拓展介电常数的测试频率，支持宽频带介电常数的测试，提高测试效率，使测试简单化。
基于波导传输线介电常数提取方法终端设备

[发明专利]复合层叠陶瓷电子部件-CN201380009293.3有效
发明人：藤田诚司;足立大树;金子和广;足立聪;坂本祯章 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl₂O
复合层叠陶瓷电子部件

[发明专利]一种巨介电常数低损耗X8R型陶瓷电容器材料及其制备方法-CN201911354157.3有效
发明人：汪春昌;李天宇 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种巨介电常数低损耗X8R型陶瓷电容器材料，该材料的名义化学式为95mol％TiO2‑5mol％Ga2O介电常数高，损耗低，频率及热稳定性好，具有良好的产业化前景。
一种介电常数损耗 x8r 陶瓷电容器材料及其制备方法

[发明专利]一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法-CN201110127263.5无效
发明人：杨海波;林营;朱建锋;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明制备的低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的具有巨介电常数和非常低的介电损耗，1kHz时介电常数为13300～21000，介电损耗为0.14～0.32。该低介电损耗铁铌酸钡陶瓷可以在1350℃的条件下烧结。
一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷制备方法

[发明专利]一种弱损耗介质复介电常数的测量方法-CN201310097846.7在审
发明人：郑兴明;赵凯;姜涛;张世轶;孙建 -专利权人：中国科学院东北地理与农业生态研究所
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种弱损耗介质复介电常数的测量方法。土壤复介电常数是联系土壤属性与微波辐射能力的关键参数，建立土壤属性与复介电常数之间的关系需要准确地测量土壤介质的复介电常数。本发明的方法结合了传输反射法和自由空间波法，通过网络分析仪和微波窄带天线构成测量系统，利用吸波材料模拟自由空间法所需要的半无限大空间，在金属板标定的基础上，测量被测介质表面的反射系数，根据双层平面介质传输反射法原理计算土壤介质复介电常数利用本发明的方法测量模拟月壤、聚四氟乙烯和淡水三种标准介质的复介电常数，测量结果与理论模型值非常吻合。与已有方法相比，本发明的方法具有操作容易，计算简单的优点，是测量土壤介电常数的有效方法。
一种损耗介质介电常数测量方法

[发明专利]一种高介电常数微超滤膜及其制备方法-CN201510182337.3在审
发明人：王冰;盛晓颖;郑贵堃;靳治国;梁素艳;胡海霞 -专利权人：内蒙古天一环境技术有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B01D69/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数微超滤膜，其微超滤膜中包含高介电常数改性剂及膜材料，所述高介电常数改性剂与膜材料的重量百分比为：1～25％。一种高介电常数微超滤膜的制备方法，其步骤为：1)改性剂制备；2)铸膜液制备；3)成膜；4)固化。本发明的高介电常数微超滤膜及制备方法，通过高介电常数改性剂的加入可以很好的提高微超滤膜的介电常数，与本公司独特的DEP电源结合应用，可以明显的提高微超滤膜的抗污染性，在介电电泳的作用下，污染物会富集在电场周围而不会吸附在微超滤膜表面
一种介电常数超滤膜及其制备方法

[发明专利]一种基于麻花针的高速传输连接器复合基座-CN202010383364.8在审
发明人：李家伟;景小荣;张凯方;李海;胡佳伟;李进;曾闯 -专利权人：贵州贵安新区东江科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01R13/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于麻花针的高速传输连接器复合基座，包括金属外壳，所述金属外壳内固定安装有低介电常数基座，在低介电常数基座的中部嵌入有高介电常数基座，在低介电常数基座和高介电常数基座上开设有一个或一个以上贯穿的安装孔当调节插针合件中麻花针插头胖点近端圆球球心与高介电常数基座的水平垂直距离为某一范围值时，高介电常数基座的过强容性引入的负电抗值将抵消麻花针插头的胖点部分的过强感性引入的正电抗值，从而降低了胖点处的特性阻抗值
一种基于麻花高速传输连接器复合基座