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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]掩膜-CN201710556840.X有效
发明人：江南辉;陈瑞祥;赖俊志;邓博文;陈信宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种掩膜，包含第一岛状物以及第二岛状物。第二岛状物连接第一岛状物。第二岛状物与第一岛状物在行列方向上都交错排列。每两个邻近的第一岛状物与对应的两个第二岛状物之间夹有通孔。第一岛状物的顶面面积大于第二岛状物的顶面面积。
掩膜

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810186827.0有效
发明人：萧富元;温佑良 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：利用一第一半调式光掩膜在多晶硅层上形成一第一图案化光阻层；以第一图案化光阻层为掩膜移除部分多晶硅层，以形成多个第一多晶硅岛状物、多个第二多晶硅岛状物与多个第三多晶硅岛状物，其中第一多晶硅岛状物与第二多晶硅岛状物位于周边区上，且第三多晶硅岛状物位于数组区上；移除第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物上方的第一图案化光阻层；进行一沟道掺杂工艺，以于第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物内注入离子；移除第一图案化光阻层。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]电子装置-CN201410087853.3在审
发明人：黄昶渊;金学柱;文熙哲;崔钟哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：所述电子装置包括包含一部分的外壳，所述一部分包括：基体，包括非导电材料；以及多个岛状物，形成在基体上或上方，其中，所述多个岛状物包括金属材料，其中，所述多个岛状物彼此分隔开，并且其中，所述多个岛状物形成二维所述方法包括将基体进行注射成型以及在基体上或上方形成多个岛状物，其中，所述多个岛状物包括金属材料，并且其中，所述多个岛状物彼此分隔开以形成2D图案。
电子装置

[发明专利]具有密集通孔阵列的接合焊盘结构-CN201210395013.4有效
发明人：蔡宗翰;郑宗期;张岳青;简荣亮;黄宏达;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种接合焊盘结构包括衬底和在第一介电层中形成并且设置在衬底上方的第一导电岛状物。具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二介电层中并且设置在第一导电岛状物上方。第二导电岛状物形成在第三介电层中并且设置在第一通孔阵列上方。接合焊盘设置在第二导电岛状物上方。第一导电岛状物、第一通孔阵列和第二导电岛状物电连接到接合焊盘。第一通孔阵列未连接到第一介电层中除第一导电岛状物外的其他导电岛状物。除第二导电岛状物外，第三介电层中的其他导电岛状物未连接到第一通孔阵列。本发明提供了具有密集通孔阵列的接合焊盘结构。
具有密集阵列接合盘结

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810186826.6有效
发明人：萧富元;温佑良 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：利用一半调式光掩膜在第一多晶硅岛状物、第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物上形成一图案化光阻层；进行一第二离子注入工艺，以于各第二多晶硅岛状物内形成一第二源极/漏极并于各第三多晶硅岛状物内形成一第三源极/漏极，其中第二源极/漏极之间即是一第二沟道区，且第三源极/漏极之间即是一第三沟道区；移除第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物上方的图案化光阻层；进行一沟道掺杂工艺，以于第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物内注入离子
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]电容器结构-CN202080041000.X在审
发明人： V·米哈廖夫;M·瓦奥莱特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：一种电容器结构包含：第一导电区的第一岛状物和所述第一导电区的第二岛状物，其具有第一导电类型；第二导电区的岛状物，其具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；电介质，其覆盖在所述第一导电区的所述第一岛状物上；导体，其覆盖在所述电介质上；以及二极管的端子，其覆盖在所述第一导电区的所述第二岛状物上且覆盖在所述第二导电区的所述岛状物上。
电容器结构

[发明专利]元件阵列基板以及显示装置-CN202010468562.4有效
发明人：柯聪盈;黄子硕 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种元件阵列基板，包括：软性基底、像素岛状物以及连接线。像素岛状物设置于软性基底上，在像素岛状物的至少一边缘设置有至少一开口。连接线经由开口而进入像素岛状物。
元件阵列以及显示装置

[发明专利]表面增强红外吸收台-CN201780085266.2有效
发明人：福斯托·德阿普佐;亚历山大·波利亚科夫;安妮塔·罗加斯 -专利权人：惠普发展公司，有限责任合伙企业
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：表面增强红外吸收台可以包括基板、从基板延伸的静态岛以及从基板延伸的可移动纳米指状物。静态岛可以具有等离子体活性岛帽以及至少一微米的与基板平行的维度。可移动纳米指状物可以与维度对齐。可移动纳米指状物可以具有可闭合到距岛帽小于或等于5nm的等离子体活性指状物帽。
表面增强红外吸收

