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[发明专利]具有多处理器的存储设备-CN201310003617.4有效
发明人：季茂林;王祎磊 -专利权人：北京忆恒创源科技有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G06F12/0866 文献下载
摘要：提供了一种数据存储设备，包括主机接口，多个存储器芯片；每个存储器芯片中包括第一多个存储单元，由第二多个存储单元组成存储单元组，每个存储单元组内的存储单元可并行访问；所述数据存储设备还包括存储单元组地址生成电路，用于根据从主机接口接收的第一地址生成第一存储单元组地址，其中所述第一存储单元组地址用于访问第一存储单元组。
具有处理器存储设备

[实用新型]具有多处理器的存储设备-CN201320005234.6有效
发明人：季茂林;王祎磊 -专利权人：北京忆恒创源科技有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：提供了一种具有多处理器的存储设备，包括主机接口，多个存储器芯片；每个存储器芯片中包括第一多个存储单元，由第二多个存储单元组成存储单元组，每个存储单元组内的存储单元可并行访问；所述存储设备还包括存储单元组地址生成电路，用于根据从主机接口接收的第一地址生成第一存储单元组地址，其中所述第一存储单元组地址用于访问第一存储单元组。
具有处理器存储设备

[发明专利]非易失性存储器及其控制方法、存储系统-CN202210028399.9在审
发明人：刘红涛;赵向南;贾建权;蒋颂敏;崔莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性存储器及其控制方法、存储系统，所述非易失性存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元组，每个所述存储单元组包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储串的部分存储单元组执行擦除再编程操作，其中，所述执行擦除再编程操作的存储单元组为第一存储单元组，所述存储串中未执行擦除再编程操作的存储单元组为第二存储单元组；以及在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加第一导通电压，对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压大于所述第二导通电压。
非易失性存储器及其控制方法存储系统

[发明专利]随机存取存储器及其存储单元-CN200810112775.2有效
发明人：杨家奇;李智;张亚峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G11C19/00 文献下载
摘要：一种随机存取存储器及其存储单元，所述随机存取存储器包括：M级存储单元组，各级存储单元组分别包括N个存储单元，在第n控制信号有效时，从前1级存储单元组的第n+1个存储单元读出数据并写入后1级存储单元组的第n个存储单元；在第N控制信号有效时，从前1级存储单元组的第1个存储单元读出的数据写入后1级存储单元组的第N个存储单元；在第n或N控制信号有效时，输入数据写入第1级存储单元组的第n或N个存储单元，输出数据从最后1级存储单元组的第n+1或1个存储单元读出。所述随机存取存储器的电路结构得以简化，所述存储单元可以适应半导体工艺演进中芯片小尺寸的需求。
随机存取存储器及其存储单元

[发明专利]数据迁移方法及装置-CN201810972007.8有效
发明人：林宇 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种数据迁移方法和装置，该方法包括：存储设备获取第一存储单元组的数据访问热度，第一存储单元组包含多个存储单元，其中，每个存储单元是逻辑单元所包含的块的组成单位，逻辑单元是存储设备提供的，能够被主机访问的逻辑存储空间，第一存储单元组的数据访问热度由每个存储单元的数据访问热度确定，每个存储单元的数据访问热度由存储单元所在的逻辑单元确定；当第一存储单元组的数据访问热度达到设定阈值时，存储设备将第一存储单元组中的数据迁移至第二存储单元组，第二存储单元组的访问性能高于第一存储单元组的访问性能。实施本申请实施例，可以提高数据访问热度统计的准确性，从而提高存储设备的分层存储性能。
数据迁移方法装置

[发明专利]存储装置的操作方法、非易失性存储装置及存储系统-CN202210329256.1在审
发明人：关蕾;王均保;刘红涛;蒋颂敏;赵向南 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请的实施方式提供一种存储装置的操作方法、非易失性存储装置及存储系统。存储装置包括多个存储串，每个存储串包括依次串接的第一存储单元组、伪存储单元组和第二存储单元组，操作方法包括：通过向存储串的靠近第一存储单元组的一端施加第一预设电压，对第一存储单元组预编程操作或擦除操作；以及，在施加第一预设电压期间，通过向伪存储单元组的栅极施加第二预设电压，使伪存储单元组的沟道电势高于第一存储单元组的沟道电势。本申请实施方式可降低第一存储单元组的预编程/擦除阶段对第二存储单元组的影响。
存储装置操作方法非易失性存储系统

[发明专利]一种存储设备的控制方法及存储设备、电子设备-CN201811549785.2在审
发明人：徐博声;郭丹;邓恩华;李志雄 -专利权人：深圳市江波龙电子股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种存储设备的控制方法，存储设备包括控制器以及至少一个存储单元组，控制器包括至少一个片选引脚、命令引脚、地址引脚及若干个数据引脚；存储单元组包括至少两个存储单元，每个片选引脚电连接一个存储单元组；至少一个存储单元组中的每个存储单元分别与命令引脚、地址引脚及若干个数据引脚电连接；该控制方法包括：向目标存储单元组发送通知命令，以通知目标存储单元组中的所有存储单元将进行目标存储单元选择；以及向目标存储单元组发送地址命令，以选中目标存储单元。本发明中，一个片选可以控制多个存储单元，克服存储设备自身的片选数量的限制。
一种存储设备控制方法电子设备

