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[发明专利]多晶硅加工品的制造方法-CN201880013910.X有效
发明人：秋吉彩生 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请的问题在于，提供一种多晶硅加工品的新型制造方法，其包含：防止在处理通过西门子法得到的多晶硅棒时，因存在于上述多晶硅棒端部的碳构件导致的多晶硅棒表面的碳污染的工序。本申请的技术方案在于，提供一种多晶硅加工品的制造方法，其特征在于，将在利用西门子法的反应器内使与电极连接的碳构件所保持的硅芯线析出多晶硅而得到的多晶硅棒，在其端部包含上述碳构件的状态下取出，在对上述多晶硅棒进行加工的方法中，包括：将上述多晶硅棒从上述电极卸下至进行加工为止的期间，使用包覆材料包覆存在于上述多晶硅棒的端部的碳构件，由此，在将多晶硅棒与碳构件隔离的状态下进行处理的工序。
多晶加工品制造方法

[发明专利]红外线传感器-CN200980142432.3无效
发明人：辻幸司;萩原洋右;牛山直树 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：温度检测构件(30)包括：在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成的p型多晶硅层(35)，在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成而不与p型多晶硅层(33)接触的n型多晶硅层(34)，以及被配置为将p型多晶硅层(35)电连接到n型多晶硅层(34)的连接层(36)。p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)中的每一个具有1018到1020cm-3范围内的杂质浓度。p型多晶硅层(35)具有λ/4n1p的厚度，其中，λ表示要由红外线检测元件(3)检测的红外线的中心波长，n1p表示p型多晶硅层(35)的反射率。n型多晶硅层(34)具有λ/4n1n的厚度，其中，n1n表示n型多晶硅层(34)的反射率。
红外线传感器

[发明专利]微机电构件和用于微机电构件的制造方法-CN201510437037.5有效
发明人： J·赖因穆特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS构件，其具有：衬底，在该衬底中从功能性上侧起构造空腔；埋藏式多晶硅层，在该多晶硅层中松弛地安置有作为第一电极的多晶硅膜片，所述多晶硅膜片至少部分地覆盖该空腔；Epi多晶硅层，在该Epi多晶硅层中松弛地安置有作为第二电极的电极结构，该电极结构在该多晶硅膜片上间距一自由空间地布置；通道开口，该通道开口流动地连接该MEMS构件的外部环境和该空腔，在该埋藏式多晶硅层、该Epi多晶硅层和/或该衬底的空腔的内壁中构造有一个或多个通道
微机构件用于制造方法

[发明专利]红外线传感器-CN200980142269.0无效
发明人：辻幸司;萩原洋右;牛山直树 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：红外线检测元件(3)包括：薄膜红外线吸收构件(33)，其吸收红外线光；温度检测构件(30)，其检测红外线吸收构件(33)和基体(10)之间的温度差；以及保护膜(39)。红外线吸收构件(33)布置在基体(10)的一个表面侧上，以便在红外线吸收构件(33)和基体(10)之间提供隔热空间。温度检测构件(30)包括p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)以及连接层(36)，其中，p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)被形成为跨越红外线吸收构件(33)和基体(10)，连接层(36)在红外线吸收构件(33)上电连接p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)。保护膜(39)是设置在红外线吸收构件(33)中的红外线入射表面上以便覆盖该红外线入射表面的多晶硅膜，该红外线入射表面是远离基体(10)的平面。
红外线传感器

[发明专利]挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅-CN200680007000.8有效
发明人：詹姆斯·E·包义森;里斯·雷诺斯;拉阿南·Y·柴海威;罗伯特·米顿;汤姆·L·卡德韦尔 -专利权人：统合材料股份有限公司
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：多晶硅的挡板晶圆(60)置放在支撑塔(20)的非生产沟槽中，用于热处理单晶硅晶圆。多晶硅较佳为随机定向多晶硅(ROPSi)，优选通过使用随机定向晶种(例如CVD成长的硅)而以Czochralski方法来成长。热炉管(10)的全硅热区可以包括硅支撑塔，其中该硅支撑塔设置在硅衬里(18)内且支撑这些多晶硅挡板晶圆，硅注射器在该衬里内提供处理气体。该随机定向多晶硅可用于其它需要粗糙构件的零件(例如在硅处理腔室中)并用于结构性构件。
挡板及其所用随机定向多晶

[发明专利]集成电路-CN201711191893.2在审
发明人：陈奕寰;周建志;郑光茗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：第一多晶硅构件，位于第一边界介电层与第二边界介电层上的边界区中；第二多晶硅构件，位于第一多晶硅构件上的边界区中。硬掩模构件，位于第一多晶硅构件上并与第二多晶硅构件横向相邻。
介电层多晶硅构件边界区集成电路低电压区高电压区基板横向相邻硬掩模