[发明专利]显示装置-CN202111002491.X有效
发明人：黄子硕;柯聪盈 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：本发明公开一种显示装置，包含：基板、多个像素岛状物、以及多条走线。基板为可拉伸的。多个像素岛状物设置于基板上方。多条走线分别地连接多个像素岛状物中的其中两个邻近的像素岛状物，这些走线中的每个走线沿着一第一主要方向经由一转折角而沿着一第二主要方向延伸。
显示装置

[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构-CN201410415838.7在审
发明人：王俊 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该制作方法包括如下步骤：1、在基板(1)上形成栅极(2)；2、沉积栅极绝缘层(3)；3、形成岛状氧化物半导体层(4)；4、形成岛状光阻层(6)与岛状蚀刻阻挡层(5)，所述岛状蚀刻阻挡层(5)覆盖岛状氧化物半导体层(4)的中间部(41)而暴露出氧化物半岛体的两侧部(43)；5、对所述岛状氧化物半导体层(4)的两侧部(43)进行离子注入处理；6、将岛状光阻层(6)剥离；7、形成源/漏极(7)，所述源/漏极(7)与所述氧化物半导体层
氧化物半导体 tft 制作方法及其结构

[发明专利]光学膜-CN200510119160.9无效
发明人：筏井正博 -专利权人：日本板硝子株式会社
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：在金属膜32的内主表面32a上作为岛状物分散地形成多个第一岛状结构33。在基板12的内主表面12a上作为岛状物分散地形成多个第二岛状结构31。多个第一岛状结构33和多个第二岛状结构31中的至少一组由对该金属膜32的金属具有不同标准电极电位的金属氧化物和金属构成的组中选出的至少一种制成。
光学

[发明专利]用于容纳电组件的交替塑形的底板-CN201880062932.5有效
发明人： J.D.威尔克;D.W.尼斯;平野敏树;黄立独 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F1/18 文献下载
摘要：在一个实施方案中，提供一种设备，其包括底板，所述底板包括：包括至少部分挠性的材料的衬底，和形成于所述衬底中的连接器岛状物组合件。所述连接器岛状物组合件包括弹簧元件和连接器岛状物。所述弹簧元件从所述衬底的主要部分延伸，且所述连接器岛状物从所述弹簧元件延伸。所述连接器岛状物组合件由所述衬底的所述主要部分环绕，且配置成独立于所述衬底的所述主要部分发生挠曲。
用于容纳组件交替底板

[发明专利]使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法-CN201980034576.0在审
发明人： T.卡米卡瓦;S.甘德罗图拉;H.李 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在III族氮化物衬底上或上方形成生长限制掩模，以及使用该生长限制掩模在III族氮化物衬底上生长一个或多个岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物衬底具有大于0.1度的离轴取向的平面内分布；并且m平面取向的结晶表面平面的离轴取向朝向c平面为约+28度至约‑47度。岛状III族氮化物半导体层具有至少一个长边和短边，其中长边垂直于岛状III族氮化物半导体层的a轴。岛状III族氮化物半导体层不与相邻的岛状III族氮化物半导体层聚结。
使用外延横向生长制造极性器件方法

[发明专利]实现至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法-CN201210074073.6有效
发明人： R·博列特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及实现至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法。具体而言，本发明涉及半导体制造领域。更具体而言，本发明涉及一种在目标衬底上形成至少部分松弛的应变材料的岛状物的方法，所述方法包括以下步骤：a)在第一衬底(1110)的侧面上形成(S11)应变材料的岛状物(1231)；b)使所述第一衬底在包含所述应变材料的岛状物的侧面上与所述目标衬底(3170)粘合(S31)；和c)在粘合步骤后，使所述第一衬底与所述目标衬底分离，并且通过第一热处理使所述应变材料的岛状物至少部分松弛(S41)。
实现至少部分松弛应变材料岛状物方法

[发明专利]半导体元件的精细岛状图案形成方法-CN201711460589.3有效
发明人：施信益;施江林;林智清 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件的精细岛状图案形成方法，其包含：在基板上的硬遮罩层上形成第一遮罩柱；形成上缓冲遮罩层至硬遮罩层上以覆盖第一遮罩柱；对上缓冲遮罩层图案化岛状物；分离每个岛状物为次岛状物；蚀刻上缓冲遮罩层以在硬遮罩层上形成第二遮罩柱因此，本发明的半导体元件的精细岛状图案形成方法能够有效地形成线宽或直径小于微影工艺最小解析度的精细岛状图案。
半导体元件精细图案形成方法

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