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[发明专利]半导序体-CN201110001406.8无效
发明人：刘智和 -专利权人：刘文祥
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明任务是开发各种簇体技术及其器件，如：单序体生长的基本技术、半导序体外延生成技术、半导序体分子束外延技术、序体二极管、双极序体管、场效应序体管、序体振荡器和变频器等。利用半导序体替代现有的半导体，可以制作高性能、小型化、集成化的半导序体器件。其中光电子信息半导序体是整个光电子技术的基础和先导。它包括光源和信息获取材料、信息传输材料、信息存储材料、信息处理等材料。半导序体管的属性由其单序体的序格结构决定。序体某方向的纳格与运动电子的漂长相当或更小，则构点周期性的边界条件不被改变，必然导致它的光电转换和其他的各种性能发生根本性变化。
半导序体

[发明专利]半导序体-CN201180054666.X在审
发明人：刘智和;刘文祥 -专利权人：刘文祥;刘智和
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导序体技术。根据半导序体理论基础《漂学》和《簇学》，揭示漂的物质形态和漂动的物理意义；定义和阐明半导序体技术。利用半导序体替代现有半导体来制作半导序体器件。
半导序体

[发明专利]一种高反射低欧姆接触电极的制备方法-CN202110575377.X在审
发明人：吴小明;胡志敏;陈芳;莫春兰;王立 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。
一种反射欧姆接触电极制备方法

[发明专利]半导体结构-CN201811083332.5在审
发明人：杨哲维;林浩雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;林浩雄
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本揭示叙述半导体装置例如晶体管，其包括位于基板上方、作为通道区的薄的半导金属层。此薄的半导金属层具有能隙开口并表现出半导体性质。所述的半导体装置包括源极/漏极区，此源极/漏极区包括较厚的半导金属层，位于作为通道区的薄的半导金属层上方。此较厚的半导金属层表现出金属性质。用于源极/漏极区的半导金属包括相同于或相似于通道区的半导金属的半导金属材料。
金属层源极/漏极区通道区半导体装置金属半导体结构半导体性质金属材料金属性质晶体管基板能隙开口表现

[发明专利]聚合物分散型液晶膜的驱动方法-CN201410021698.5在审
发明人：李裕宽;宋芳苹;赵勤 -专利权人：北京众智同辉科技股份有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚合物分散型液晶膜的驱动方法，有一个驱动电源与聚合物分散型液晶膜的两个输入电极电连接；当交变电压正半周开始时，令晶体管T1导通、令晶体管T4导通；交变电压正半周结束前的0.25－10毫秒时刻，令晶体管T1截止、令晶体管T2导通；令聚合物分散型液晶膜放电0.25－10毫秒；当交变电压负半周开始时，令晶体管T4截止、令晶体管T3导通；交变电压负半周结束前的0.25－10毫秒时刻，令晶体管T4导通本发明的节电效果高达30％－50％，并且能保持聚合物分散型液晶膜的透过率基本不变。
聚合物分散液晶驱动方法

[实用新型]半刚穿刺型微波消融天线及传输线结构-CN202121414473.8有效
发明人：杨兴瑞;杨博芃 -专利权人：百德（苏州）医疗有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： A61B18/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半刚穿刺型微波消融天线及传输线结构，微波消融天线包括半刚同轴电缆、贴合在半刚同轴电缆上的进液管和出液管，包裹在进液管和出液管外侧的多腔护套管，安装在半刚同轴电缆上的微波传输结构和天线场源结构；微波传输结构包括堵液环和外导套座，天线场源结构包括外导套、介质管、内导体极芯和辐射头；在组装时，预先将进液管、出液管和多腔护套管组装在半刚同轴电缆上后，按照设定方向组装其他部件即可。整个结构均是沿同一方向进行组装，提高了组装的便利性；同时，增加了两个测试节点，能够提高产品的生产良率，增加了设计的自由度。
穿刺微波消融天线传输线结构

