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[发明专利]一种评价含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力的方法-CN202211172372.3在审
发明人：高炳军;祁勇;李岩;余雏麟;董俊华 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明为一种评价含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力的方法，通过有限元极限载荷分析确定已知局部减薄尺寸弯管的极限承载荷能力；结合壁厚定点测厚结果，采用计算流体力学与动网格法分析弯管冲蚀磨损区域与最大冲蚀减薄深度随时间的变化规律，获得实际局部减薄形貌缺陷随时间的变化规律；确定与实际局部减薄形貌缺陷极限载荷相当的当量局部减薄缺陷的区域范围与深度，据此得到实际冲蚀减薄区域范围和最大冲蚀减薄深度随时间的变化规律，从而实现含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力评价
一种评价渐进局部缺陷弯管极限承载能力方法

[发明专利]一种用于硅基光敏芯片减薄的方法-CN202111491478.5在审
发明人：杨瑞雨;罗国凌;邓杰;谢修敏;刘永;王泽源;陈剑;柯尊贵 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅基光敏芯片减薄的方法，包括：硅片背面蒸铝、光刻掩模、磷酸腐铝、局部刻蚀减薄、后续工艺以及硅片划片分离得到光敏芯片。本发明不同于传统的在芯片级对单个光敏芯片减薄的方法，而是在晶圆级对硅片采用正面保护和背面局部减薄相结合的方式，既保证了硅基光敏芯片的减薄工艺，又确保了局部减薄硅片的机械强度还可以支持后续加工工艺。该方法简化了后续芯片级减薄的工艺流程，降低了光敏芯片在工艺制造过程碎片率，提高了芯片制备的成品率，降低了工艺成本。
一种用于光敏芯片方法

[发明专利]一种二维碲烯的局部减薄方法-CN202210654988.8在审
发明人：柴扬;林梓愿 -专利权人：香港理工大学深圳研究院
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/06 文献下载
摘要：本发明公开一种二维碲烯的局部减薄方法。该二维碲烯的局部减薄方法，包括步骤：提供待减薄的二维碲烯；在所述二维碲烯的一端制备铂层；将制备有铂层的二维碲烯浸泡在水中，并采用光照射；在光照射条件下浸泡预定时间后，取出并干燥，得到局部减薄的二维碲烯。本发明利用二维碲烯在金属铂的催化下发生的光氧化反应，实现了二维碲烯的局部减薄。本发明该减薄方法，其对剩余的二维碲烯的损伤小。另外，该减薄方法控制容易，通过控制浸泡时间即可控制减薄的厚度。此外，本发明利用金属铂的催化作用，使得二维碲烯的减薄能够局限在金属电极附近，通过选择金属电极位置能够实现二维碲烯选择性的减薄。
一种二维局部方法

[发明专利]一种MEMS内腔局部减薄工艺方法及其应用-CN202111683033.7在审
发明人：王磊 -专利权人：南京芯源麦姆斯科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种MEMS内腔局部减薄工艺方法及其应用，通过在空腔的内部设置内腔局部减薄结构，该内腔局部减薄结构位于基底内部之中，使得该结构在应变膜结构制备完成后仍保持了衬底表面的平整性，易于传感器与电路集成的制造
一种 mems 局部工艺方法及其应用

[发明专利]阀体局部减薄的分析方法-CN201510346949.1有效
发明人：李锴;边春华;徐科;张维;郑会;于涛;佟占勇;张晓源;钟志民 -专利权人：国核电站运行服务技术有限公司;中核核电运行管理有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种阀体局部减薄的分析方法，其主要包括以下步骤：1）完成对待分析的阀体的局部减薄缺陷的表征；2）创建阀体CAD模型；3）根据步骤1）获取的所述椭球体的长半径、短半径以及局部减薄缺陷所对应的占椭球体的比例，在步骤2）所创建的阀体CAD模型中构建所述局部减薄缺陷，并且另存为所使用的有限元软件支持的格式的模型；4）将步骤3）构建完成的模型导入所使用的有限元分析软件中；5）根据所述待分析的阀体的材料赋予模型材料属性；6）完成有限元分析模型的建模；7）在有限元软件中对步骤6）中完成的有限元分析模型进行计算，查看后处理结果，提取后续阀体局部减薄分析评价中所需要的应力参数。本发明可获取阀体局部减薄后续评价所需的各应力参数值，达到有效的分析。
阀体局部分析方法

