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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种植物染料提取设备-CN202010006712.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：玉环市粢醍化妆品有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C09B61/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种植物染料提取设备，包括主机体，所述主机体内设有绞碎腔，所述绞碎腔右侧设有传动一腔，所述绞碎腔上侧设有带传动腔，所述传动腔一上侧设有带传动二腔，所述带传动腔与所述带传动二腔相互连通，所述传动一腔下侧设有碾压腔，所述碾压腔下侧设有浸泡腔，所述浸泡腔左侧设有传动二腔，所述传动二腔下侧设有挤压腔；本发明可以将植物原料绞碎，碾压，浸泡，制成粉末状染料，再将染料装盒，减少劳动力，提高工作效率，充分提取植物内的染料，可以在各大小染料厂中进行推广
一种植物染料提取设备

[实用新型]一种转向器输入轴双密封圈结构-CN201820205491.7有效
发明人：张伟 -专利权人：天合汽车零部件（上海）有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： F16J15/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种转向器输入轴双密封圈结构，端盖壳体的一端与主壳体密封配合，另一端依次设置外侧腔，连通腔和内侧腔，外侧腔和内侧腔通过连通腔连通，外侧腔，内侧腔和连通腔的内径依次减小，外侧腔朝向端盖壳体的外侧开口；输入轴伸入到外侧腔，连通腔和内侧腔中，连通腔和内侧腔的接触处设置第一密封圈，外侧腔的内壁处设置第二密封圈，第二密封圈的底部接触连通腔的外壁。
连通腔外侧腔内侧腔密封圈双密封圈结构转向器输入轴本实用新型端盖壳体恶劣环境防尘防水密封配合外侧开口依次减小依次设置有效密封接触处输入轴主壳体内壁伸入外壁连通

[发明专利]卷轴存储方法及其存储柜-CN201710426499.6在审
发明人：潘秋杰 -专利权人：东莞上井塑胶制品有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： B65D85/672 文献下载
摘要：本发明涉及一种卷轴存储方法及其存储柜，卷轴包括沿轴线方向设置的卷取部以及沿径向方向平行设置在卷取部两端的圆片部即第一圆片部和第二圆片部，第一圆片部和第二圆片部的径向直径D相同，第一圆片部和第二圆片部之间具有轴向空间
卷轴存储方法及其

[发明专利]存储元件和存储器-CN200610148694.9在审
发明人：细见政功;大森广之;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件，其包括基于磁性物质的磁化状态保持信息的存储层，和为该存储层设置的磁化固定层，在两者之间具有中间层，所述中间层由绝缘体组成。将自旋－极化电子在层－叠加方向上注入，以由此改变所述存储层的磁化方向，使得信息记录在存储层中。包括在存储层中的至少一种铁磁层主要由CoFeTa组成，并且具有在1原子百分比(原子％)到20原子％范围中的Ta含量。
存储元件存储器

[发明专利]存储装置及存储方法-CN201510547065.2在审
发明人：山本稔;北原正一;佐佐木清隆;稻村政治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：根据实施方式，在第1数据与在存储介质存储的第2数据之中在第1数据的写入目的地的第1区域存储的第3数据一致的情况下，不将第4数据写入于存储介质，其中所述第2数据以比第1大小大的第2大小存储，所述第4数据是将第
存储装置方法

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201880086971.9在审
发明人：大场和博;野野口诚二;清宏彰;曾根威之;五十岚实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的存储元件设置有：第一电极；布置成与第一电极对置的第二电极；和存储层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素、过渡金属以及氧。存储层具有非线性的电阻特性以及整流特性，以使得当施加电压大于或等于预定阈值电压时获得低电阻状态，并且当施加电压是小于预定阈值电压的电压时获得高电阻状态。
存储元件装置

