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- [发明专利]一种耗尽管及其制作方法-CN201210164447.3有效
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闻正锋
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北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
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2012-05-24
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2013-12-04
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H01L21/336
- 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种耗尽管及其制作方法，用以解决现有技术中由于在牺牲氧化层湿法剥除中会损失掉被耗尽离子注入到的场氧而造成制作出来的耗尽管用作只读存贮器时不足以起到隔离效果，有可能造成漏电而使器件工作失效的问题本发明实施例提供的耗尽管的制作方法包括：在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层后，用湿法剥除掉所述牺牲氧化层；在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后，定义耗尽层并向耗尽层注入离子。本发明实施例在牺牲氧化层湿法剥除中不会造成场氧损失，因而耗尽管用作只读存贮器时能够起到很好的隔离效果，从而避免了只读存贮器因为漏电而不能正常工作的问题，进一步提高了只读存储器的性能。
- 一种尽管及其制作方法
- [发明专利]一种轨到轨输入固定跨导放大器-CN201510313434.1有效
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刘扬;邹鹏
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思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司
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2015-06-10
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2018-04-27
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H03F1/30
- 本发明揭示了一种轨到轨输入固定跨导放大器，由输入差分电路、电流放大器、镜像晶体管Nsc和共模电平判决跨导放大器相接构成，其中输入差分电路由NMOS管NSA、NSB和耗尽管NVA、NVB组成，且两组差分对的跨导匹配，NMOS管NSA和耗尽管NVA共栅连接Vin‑电位点，镜像晶体管Nsc为由NMOS管NSA、NSB镜像生成，共模电平判决跨导放大器接入并判断Vin‑电平与镜像晶体管NSC的栅端压高低，若Vin‑电平大于栅端压，电流经电流放大器向NMOS管NSA、NSB供电；若Vin‑电平小于或等于栅端压，电流经电流放大器向耗尽管NVA和NVB供电。本发明的有益效果采用NMOS管和耗尽管组成的差分对实现轨到轨输入跨导放大器，能在低电源电压下稳定工作，更适合低功耗需要，轨到轨共模电平范围内消耗的电流恒定，耗能低。
- 一种轨到轨输入固定放大器
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