[实用新型]一种动力电池包箱盖结构-CN202021838713.2有效
发明人：高顺;李晶;陆广鹏;赵艳标;江龙超 -专利权人：芜湖天量电池系统有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01M50/271 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种动力电池包箱盖结构，包括箱盖主体10，所述箱盖主体10上设有用于引导定向爆破的局部减薄区域20，局部减薄区域20的厚度小于箱盖主体10的厚度，采用局部区域减薄设计的结构方式，在电池热失控时会在减薄区域定向爆破由于箱盖在局部区域进行减薄设计，此处强度为箱盖的最薄弱点。由于符合材料箱盖为电池系统结构强度的相对薄弱零件，故当电池发生热失控时，电池包会从箱盖减薄设计区域定向爆破，从而减弱热失控带来的危害。
一种动力电池包箱结构

[实用新型]一种MEMS基底及MEMS压力传感器-CN202123448244.0有效
发明人：王磊 -专利权人：南京芯源麦姆斯科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种MEMS基底及MEMS压力传感器，该MEMS基底包括内腔局部减薄结构，通过在空腔的内部设置内腔局部减薄结构，该内腔局部减薄结构位于基底内部之中，使得该结构在应变膜结构制备完成后仍保持了衬底表面的平整性
一种 mems 基底压力传感器

[发明专利]一种局部减薄模壳的方法-CN201811395290.9在审
发明人：邢仁克 -专利权人：江苏永瀚特种合金技术有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： B22C9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种局部减薄模壳的方法，属于模壳制备技术领域。其当模壳制备到一定层数后，在需要减薄的位置预先添加片蜡，在后续的沾浆淋砂循环过程中将蜡片上的浆料和砂料清除掉，进而得到局部减薄后的模壳。本发明方法高效、简便、有效，制备所得的局部减薄模壳能够防止铸件在模壳较厚区域出现疏松、裂纹以及晶粒不合格等缺陷。
模壳局部减薄制备制备技术领域循环过程晶粒厚区域减薄浆料蜡片砂料沾浆铸件疏松

[发明专利]无转移圆片的三维集成电路实现方法-CN200710179533.0有效
发明人：王喆垚;宋崇申;蔡坚;陈倩文;刘理天 -专利权人：清华大学
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄，并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔，由于只是局部减薄，衬底圆片强度得以保证，从而不需要转移圆片；另外采用自底向上的电镀方法填充高深宽比盲孔，最后键合后减薄圆片实现高深宽比的穿透衬底的三维互连本方法在局部减薄区刻蚀通孔，容易获得高密度的通孔互连；不使用转移圆片，简化了制造过程。
转移三维集成电路实现方法

[发明专利]待冲压结构、冲压方法及该方法所形成的产品-CN201610589475.8在审
发明人：曹立 -专利权人：深圳天珑无线科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B21D22/02 文献下载
摘要：待冲压结构包括主体、待减薄区以及容料空腔，所述待减薄区设置在所述主体上，所述容料空腔设置在所述待减薄区的内部。冲压方法包括下列步骤：a、将所述的待冲压结构放入模具内，b、冲压合模，使模具冲压所述待冲压结构，同时降低所述待减薄区的厚度，并将多余材料压入所述容料空腔内，c、形成具有局部减薄结构的产品。本申请所提供的带冲压结构能够通过冲压工艺直接形成具有局部减薄结构的产品，从而避免了使用金属腐蚀处理所存在的成本高、不易控制等问题。
冲压结构方法形成产品