[实用新型]一种半封闭数码印花机-CN201721634327.X有效
发明人：孙松飞;张敏 -专利权人：嵊州市惠冠数码印花科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： B41F17/00 文献下载
摘要：一种半封闭数码印花机，属于数码印花机技术领域。本实用新型通过设有印花台、印花台底座、半封闭盖和废气处理箱，所述印花台上设有导布滚筒、平布滚筒、滚筒支座和激光扫描仪，所述印花台的上方设有喷墨装置和半封闭盖，所述印花台的下方设有蒸汽箱和电脑控制器，所述平布滚筒上设有多个蒸汽口，所述导布滚筒上设有电热丝，在运行过程中，激光扫描仪可以扫描出带有瑕疵或异物的印花布料，平布滚筒上的蒸汽口散发出蒸汽可以将印花布料整平，导布滚筒上的电热丝可以烘干印花布料，最后由废弃处理箱将半封闭盖中的废气处理，处理后的废气不会对环境造成污染，以上实用新型提高了生产效率、成品率和数码印花机的多用途性。
半封闭数码印花机印花台导布滚筒印花布料滚筒平布激光扫描仪电热丝蒸汽口本实用新型电脑控制器废气处理箱废气处理废弃处理滚筒支座喷墨装置生产效率运行过程成品率蒸汽箱异物烘干底座整平瑕疵蒸汽废气扫描散发污染

[实用新型]永磁吊具的旋转控制吸、卸装置-CN93227654.7无效
发明人：张国发 -专利权人：张国发
申请日： 1993-03-23 - 公布日： 1995-04-26 - 主分类号： B66C1/04 文献下载
摘要：它是用两种不同材料构成的长辊在永磁体两极间旋转完成吸或卸的，辊的一半是导磁的，另一半是不导磁的，在电动机驱动下，在永磁体两极间的弧形槽中旋转。半圆对永磁体两极形成磁短路，即为卸重，另半圆不导磁材料对永磁体形成磁开路，即为吸持，本装置结构简单，操作方便，故障率低，省电易制，技术公知，易于实施。
永磁旋转控制卸装

[实用新型]外跨式除尘拦焦机-CN94244577.5无效
发明人：胡宝泉;陈丽娟;郭建明;张坚;成纪民;王荣庆;齐景芝 -专利权人：首钢总公司
申请日： 1994-11-25 - 公布日： 1995-10-25 - 主分类号： C10B33/08 文献下载
摘要：本实用新型是一种外跨式除尘拦焦机，本实用新型由主车、导焦车、除尘罩车系统三部分构成，该机采用了在熄焦车外侧添置第三条轨道来支承除尘罩车系统，除尘罩车系统半龙门钢结构搭接在导焦车顶部，用销轴联接，形成稳定的半龙门跨式刚性结构，采用了密闭式导焦栅，各种辅助密封机构和装置，总捕尘率90％以上，有效控制了炼焦大气污染。
外跨式除尘拦焦机

[发明专利]一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法-CN201910083296.0在审
发明人：陶绪堂;穆文祥;贾志泰 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法。晶体生长方法可以为光浮区法、提拉法、导模法等常用晶体生长方法。与现有技术相比，本发明获得氧化镓晶体具有高的电阻率，可用作半绝缘衬底，用于场效应晶体管、高迁移率晶体管等器件。
半绝缘氧化镓晶体生长制备高迁移率晶体管场效应晶体管导模法电阻率浮区法提拉法衬底可用

[发明专利]用于低速大扭力外转子电机的外转子-CN202010986852.8在审
发明人：温群峰 -专利权人：苏州盛亿电机有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于低速大扭力外转子电机的外转子，包括外壳、导磁架和磁钢，其特征在于外壳包括端盖和成型于端盖一面上的定位圈，导磁架位于定位圈内周，该导磁架由若干单独的导磁块沿圆周排布组成，还包括用于将导磁架压于端盖上的压板，该压板采用若干轴向紧固件固定至端盖上；并且每个导磁块的左右两侧均设有磁钢半卡槽，圆周上相邻两个导磁块上相对的两个磁钢半卡槽共同拼成磁钢卡槽以径向嵌装磁钢；同时导磁块的前端与压板，及导磁块的后端与端盖之间均设有键槽配合结构以支撑定位导磁块这种外转子的凸极率更高，生产制造更方便，能降低成本，且对磁钢的定位稳定性也更好。
用于低速扭力外转电机