[发明专利]存储级存储器访问-CN202080007137.3在审
发明人： A·曼萨纳雷斯;C·盖约特 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了接收写入请求以写入与页表中的多个条目中的第一条目相对应的字节可寻址数据，并且该字节可寻址数据被写入主机存储器的缓冲器中。接收读取请求以读取与该页表中的该多个条目中的第二条目相对应的字节可寻址数据，并且使用存储器设备接口向设备发送读取命令以从该设备的存储级存储器(SCM)中读取该字节可寻址数据。该控制电路还使用存储器设备接口从该主机接收读取命令以从该SCM中读取字节可寻址数据。
存储存储器访问

[发明专利]存储单元及存储阵列-CN201710564873.9有效
发明人：黄财煜;王炳尧 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：存储单元包括读取选择晶体管、写入选择晶体管及反熔丝电容。读取选择晶体管具有第一端、第二端及控制端，读取选择晶体管的第一端耦接于位线，及读取选择晶体管的控制端耦接于读取字符线。
存储单元阵列

[发明专利]存储单元以及存储阵列-CN201310014727.0有效
发明人：林子贵;廖宏仁;廖忠志;陈炎辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开的一种存储单元包括：第一、第二和第三列器件。第一列器件包括第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一开关以及第二开关。第二列器件包括第三下拉晶体管、第四下拉晶体管、第三开关，以及第四开关。本发明还公开了存储阵列。
存储单元以及阵列

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201310093311.2有效
发明人：清宏彰;大场和博;曾根威之;五十岚实 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件和存储装置，该存储元件包括第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。第一电极、存储层和第二电极以该顺序提供。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210042751.0有效
发明人：水口彻也;大场和博;保田周一郎;紫牟田雅之;河内山彰;清宏彰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于包括离子源层和电阻变化层的存储层中出现的电特性变化来存储信息的存储元件以及包括多个所述存储元件的存储装置。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，且具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧由此，本发明的存储元件能够以低电流进行良好操作并具有令人满意的保持特性。
存储元件装置

[发明专利]存储元件及存储器-CN201110259046.1有效
发明人：大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储器。该存储元件包括：磁性层，包括选自由Fe、Co和Ni组成的组中的至少一种元素以及碳，并且相对于Fe、Co和Ni的总量，碳的含量为3原子％以上且小于70原子％，并且在垂直于膜面的方向上具有磁各向异性；以及氧化物层
存储元件存储器

[发明专利]存储单元和存储设备-CN03147814.X有效
发明人：井上刚至;滨口弘治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-06-25 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有用作存储元件的可变电阻器的存储单元，及公开了一种包括所述存储单元的存储设备。可变电阻器由具有钙钛矿结构的薄膜材料(如PCMO)或者同类材料制成。因而存储单元可以在低电压下操作且可以高度集成。存储单元MC由电流控制装置和可变电阻器结合形成。场效应晶体管、二极管或者双极性晶体管用作电流控制装置。
存储单元设备

[发明专利]数据存储方法及存储设备-CN201710203451.9有效
发明人：孙宪武;李红 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G06F16/172 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据存储方法及存储设备，该方法包括：获取待存储文件；将该待存储文件划分为若干个数据块；该若干个数据块中至少有部分数据块的长度为预设长度；对于每一个数据块，若该数据块的长度为预设长度，基于第一索引库判断是否需存储该数据块，基于判断结果对该数据块进行处理并生成与该数据块对应的第一索引，将该第一索引存入该第一索引库；若该数据块的长度与该预设长度不同，基于第二索引库判断是否需存储该数据块，基于判断结果对该数据块进行处理并生成与该数据块对应的第二索引
数据存储方法设备

[发明专利]存储装置及存储方法-CN201510045536.X有效
发明人：陈寄福;吴大畏;李晓强 -专利权人：深圳市硅格半导体有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种存储装置，用于连接一主机装置并包括有一控制器、一连接于所述控制器的闪存单元及一连接于所述控制器的安全芯片，其特征在于：所述闪存单元包括有：存储模块，用于存储一文件系统，所述文件系统包括有所述主机装置传送的文件本发明还进一步揭示了一种存储方法。
存储装置方法

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