“工艺薄膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1684263个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]动态调节薄膜沉积参数的系统和方法-CN202110366655.0在审
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：薄膜沉积系统在半导体晶圆上沉积薄膜。薄膜沉积系统包括基于机器学习的分析模型。该分析模型通过接收静态工艺条件和目标薄膜数据来动态选择下一个沉积工艺的工艺条件。该分析模型可识别动态工艺条件数据，该数据与静态工艺条件数据一起可生成与目标薄膜数据匹配的预测薄膜数据。然后，沉积系统将静态和动态工艺条件数据用于下一个薄膜沉积工艺。
动态调节薄膜沉积参数系统方法

[发明专利]适用于辊涂镀膜膜层工艺的薄膜透过率调整方法、系统、终端及介质-CN202111500191.4在审
发明人：刘资宇;张康;刘锐 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请提供适用于辊涂镀膜膜层工艺的薄膜透过率调整方法、系统、终端及介质，包括：基于透过谱最优化算法拟合薄膜透过率，通过所述薄膜透过率得到实际薄膜光学参数；确定所述实际薄膜光学参数与镀膜工艺参数之间的关联关系；通过调整所述镀膜工艺参数来调节来改变所述实际薄膜光学参数，进而调整所述薄膜透过率。本发明可实现将薄膜光学参数宇镀膜工艺参数相关联，通过镀膜工艺参数的调整，改变薄膜光学参数，进而自动调整薄膜透过率，整个过程实现自动化工艺调节，免去了人为调整的主观性以及调整方法错误等问题。膜系工艺的自动化调整，对镀膜线连续稳定高效生产、减少生产维护成本、调整生产节拍工艺具有重大意义，具有较高的实用价值。
适用于镀膜工艺薄膜透过调整方法系统终端介质

[发明专利]一种光学薄膜光学常数工艺相关性的实验方法-CN202111414307.2有效
发明人：刘华松;刘丹丹;冷健;尚鹏;杨霄;孙鹏;邢宇哲;顿世杰;何健;孟森;何家欢;徐颖 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本申请提供一种光学薄膜光学常数工艺相关性的实验方法，包括以下步骤：设定单层薄膜；设定所述单层薄膜的目标工艺参数A；设置所述目标工艺参数A的值A1,A2......An；以设定规则对所述目标工艺参数A进行排序；按排序后的所述目标工艺参数A的顺序依次在光学基底上制备具有对应所述目标工艺参数A的值的所述单层薄膜，每层所述单层薄膜的其它工艺参数不变，获得分层光学薄膜；获取所述分层光学薄膜的目标光谱；构建所述分层光学薄膜的物理模型，每层所述单层薄膜具有相同的光学常数模型；以所述目标光谱为目标函数，对所述物理模型的每层所述单层薄膜的光学常数进行拟合；计算获得所述单层薄膜的光学常数；获得所述光学常数和所述目标工艺参数A的相关性。
一种光学薄膜光学常数工艺相关性实验方法

[发明专利]点阵薄膜生产工艺及设备-CN202011622202.1有效
发明人：覃勇 -专利权人：东莞市图创智能制造有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明属于印刷领域，涉及一种点阵薄膜生产工艺及设备，所述点阵薄膜生产工艺报考：打印工艺，在薄膜表面打印点阵；覆膜，在打印了点阵的薄膜表面覆保护膜；膜切，将涂覆保护膜的薄膜裁切成预定尺寸；检测，检测膜切后的薄膜表面是否有缺陷，并标记有缺陷的薄膜；分离收料，分离收集标记有缺陷的薄膜和未标记的薄膜。本发明的点阵薄膜生产工艺及设备，能够快速的生产点阵薄膜，生产周期短，有效降低了制版的成本。
点阵薄膜生产工艺设备

[发明专利]缠绕工艺薄膜-CN201280072870.9无效
发明人： J.C.鲁丁;A.德拉费恩特沃尔恩布罗克;R.霍尔;S.威尔福德;A.G.伯德;S.斯普鲁斯 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： B65H18/10 文献下载
摘要：所述设备包括：中介层薄膜，其具有隔离物表面和背表面；第一隔离物，其由中介层薄膜承载在隔离物表面上邻近中介层薄膜的第一边缘处；第二隔离物，其由中介层薄膜承载在隔离物表面上邻近中介层薄膜的第二边缘处，所述隔离物限定工艺薄膜保护空间；以及能旋转的芯，其被取向成接纳中介层薄膜的初始端部并且将中介层薄膜与在工艺薄膜保护空间中的工艺薄膜卷起来，其中，工艺薄膜的钝性表面邻近中介层薄膜的表面。
缠绕工艺薄膜

