本发明公开了一种针对MEMS惯性器件半导体的封装方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:S1:采用COL(Chip on Lead)的引线框架;S2:将大面积金属裸露焊盘通过化学刻蚀或机械冲压方式加工成梳齿状结构;S3:针对MEMS惯性器件特性,进行材料筛选;S4:实验设计(DOE)优化选择针对MEMS惯性器件方形扁平无引脚封装(QFN)的封装材料。通过改进方形扁平无引脚封装(QFN)所用到的引线框架,解决大面积金属裸露焊盘的热膨胀系数大,导热系数大,弹性模量高等问题,进而避免了机械应力,热应力对MEMS惯性器件工作状态的影响。