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[发明专利]一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET-CN202110374985.4有效
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）可以将密勒电容上的充放电电流通过单片集成的BJT（双极型晶体管）泄放到源极且只产生少量的栅源压降，这有效的降低了由于密勒电容充放电而造成的功率
一种具有密勒钳位功能功率 mosfet

[发明专利]一种带有密勒钳位功能的多电平功率器件栅极驱动器-CN202310273395.1有效
发明人：李志坚;陈康平;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有密勒钳位功能的多电平功率器件栅极驱动器，针对现有技术中功率管栅极串扰等问题提出本方案。主要包括多电平驱动产生模块以及在输入逻辑电路与功率管栅极之间设有并行的上拉驱动链路、下拉驱动链路和有源密勒钳位链路；所述多电平产生模块在功率管关断时生成功率管源极控制电平，所述有源密勒钳位链路在输入逻辑电路输出的控制信号为低时，在一定延时后开启以释放密勒电流至地。
一种带有密勒钳位功能电平功率器件栅极驱动器

[发明专利]一种具有限流和钳位功能的误差放大器-CN201810440781.4有效
发明人：周泽坤;孙汉萍;李颂;张家豪;石跃;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：一种具有限流和钳位功能的误差放大器，属于模拟集成电路设计领域。包括第一级差分放大单元、第二级跨导增强放大单元、偏置电流单元、上限钳位和限流结构、密勒补偿电容和补偿电阻，上限钳位和限流结构中的第七PMOS管是副用管，当误差放大器的正相输入端比反相输入端高的时候，第七PMOS管源漏互换，和第二级跨导增强放大单元一起形成了箝位电路；当误差放大器的正相输入端比反相输入端低的时候，第七PMOS管实现对第二级跨导增强放大单元输出级电压的上限钳位，限制了误差放大器输出端灌电流的能力；同时通过密勒补偿电容和补偿电阻分离主极点和次极点，以保证足够的相位裕度。本发明提出的误差放大器具有限流和钳位功能，能够提高系统的响应速度。
一种具有限流功能误差放大器

[实用新型]改进型密勒码编码电路-CN200920073935.7有效
发明人：陈亮 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H03M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进型密勒码编码电路，包括：位时钟发生器，通过系统时钟和通讯速率选择信号产生指定通讯速率的位时钟信号；曼彻斯特编码器，将单极性不归零码码流转换生成临时的曼彻斯特码流；调制脉冲宽度参数转换电路，根据通讯速率的选择产生合适的调制脉冲宽度控制参数；调制脉冲宽度控制计数器电路，产生控制改进型密勒码的调制脉冲宽度的计数器；改进型密勒码编码器，编码产生可配置调制脉冲宽度的改进型密勒码。本实用新型可以涉及多种通讯速率模式的选择配置，能够自由配置调制脉冲宽度，支持输入源为曼彻斯特码的改进型密勒码编码通道。本实用新型产生的改进型密勒码兼容ISO/IEC 14443 TypeA类型接口标准。
改进型密勒码编码电路

[发明专利]一种实现栅极可控性增强的新型IGBT结构-CN202211471798.9在审
发明人：伍伟;喻明康;高崇兵 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现栅极可控性增强的新型IGBT结构，该结构在具有浮空P区的常规沟槽栅IGBT结构的基础上，在浮空P区上方添加钳位二极管，首先将浮空P区上方的场氧开槽，离子注入形成二极管的P+端，然后在开槽处沉积N+掺杂的多晶硅组成钳位二极管，最后将N+多晶硅连接器件发射极。钳位二极管在器件开启阶段通过将浮空P区钳位至低电位，从而降低了密勒电容并抑制从浮空P区流向栅极的反向栅极充电电流，进而使栅极电阻对器件集电极‑发射极电压有更好的可控性。同时，在器件关断阶段，由于钳位二极管形成额外的空穴提取路径，基区空穴的提取速率得到了提升，从而提高关断时间，减小拖尾电流，降低关断损耗。
一种实现栅极可控性增强新型 igbt 结构

[发明专利]一种抑制桥臂串扰的逆变器及方法-CN202010679306.X在审
发明人：刘云 -专利权人：威马智慧出行科技（上海）有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：该逆变器包括：桥式逆变电路，包括上桥臂MOSFET和下桥臂MOSFET，每相桥臂的上桥臂MOSFET和下桥臂MOSFET择一导通；钳位开关管，设于各桥臂MOSFET的栅极和源极之间，适于导通以消除对应桥臂MOSFET的栅源电压；以及处理器，通信连接各桥臂MOSFET及各钳位开关管，并配置为：监测各桥臂MOSFET的开关状态；以及响应于任一桥臂MOSFET的导通，开通该相桥臂的另一桥臂MOSFET对应的钳位开关管以保持另一桥臂本发明能够消除MOSFET的栅极密勒效应，以克服由桥臂串扰引发的桥臂误动作的问题。
一种抑制桥臂串扰逆变器方法

[发明专利]一种密勒电阻补偿电路-CN201410421307.9有效
发明人：李亚 -专利权人：长沙瑞达星微电子有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：密勒效应在集成电路设计中得到广泛的应用，密勒效应可以有效的改变结点的等效阻抗，本发明公开了一种利用电阻的密勒效益，分离反馈电阻串的一对零极点，实现零点补偿的方法；本发明的电路由主电路和密勒电阻补偿电路构成，而密勒电阻补偿电路由反馈电阻串、运放、密勒电阻、补偿电容组成。
一种电阻补偿电路

