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[发明专利]钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池-CN201611256820.2有效
发明人：薛超;高鹏;张无迪;刘如斌;孙强;肖志斌;王宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池；其特征在于：包括如下步骤：步骤1、分别制备多结砷化镓电池和钙钛矿电池；步骤2、在多结砷化镓电池和钙钛矿电池表面通过光刻和镀膜工艺制备金属栅线；步骤3、通过金属键合工艺将多结砷化镓电池和钙钛矿电池键合集成在一起。本发明采用高禁带宽度的钙钛矿太阳能电池作为子电池代替多结砷化镓太阳能电池的顶电池，解决三结以上多结砷化镓太阳能电池高禁带宽度的顶电池制备困难的问题。显著提高了三结以上多结砷化镓太阳能电池的光电转换效率。采用金属键合的方式，将钙钛矿太阳能电池和多结砷化镓太阳能电池通过金属栅线级联起来，方便的实现了异质集成，工艺成熟重复性好。
钙钛矿砷化镓异质集成太阳能电池制造方法电池

[实用新型]一种新型的显示装置-CN201721856668.1有效
发明人：毛春林 -专利权人：毛春林
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的显示装置，包括玻璃、液晶膜、菲涅尔透镜、光漏斗和多结砷化镓电池，所述玻璃的侧面固定设置有液晶膜，所述液晶膜的侧面固定设置有菲涅尔透镜，所述菲涅尔透镜的侧面固定设置有光漏斗，所述光漏斗的另一端固定设置有多结砷化镓电池，所述玻璃的一侧侧端固定设置有电控箱，所述玻璃的另一侧侧端固定设置有驱动箱，所述多结砷化镓电池与电控箱之间电性连接，所述电控箱分别与液晶膜与驱动箱之间电性连接。通过将多结砷化镓电池通过光漏斗连接在显示装置上，利用多结砷化镓电池实现光电转化，从而使得液晶膜可通过多结砷化镓电池进行供电，节约电能，且能将其安装在户外进行使用，互不干扰。
砷化镓电池多结液晶膜光漏斗菲涅尔透镜侧面固定显示装置电控箱玻璃电性连接固定设置驱动箱侧端本实用新型光电转化互不干扰户外供电节约

[发明专利]基于太阳能的发电储能一体化器件及其制备方法-CN202010528244.2有效
发明人：杜伟;王兵;方亮;魏婷婷 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H02S40/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太阳能的发电储能一体化器件及其制备方法，包括减反膜、上电极、砷化镓外延层、背电极、金属化层、正极金属电极、正极、正极‑电解质混合相、无机固态电解质、负极、负极金属电极、金属保护层；减反膜、上电极、砷化镓外延层、背电极构成多结柔性砷化镓电池，正极金属电极、正极、正极‑电解质混合相、无机固态电解质、负极、负极金属电极构成固态锂离子电池，多结柔性砷化镓电池和固态锂离子电池并联，在未接负载时，固态锂离子电池能够将多结柔性砷化镓电池所发电量储存起来，直至连上负载后，多结柔性砷化镓电池和固态锂离子电池能够一起供电，形成发电储能一体化，使得在保证柔性结构的同时，又大大提高了产品质量功率比。
基于太阳能发电一体化器件及其制备方法

[发明专利]一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法-CN201910305472.0有效
发明人：林时胜;孙利杰;沈闰江;周大勇;陆阳华 -专利权人：浙江大学;上海空间电源研究所
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层、量子点层，此外还设置有正面电极；所述的多结半导体衬底层包括多结电池，并在多结电池顶部设置有隧穿层，镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上，量子点层设置于二硫化钼上。本发明的多结异质太阳能电池利用二硫化钼和半导体镓铟氮或铝镓砷形成异质结可以在无需外加电源的情况下完成光电转化，同时镓铟氮、铝镓砷等半导体禁带宽度大，可以吸收更短的太阳光波长，进一步提升多结太阳能电池效率本发明的二硫化钼/镓铟氮(铝镓砷)多结异质太阳能电池的转化效率高，工艺较简单，有广阔的应用前景。
一种二硫化钼镓铟氮铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓基多结同位素微电池-CN201010534724.6无效
发明人：姜澜;陈海洋;李大让;尹建华;蔡胜国 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓基多结同位素微电池，属于微机电系统中能源领域。本发明包括两个或两个以上的单结砷化镓基同位素微电池，每两个单结砷化镓基同位素微电池之间通过隧道结相连，多结同位素微电池的表面采用SiO2钝化；其结构表达式为：单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/…/单结砷化镓基同位素微电池/衬底。
一种砷化镓基多同位素电池

[发明专利]聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法-CN200810207794.3无效
发明人：王亮兴;李红波;张玮;池卫英;姜德鹏;余甜甜;袁爱谊;陈鸣波 -专利权人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司;上海空间电源研究所
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，它包括在锗单晶片衬底上制作多结砷化镓外延片、在外延片上涂布一层黑胶保护层，衬底采用腐蚀工艺减薄厚度、在衬底镀一层钯/银/金作为下电极、在外延片上采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，并在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极、在上电极上再蒸镀一层减反射膜以及去胶金属化后划成需要的尺寸等步骤。本发明聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法采用刻槽和腐蚀台面工艺，降低了电池的漏电流损失，提高了填充因子和开路电压，因此效率也显著提高，产品合格率也显著增加。
聚光多结砷化镓太阳电池制造方法