[发明专利]薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备-CN201410145928.9在审
发明人：边国栋 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供的薄膜厚度的控制方法以及半导体加工设备，其包括以下步骤：S1，将完成薄膜沉积工艺的被加工工件在其后续的传输路径上暂停，并检测该被加工工件的薄膜厚度；S2，计算检测到的薄膜厚度与预设的目标厚度的差值，并根据该差值调整对下一个被加工工件进行薄膜沉积工艺的工艺配方，以使下一个被加工工件的薄膜厚度达到预设的目标厚度。本发明提供的薄膜厚度的控制方法，其可以在线检测薄膜厚度，从而不仅可以在薄膜厚度未达到工艺要求时及时地调整工艺配方，以使各个被加工工件的薄膜厚度均能够满足工艺要求，而且还可以降低人力和使用成本、提高设备的使用效率
薄膜厚度控制方法以及半导体加工设备

[发明专利]一种PE复合PE单一材料易撕包装袋及其PE膜配方工艺-CN201911131840.0在审
发明人：霍艳苓;侍建阔;王玉成;李梅 -专利权人：山东亚新塑料包装有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：发明公开了一种PE复合PE单一材料易撕包装袋及其PE膜配方工艺，其包括PE印刷层、PE薄膜层，PE薄膜层一侧设置有PE印刷层且与PE薄膜层复合在一起，PE薄膜层包括薄膜外层、薄膜中层、薄膜内层，薄膜内层的一侧设置有薄膜中层，薄膜内层与薄膜中层通过三层共挤工艺熔融在一起，薄膜中层的一侧设置有薄膜外层，薄膜中层与薄膜外层通过三层共挤工艺熔融在一起，本发明实现了单一包装材料，单向易撕，可在避免复杂工艺的情况下回收再利用的功能。
一种 pe 复合单一材料易撕包装袋及其配方工艺

[发明专利]一种提高ITO薄膜晶体管本征电学性能的方法-CN202211440766.2在审
发明人：高庆国;曹天凡;区港彬;陈思敏;黄婉莹;于淼;潘新建;刘黎明;张崇富 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高ITO薄膜晶体管本征电学性能的方法，该方法在室温、高度真空环境下，使用磁控溅射仪以射频磁控溅射的方式溅射N型ITO薄膜，后用导电金属加热蒸发以形成ITO薄膜晶体管的源漏电极，ITO薄膜经过第一预退火工艺处理、ITO薄膜晶体管经过第一后退火工艺处理或者ITO薄膜晶体管经过两步退火工艺处理，两步退火工艺包括对ITO薄膜采用的第二预退火工艺和对ITO薄膜晶体管采用的第二后退火工艺，与现有技术相比，第一预退火工艺可大幅度提升迁移率，第一后退火工艺可得到较小亚阈值摆幅以及较大开关比，两步退火工艺可以提升ITO薄膜晶体管的迁移率，并且兼顾其他本征电学性能，工艺简单易操作，并进一步提升ITO TFT的性能和稳定性。
一种提高 ito 薄膜晶体管电学性能方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管阵列基板的制备方法-CN201710587277.2在审
发明人：董磊磊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，其包括应用半导体沉积工艺制备形成第一非晶硅薄膜；应用准分子激光退火工艺使所述第一非晶硅薄膜晶化形成多晶硅薄膜；应用半导体沉积工艺在所述多晶硅薄膜的第一表面上制备形成第二非晶硅薄膜；应用干法刻蚀工艺，从所述第二非晶硅薄膜朝向所述多晶硅薄膜的方向，刻蚀直至完全去除所述第二非晶硅薄膜。本发明还公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其包括制备有源层的步骤根据前述的多晶硅薄膜的制备方法制备形成一层多晶硅薄膜；应用光刻工艺将所述多晶硅薄膜刻蚀形成图案化的有源层。
多晶薄膜制备方法薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种电极材料及其用途-CN201010249451.0无效
发明人：蒋亚东;王涛;顾德恩;袁凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极材料，是采用金属钒薄膜作为与氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜接触的引出电极，并将该种材料用作基于氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的探测器、传感器、光开关等器件的电极材料。金属钒薄膜的热导率仅为NiCr的三分之一，这有利于降低像素单元支撑结构的热导；其次，以金属钒为源材料的钒薄膜制备工艺比以NiCr合金为源的NiCr薄膜制备工艺更容易控制，也避免了NiCr合金靶的成分选择问题；第三，以金属钒薄膜为氧化钒或者掺杂氧化钒薄膜的引出电极，很容易获得优异的金半接触，这有助于获得低噪声器件。此外，金属钒薄膜的制备工艺和图形化工艺具有与IC制造工艺和MEMS制造工艺优良的工艺兼容性。
一种电极材料及其用途