[发明专利]一种密勒补偿结构的运算放大器-CN201310439460.X在审
发明人：樊晓华 -专利权人：南京中科微电子有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种密勒补偿结构的运算放大器，包括：第一级放大器、电平位移电路、第二级放大器以及密勒补偿电路，其中，所述密勒补偿电路为RC低阻节点密勒补偿电路。在第一级运算放大器采用具有低阻节点RC密勒补偿技术，将第一级差分小信号输出的电压变化处理至低阻点，并在该点做密勒补偿，与传统两级运算放大器的密勒补偿结构相比较，具有更大的运算放大器单位增益带宽。
一种补偿结构运算放大器

[发明专利]一种低功耗的自偏置二阶补偿带隙基准电路-CN202311018573.2在审
发明人：李彦铭;请求不公布姓名;请求不公布姓名 -专利权人：无锡盛景微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种低功耗的自偏置二阶补偿带隙基准电路，其可实现电路的精简与低功耗需求；包括：基准电压输出模块，用于提供直流偏置，输出基准电压；输出补偿模块，与所述基准电压输出模块连接，用于实现输出基准电压的二阶补偿；两级运放模块，具有密勒补偿，与所述基准电压输出模块连接，用于实现正温度系数电压的钳位及环路补偿；启动模块，与所述两级运放模块连接，用于保证所述带隙基准电路启动正常。
一种功耗偏置补偿基准电路

[发明专利]一种用于运算放大器的密勒补偿电路及运算放大器-CN201710394927.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长沙方星腾电子科技有限公司
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于运算放大器的密勒补偿电路及运算放大器，属于半导体集成电路技术领域。该密勒补偿电路包括第一电容C1、第二电容C2和第一电阻R1；第二电容C2、第一电阻R1、第一电容C1依次串联构成弥勒补偿电路。本发明还提供了一种包括弥勒补偿电路的运算放大器，本发明带密勒补偿电路的运算放大器在传统密勒补偿电路的基础上，增加了第二电容C2接于运算放大器第一级的输出端。与传统的密勒补偿电路相比，本发明的密勒补偿电路在增加运算放大器稳定性的同时，并不会减小其带宽，大大提高了运算放大器的性能。
一种用于运算放大器补偿电路

[发明专利]带隙基准电压产生电路、集成电路及电子设备-CN202111256491.2有效
发明人：韩书光;范明浩 -专利权人：北京士模微电子有限责任公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开涉及一种带隙基准电压产生电路、集成电路及电子设备，所述电路包括：电压产生单元，用于产生正温度系数电压及负温度系数电压，根据所述正温度系数电压及负温度系数电压产生带隙基准电压；放大器，用于对所述带隙基准电路进行电压钳位本公开实施例通过设置放大器的失调电压与温度成正比，大大降低了电路复杂度，由于不再需要很大的密勒补偿电容，进一步降低了电路复杂度，并且避免了chopping噪声，提高了基准电压的精度。
基准电压产生电路集成电路电子设备

[发明专利]自适应密勒补偿型电压调节器-CN200910151456.7有效
发明人：郜小茹;彭韶华 -专利权人：意法半导体研发(上海)有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：一种线性电压调节器包括具有可移动零点的密勒频率补偿，该自适应密勒补偿在负载条件改变时跟踪负载极点的频率。补偿型电压调节器在可变负载条件之下维持稳定。由于密勒效应，所以没有为了稳定而牺牲直流开路增益和带宽。补偿型电压调节器因此可以维持高的电源抑制比(PSRR)。
自适应补偿电压调节器

[实用新型]动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器及电子设备-CN201720385407.X有效
发明人：宋登明;聂海 -专利权人：成都信息工程大学;成都市海芯微纳电子科技有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器，包括带隙基准电源、误差放大器、缓冲器以及功率调整管，所述动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器还包括动态密勒补偿电路；所述动态密勒补偿电路包括电阻本实用新型功耗低，效率高，由于动态密勒补偿电路采用PMOS作线性电阻连接的设计，使得电路具有非常恒定的带宽，大大提高了系统瞬态响应的能力，并且提高了稳压器环路的稳定性。
动态补偿 cmos 低压线性稳压器电子设备

[发明专利]一种具有体二极管的新型IGBT结构-CN202211672169.2在审
发明人：伍伟;喻明康;高崇兵 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在开启瞬态，新器件通过体二极管将P型浮空区钳位至低电位，以此抑制位移电流、降低密勒电容，从而提高栅极电阻对器件集电极‑发射极电压的可控性，减小EMI噪声。
一种具有二极管新型 igbt 结构

[发明专利]一种低密勒电容的VDMOS器件-CN202111682678.9在审
发明人：高巍;李曦;周春颖;任敏;叶钰麒;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而使得栅漏的交叠面积大大减小，实现了对密勒电容的有效降低因此，本发明结构在保证VDMOS原有的基本电学性能的基础上，有效地降低了密勒电容，减小了器件的开关损耗。
一种低密勒电容 vdmos 器件

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