[发明专利]具有冗余单元的半导体存储器件和替换方法-CN201310375803.0有效
发明人：金秀娥;孙宁洙;金大贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G11C29/24 文献下载
摘要：在一个实施例中，存储器件包括存储单元阵列，所述存储单元阵列至少具有第一存储单元组、第二存储单元组和冗余存储单元组。第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元，第二存储单元组包括与第二数据线相关联的多个第二存储单元，冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元。
第二存储单元冗余存储单元存储单元阵列存储单元组冗余数据线第一数据数据线关联半导体存储器件数据线选择电路存储单元存储器件冗余单元输出节点数据路径替换配置

[发明专利]用于具有多处理器的存储设备的方法-CN201310004231.5有效
发明人：季茂林;王祎磊 -专利权人：北京忆恒创源科技有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：提供了用于具有多处理器的存储设备的方法，所述存储设备包括多个主机接口以及多个存储器芯片，所述方法包括接收来自主机的第一地址；基于所述第一地址生成第一存储单元组地址，其中所述第一存储单元组地址用于访问第一存储单元组，以及其中每个存储器芯片中包括第一多个存储单元，由第二多个存储单元组成存储单元组，每个存储单元组内的存储单元可并行访问。
用于具有处理器存储设备方法

[发明专利]一种元数据的保护方法和装置-CN201310487474.9有效
发明人：雷延钊 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：具体方案为：首先将属于不同用户数据的元数据分别存储在对应的第一类存储单元组中，第一类存储单元组采用第一种独立冗余磁盘阵列RAID存储方式，然后在第一类存储单元组中选取至少两个存储单元组，并根据选取的至少两个存储单元组形成第三存储单元组，第三存储单元组存储有至少两个属于不同用户数据的元数据，第三存储单元组属于第二类存储单元组，第二类存储单元组采用第二种RAID存储方式，而后为第三存储单元组存储的至少两个属于不同用户数据的元数据生成第一奇偶校验码并储存
一种数据保护方法装置

[发明专利]具有冗余单元的半导体存储器件和系统及其方法-CN201310376429.6在审
发明人：金秀娥;金大贤;李宇镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：在一个实施例中，存储器件包括存储单元阵列、数据线选择电路和选择控制逻辑。存储单元阵列至少具有第一存储单元组和冗余存储单元组。第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元，冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元。选择控制逻辑配置为检测是否正在访问第一存储单元组中的带缺陷存储单元，并且配置为控制数据线选择电路用经由冗余数据线的访问替换经由第一数据线的访问，使得用所述多个冗余存储单元之一来替换第一存储单元组中检测到的带缺陷存储单元
具有冗余单元半导体存储器件系统及其方法

[发明专利]一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法、装置-CN201711447020.3在审
发明人：胡洪;张赛;付永庆;李宁 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及存储器读写擦除技术领域，本发明公开了一种减少非易失性闪存块擦除操作漏电流的方法及装置，所述方法包括：将所述闪存块中至少一条字线上的所有存储单元划分为一个存储单元组；接收所述闪存块擦除指令；根据所述闪存块擦除指令，对所述闪存块中各个存储单元组执行擦除判断；若一个存储单元组中不存在未擦除的存储单元，所述存储单元组擦除判断结果为是；针对所述擦除判断结果为是的存储单元组不执行擦除操作。本发明实施例对上述各个存储单元组执行擦除判断，针对不存在未擦除的存储单元的存储单元组不执行擦除操作，保证该存储单元组不会被过擦除，减少了非易失性闪存块在块擦除的过程中的过擦除的存储单元，减少了漏电流的存在
存储单元组擦除存储单元闪存块非易失性闪存块擦除漏电流擦除操作擦除指令判断结果过擦除存储器读写字线保证

[发明专利]三维存储器及其编程方法-CN202210614831.2在审
发明人：魏镜;王瑜;栗山正男 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其编程方法，三维存储器包括位于多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，所述方法包括：将选中的所述存储串除编程存储单元之外的多个存储单元划分成多个非编程存储单元组；以及根据各个非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离，向各个非编程存储单元组施加导通电压；其中，非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离越大，施加到非编程存储单元组的导通电压越小。通过上述三维存储器的编程方法，可在一定程度上减小非编程存储单元的导通电压的干扰。
三维存储器及其编程方法

[发明专利]降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质-CN202211220501.1在审
发明人：温靖康;鲍奇兵;高益;王振彪;吴彤彤 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了降低存储芯片过擦除概率的方法、电子设备及存储介质，该方法包括步骤：获取所述存储芯片中的易擦除存储单元组，所述易擦除存储单元组为所述存储芯片中阈值电压最低的若干存储单元；利用冗余单元替换所述易擦除存储单元组；该方法先获取存储芯片中的易擦除存储单元组，再利用冗余单元替换易擦除存储单元组，以替换掉存储阵列中最容易被擦除的存储单元，从而尽可能地减少存储阵列中容易被擦除的存储单元的数量，进而有效地降低存储芯片出现过擦除现象的概率。
降低存储芯片擦除概率方法电子设备介质

[发明专利]非挥发性存储器的结构及其操作方法-CN02129883.1有效
发明人：蔡文哲;叶致锴;卢道政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的结构，此非挥发性存储器的结构是由多个存储单元、多条字符线，多条漏极线与多条源极线所构成。其中，多个存储单元以每两个存储单元为一组而形成多个存储单元组，这些存储单元组并排成一行/列阵列。每一行中的各个存储单元组中各存储单元共享一源极区，且每一行中的相邻两存储单元组共享一漏极区。每一行中的各存储单元组中各存储单元的源极区各自耦接至所对应的一条源极线。每一行中的各存储单元组中各存储单元的漏极区各自耦接至所对应的一条漏极线。每一列的各存储单元的栅极皆耦接对应的一条字符线。
挥发性存储器结构及其操作方法

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