[发明专利]一种制备薄膜的方法-CN201710269837.X有效
发明人：宋斌斌;郭凯;于涛;张传升;左宁;李新连;赵树利 -专利权人：国家能源投资集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究院
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系的确定方法，用于解决现有技术中不能定量地确定各层薄膜的致密度等性质的问题，包括：在多个预定制备工艺参数下分别制备薄膜；确定所述多个预定制备工艺参数下制备的各薄膜的光学参数，得到所述薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系，以便根据所述对应关系制备满足制备需求的薄膜。本申请还公开了一种制备薄膜的方法。
一种制备薄膜方法

[发明专利]一种阻燃型塑料薄膜的生产工艺-CN201510595847.3在审
发明人：吕绪林 -专利权人：安徽义林塑业有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明涉及塑料膜的生产领域，具体来说是一种阻燃塑料薄膜的生产工艺。本发明涉及的塑料橡胶的生产工艺，具体来说是一种阻燃塑料薄膜的生产工艺，所述生产工艺步骤为：（1）原料的混合制备（2）原料投放，（3）吹塑牵引，（4）风环冷却，（5）薄膜的卷取。该工艺简洁合理、可实现自动化生产线、效率高，该工艺生产的塑料薄膜外观良好无褶皱、透明度高、厚度均匀、薄膜的纵向和横向拉伸强度高等优点，同时生产的薄膜具有一定的阻燃性，使得薄膜的功能更加强大。
一种阻燃塑料薄膜生产工艺

[发明专利]用于半导体器件的绝缘膜沉积方法-CN200710005505.7无效
发明人：金容根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜沉积方法，该方法包括：将工艺气体注入到工艺室中以沉积薄膜，并在注入工艺气体的同时在工艺室的内部形成等离子体气氛，以在半导体基底上沉积薄膜。通过工艺气体和等离子体之间的反应来形成薄膜。
用于半导体器件绝缘沉积方法

[发明专利]一种含钽薄膜的刻蚀工艺-CN201410008765.X在审
发明人：张挺;邱鹏;杨鹤俊;王宇翔 -专利权人：上海矽睿科技有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种含钽薄膜的刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括：步骤S1、在含钽薄膜上沉积一层或者多层的隔离材料；步骤S2、采用光刻工艺，刻蚀隔离材料及含钽薄膜。所述步骤S2具体包括：步骤S21、沉积光刻胶后进行曝光、显影工艺；步骤S22、采用刻蚀工艺先刻蚀上述的隔离材料；步骤S23、采用与步骤S22中的刻蚀工艺相同或者不同的工艺参数刻蚀含钽薄膜，而后去除光刻胶；或者，在刻蚀隔离材料后先去除光刻胶，随后以隔离材料作为硬掩膜，再次刻蚀去除含钽薄膜。本发明提出的含钽薄膜的刻蚀工艺，可以保证刻蚀后此薄膜表面洁净，保障后续工艺的顺利和性能（如接触）的可靠。同时，本发明工艺稳定可靠且成本低。
一种薄膜刻蚀工艺

[发明专利]太阳能电池的电极制作方法-CN200910089818.4无效
发明人：吴桂龙 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的电极制作方法，包括：在基底上沉积本征氧化锌薄膜；对所述本征氧化锌薄膜进行掺杂，以形成掺杂氧化锌薄膜。所述掺杂采用离子注入工艺或者扩散工艺。所述离子注入工艺包括：向本征氧化锌薄膜内注入掺杂物，然后对注入后的薄膜进行热处理。所述基底为玻璃基板，则所述掺杂氧化锌薄膜为前电极。采用所述太阳能电池的电极制作方法，将本征氧化锌薄膜沉积工艺和掺杂工艺分为两个步骤，先沉积薄膜而后才进行掺杂，这样一来，薄膜的掺杂浓度或掺杂元素种类就并不依赖于靶材，方便的在更宽的范围内调整掺杂浓度和掺杂元素种类，从而改善掺杂氧化锌薄膜制作工艺的可调性、增大工艺窗口。
太阳能电池电极制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条