[发明专利]一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法-CN202010931623.6在审
发明人：徐培强;张银桥;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法。柔性砷化镓太阳能电池包括底部蒸镀有下电极的图形化PI衬底、砷化镓外延层、上电极和减反射膜，图形化PI衬底上方和砷化镓外延层下方蒸镀有键合金属，键合金属将PI薄膜和外延层键合。砷化镓外延层可为倒置生长的单结砷化镓太阳能电池或者多结砷化镓太阳能电池，柔性电池背面为金属电极，可以直接贴在设备表面使用，简化后续封装工艺，并且由于和设备表面直接贴合，可以增加柔性砷化镓太阳电池的散热性，提高产品的稳定性；刚性透明刚性临时衬底的使用，减少了使用砷化镓作为临时衬底带来的高成本和高污染的情况，并且降低了临时衬底去除时带来的对外延层破坏的风险。
一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种多结砷化镓垂直腔面发射激光器-CN202210937067.2在审
发明人：吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明提供了一种多结砷化镓垂直腔面发射激光器，在该多结砷化镓垂直腔面发射激光器中的M组多量子阱层中，每组多量子阱层中的阱层都为InGaAs阱层或InAlGaAs阱层；部分组的垒层为AlGaAs垒层；其他组的垒层为部分组的垒层为AlGaAsPx垒层；其他组的垒层为AlGaAsPy垒层；M组多量子阱层中不同组的垒层不完全相同，使得该多结砷化镓垂直腔面发射激光器可以在获得最优电光转换效率的同时也能保证良好的可靠性
一种多结砷化镓垂直发射激光器

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池-CN201611129475.6在审
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减反层填充于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与石墨烯层接触。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可以促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子
一种石墨砷化镓太阳电池

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611129480.7有效
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面，形成石墨烯层；2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极，在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极；4)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出石墨烯层，在所述露出的石墨烯层表面制备减反层。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种键合连接的硅基与砷化镓基的太阳电池-CN201510619638.8有效
发明人：程学瑞;张焕君;冯世全;康利平;李俊玉 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种键合连接的硅基与砷化镓（GaAs）基的太阳电池。该太阳电池包括上层砷化镓基电池和下层硅基电池，上、下层电池间硅与砷化镓通过键合连接的方法形成隧穿结互联起来，形成叠层太阳电池；所述上层砷化镓基电池为AlGaAs（铝镓砷）单结电池或GaInP/AlGaAs本发明通过采用直接键合技术，较好解决了硅基太阳电池与砷化镓基太阳电池之间晶格匹配问题，解决了不同晶格常数材料直接生长的难题，使砷化镓太阳电池外延层可以有效转移到硅太阳电池上。基于此结构的硅基多结太阳电池理论效率可达到30%以上，具有较好的推广应用价值。
一种连接砷化镓基太阳电池

[发明专利]单晶硅衬底多结太阳电池-CN200910009001.1无效
发明人：索拉安吉 -专利权人：北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池，用于太阳能发电，特别适用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于，采用硅单晶片为衬底，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层，再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片，可以大大降低多结太阳电池的成本，提高硅基太阳电池的转换效率，加快太阳能发电的应用和发展。
单晶硅衬底太阳电池

[发明专利]一种多结聚光砷化镓太阳能电池及其制备方法-CN201310508769.X有效
发明人：吴作贵;杨翠柏;王智勇;吴步宁 -专利权人：广东瑞德兴阳光伏科技有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结聚光砷化镓太阳能电池及其制备方法，其电池是以P型碳化硅为衬底，自衬底表面起由下至上依次层叠排列着低温P-GaAs缓冲层、高温P-GaAs缓冲层、底电池、中电池、顶电池以及N++-GaAs由于P型碳化硅衬底是宽带隙半导体材料，与锗衬底与砷化镓衬底相比具有高导热系数，因此该电池能够提高高倍聚光下的稳定性和长期可靠性。另外，该电池在碳化硅衬底与底电池之间采用P-GaAs缓冲层，从而能够有效解决碳化硅衬底与多结砷化镓电池晶格类型不同、晶格常数和热膨胀系数差别大带来的外延生长问题。
一种聚光砷化镓太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种多结聚光砷化镓太阳能电池-CN201320660103.1有效
发明人：吴作贵;杨翠柏;王智勇;吴步宁 -专利权人：广东瑞德兴阳光伏科技有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多结聚光砷化镓太阳能电池，是以P型碳化硅为衬底，自衬底表面起由下至上依次层叠排列着低温P-GaAs缓冲层、高温P-GaAs缓冲层、底电池、中电池、顶电池以及N++-GaAs接触层，所述的底电池与中电池以及中电池与顶电池之间分别设置有隧穿结连接结构由于P型碳化硅衬底是宽带隙半导体材料，与锗衬底与砷化镓衬底相比具有高导热系数，因此该电池能够提高高倍聚光下的稳定性和长期可靠性。另外，该电池在碳化硅衬底与底电池之间采用P-GaAs缓冲层，从而能够有效解决碳化硅衬底与多结砷化镓电池晶格类型不同、晶格常数和热膨胀系数差别大带来的外延生长问题。
一种聚光砷化镓太阳能电池

[发明专利]多结砷化镓太阳电池-CN200810207796.2无效
发明人：王亮兴;陈鸣波;张玮;李红波;池卫英;余甜甜;张梦炎;陆剑锋 -专利权人：上海空间电源研究所;上海太阳能工程技术研究中心有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种多结砷化镓太阳电池，它包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池之间设有AlInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP本发明的多结砷化镓太阳电池由于采用了以上隧穿结连接结构，不仅能够显著减少入射光的反射，改善中电池的电流密度，还可以提高三结电池的转换效率。
多结砷化镓太阳电池

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