[实用新型]用于低速大扭力外转子电机的外转子-CN202022064601.2有效
发明人：温群峰 -专利权人：苏州盛亿电机有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于低速大扭力外转子电机的外转子，包括外壳、导磁架和磁钢，其特征在于外壳包括端盖和成型于端盖一面上的定位圈，导磁架位于定位圈内周，该导磁架由若干单独的导磁块沿圆周排布组成，还包括用于将导磁架压于端盖上的压板，该压板采用若干轴向紧固件固定至端盖上；并且每个导磁块的左右两侧均设有磁钢半卡槽，圆周上相邻两个导磁块上相对的两个磁钢半卡槽共同拼成磁钢卡槽以径向嵌装磁钢；同时导磁块的前端与压板，及导磁块的后端与端盖之间均设有键槽配合结构以支撑定位导磁块这种外转子的凸极率更高，生产制造更方便，能降低成本，且对磁钢的定位稳定性也更好。
用于低速扭力外转电机

[发明专利]导光体及影像显示装置-CN202180087318.6在审
发明人：小野胜彦;高桥裕树;冈田卓也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：导光体具备：基体，具有第1反射面和第2反射面，使入射的影像光被第1反射面和第2反射面全反射的同时进行传播；及多个半反射镜，具有第1面和第1面的背面的第2面，并且包含电介质多层膜而构成，多个半反射镜在基体内相对于第1反射面及第2反射面倾斜并彼此隔开配置，基体及多个半反射镜构成为入射到基体的影像光分别1次以上入射多个半反射镜中的至少1个半反射镜的第1面及第2面，在将基体的折射率设为n的情况下，电介质多层膜的第1面侧及第2面侧的2个最外层的折射率为0.90n～1.15n。
导光体影像显示装置

[发明专利]一种新能源变压器浇注体及其制备方法-CN202210450058.0在审
发明人：张易宁;陈素晶;张孝金;蒋硕文 -专利权人：江苏华辰变压器股份有限公司;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01F27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种新能源变压器浇注体及其制备方法，按质量份计，包括以下原料：环氧树脂45‑55份，硅粉90‑110份，半导态石墨烯复合材料或部分氧化的石墨烯0.02‑0.2份、固化剂45‑55份；所述半导态石墨烯复合材料或部分氧化的石墨烯的电导率为0.01～1S/cm，半导态石墨烯复合材料或部分氧化的石墨烯的氧/碳质量比为1:5～1:10。本发明通过半导态石墨烯复合材料或部分氧化的石墨烯调控干式变压器浇注体的导热性和绝缘性，既能提高导热性能，降低其能耗，又能保持其绝缘性和耐压性；可以提高新能源变压器的导热性，降低温升，延长变压器的可靠性及使用寿命
一种新能源变压器浇注及其制备方法

[实用新型]一种纺纱机的送纱导向机构-CN202320058777.8有效
发明人：许铁荣 -专利权人：浙江老铁纺织科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： D01H13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种纺纱机的送纱导向机构，涉及纺纱设备技术领域，其技术方案要点是：包括导纱轮以及用于旋转支撑导纱轮的支撑轴，所述导纱轮包括半轮一和半轮二，所述半轮一和半轮二均呈盘状结构，半轮一和半轮二之间形成用于容置纱线的导纱槽，所述导纱槽呈环形结构；所述半轮一和半轮二之间的导纱槽的宽度可调节。本实用新型具有良好的适应性，可根据纱线的粗细进行调节，进而提高了导纱设备的适用性，确保纱线具有合适的导纱槽的宽度，避免纱线产生过紧或过松的情况。
一种纺纱机导向机构