[发明专利]一种玻璃局部减薄加工方法-CN202010281160.3在审
发明人：李涛 -专利权人：湖南洛尔赛自动化设备有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B24C3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃局部减薄加工方法，包括：在玻璃的需要保留区域即不需要减薄的区域贴保护膜，且保护膜的模切覆盖区域比玻璃的需要保留区域的边缘大；用装夹板将玻璃的需要保留区域即不需要减薄的区域遮蔽起来，装夹板位于保护膜的正上方，且装夹板比保护膜的边缘大以完全遮蔽住保护膜，保护膜被夹在玻璃和装夹板中间；通过干式喷砂机对玻璃上的装夹板未遮蔽区域进行连续均匀的喷砂切削以达到玻璃局部减薄。本发明采用流水线干式喷砂设备进行喷砂减薄，人员只需要贴膜、装夹、喷砂、取片，就可以实现玻璃局部减薄，以上人工操作也可通过自动化方式实现，效率得到最大提高，成本也得到极大节约；而且不使用HF酸，环保且不会造成环境的污染
一种玻璃局部加工方法

[发明专利]印刷电路板局部减薄铜及精密线路制作的工艺方法-CN201410794633.4在审
发明人：徐学军;曾令雨;赵南清 -专利权人：深圳市五株科技股份有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种印刷电路板局部减薄铜及精密线路制作的工艺方法。所述印刷电路板局部减薄铜及精密线路制作的工艺方法包括以下步骤：将具有孔且经过电镀后的印刷电路板不需要减铜的镀铜表面区域贴干膜；采用棕化方式对露出铜面且需要制作精密线路的位置进行减铜，至20±5um厚度范围内本发明提供的印刷电路板局部减薄铜及精密线路制作的工艺方法采用干膜隔离减铜的方法，保证孔铜电镀后厚度的同时，避免面铜太厚而导致制作精密线路蚀刻不净的问题。
印刷电路板局部减薄铜精密线路制作工艺方法

[实用新型]空调室内机及空调器-CN202020204076.7有效
发明人：邓国基;张强;汤展跃 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： F24F1/0007 文献下载
摘要：本实用新型提供一种空调室内机，包括壳体和麦克风，壳体包括面板，面板设有减薄区，减薄区设有拾音孔；麦克风安装于壳体内，且麦克风对应拾音孔设置。本实用新型还提供包括该空调室内机和空调室外机的空调器。本实用新型技术方案通过将面板的厚度进行局部减薄，以缩短麦克风对应的拾音通道的长度，从而提高麦克风对语音的灵敏度和识别效率。同时，由于仅对面板进行局部减薄，从而能够确保面板的整体强度。
空调室内空调器

[发明专利]一种带光学原位检测的石墨烯减薄装置-CN201710368001.5有效
发明人：张陈涛;张建寰;林坤;李姗文;黄元庆 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种带光学原位检测的石墨烯减薄装置，该装置设有减薄光路单元、激发光路单元、原位检测光路单元、工作台以及计算机等。减薄光路单元发出的第一激光束用于石墨烯的减薄，激发光路单元发出的第二激光束用于激发被加工区域的石墨烯产生拉曼散射。本发明装置可同时对局部不均匀的石墨烯样品进行局部厚度测量与减薄，装置根据实际测得的被加工区域的石墨烯层数，调节激光功率与减薄时间，精确控制石墨烯的减薄层数，从而得到层数均匀、可控的石墨烯薄膜。
一种光学原位检测石墨烯减薄装置

[发明专利]一种玻璃盖板局部减薄工艺-CN201610632575.4在审
发明人：邓松青;钟朝阳 -专利权人：东莞市瑞立达玻璃盖板科技股份有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明现提供一种玻璃盖板局部减薄工艺，步骤包括1）在玻璃盖板表面的凹凸槽以及其他无需蚀刻的部分涂上耐酸油墨；2）将玻璃盖板放入模具中，向模具内供给氢氟酸溶液进行蚀刻，达到蚀刻要求后将玻璃盖板放入碱液中；3）在碱液中洗净玻璃盖板上的耐酸油墨；4）将玻璃盖板放入清水中冲洗，然后风干；5）检测局部减薄的玻璃盖板厚度是否合格；6）合格后再次清洗，得到局部减薄的玻璃盖板。
一种玻璃盖板局部工艺

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