[发明专利]红外线传感器-CN200510117316.X无效
发明人：柴山胜己 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2001-04-10 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种红外线传感器，具有支承构件、多晶硅膜、SiO₂、铝膜、及热吸收层；该支承构件包含支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板；该多晶硅膜从空心部分的上部形成到基板的上部；该SiO₂形成于多晶硅膜上，具有空心部分上部的第1接触孔和基板的上部第2接触孔；该铝膜通过第1连接孔与多晶硅膜连接，与通过第2接触孔邻接的多晶硅膜连接；该热吸收层覆盖第1接触孔的上部地形成于空心部分的上部；铝膜在空心部分的上部隔着该对应的多晶硅膜和SiO₂层叠。
红外线传感器

[发明专利]红外线传感器-CN01822193.9无效
发明人：柴山胜己 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2001-04-10 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种红外线传感器，具有支承构件、多晶硅膜、SiO₂、铝膜、及热吸收层；该支承构件包含支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板；该多晶硅膜从空心部分的上部形成到基板的上部；该SiO₂形成于多晶硅膜上，具有空心部分上部的第1接触孔和基板的上部第2接触孔；该铝膜通过第1连接孔与多晶硅膜连接，与通过第2接触孔邻接的多晶硅膜连接；该热吸收层覆盖第1接触孔的上部地形成于空心部分的上部；铝膜在空心部分的上部隔着该对应的多晶硅膜和SiO₂层叠。
红外线传感器

[发明专利]多晶硅金属污染防止方法和被多晶硅接触的构件-CN201610131592.X在审
发明人：近藤学;吉村礼二 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供一种通过在与多晶硅接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止多晶硅的金属污染的方法和被多晶硅接触的构件，能够可靠地防止由该保护罩的磨损引起的金属的表面暴露。本发明的通过在多晶硅所接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止由多晶硅与金属基材的接触引起的多晶硅的金属污染的方法的特征在于，重叠地设置两片树脂片材(3a、3b)作为树脂制保护罩(3)。
多晶金属污染防止方法接触构件

[实用新型]导电连接构件及多晶硅铸锭炉侧面加热器-CN201120150828.7有效
发明人：龙礼妹 -专利权人：石金精密科技（深圳）有限公司
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种导电连接构件，所述导电连接构件的两端分别与多晶硅铸锭炉侧面加热器、石墨电极连接，用于传导电流，所述导电连接构件的水平截面的宽度为26-30mm。本实用新型又公开一种多晶硅铸锭炉侧面加热器。本实用新型导电连接构件的水平截面的面积与现有的相比增大了，由电阻计算公式R＝ρ·L/S，可知增大横截面积S，可以减小导电连接构件的电阻，从而降低导电连接构件的功耗，从而提高了多晶硅铸锭炉的效率。
导电连接构件多晶铸锭侧面加热器

[发明专利]多晶硅棒的制造装置及制造方法-CN202210757989.5在审
发明人：星野成大;岡田哲郎;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及的多晶硅棒的制造装置，包括：用于使多晶硅析出的硅芯线1；贯穿底板80设置的硅芯线用电极60；设置在硅芯线1与硅芯线用电极60之间且由能够相对于底板80移动的适配器等构成的调整构件10；以及可冷却调整构件
多晶制造装置方法

[发明专利]多晶硅铸锭炉用碳材料的防碳污染涂层及其制备工艺-CN201110242948.4有效
发明人：周浪 -专利权人：周浪
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅铸锭炉用碳材料构件的防碳污染涂层及其制备工艺。其成份为碳化硅，其制备工艺为通过硅-碳相互作用在碳材料表面原位生长，包括在碳材料表面施加均匀分布的硅源，然后在高温下保温，使表面发生硅-碳相互作用而原位形成碳化硅层。本发明工艺可制得致密、与碳材料结合良好的碳化硅晶体涂层，能够有效防止多晶硅铸锭生产过程中碳材料耐温结构件对硅材料的污染，降低多晶硅铸锭中碳含量。
多晶铸锭炉用碳材料污染涂层及其制备工艺

[发明专利]一种背封硅片结构及其制备方法-CN202310431706.2在审
发明人：张庆旭;肖世豪;吴雄杰;饶伟星;沈益军;张立安;余天威;刘伟;潘金平 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种背封硅片结构及其制备方法，具体涉及背封硅片的制备领域，包括一号组成构件和二号组成构件，一号组成构件和二号组成构件均包括单晶硅衬底、低温氧化膜和多晶硅膜，多晶硅膜包括第一沉积层、第二沉积层其有益效果是，两种结构的背封效率不同，可以根据不同产品的需求进行选择；暴露在外层的膜层为多晶硅膜时，通过设计多晶硅膜的多层结构来实现增强吸杂效果的背封硅片，并且通过沉积程序的设定实现连续成膜，避免了多次取放片过程对硅片的擦伤
一种硅片结构及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅悬臂梁阵列结构及其制备方法和应用-CN202011224898.2在审
发明人：李新;吴沛珊;肖淼 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明适用于微机电系统领域，提供了一种多晶硅悬臂梁阵列结构及其制备方法和应用，该多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法包括以下步骤：在硅片衬底上沉积一层的类金刚石薄膜；干法刻蚀所述类金刚石薄膜后，再在其表面生长二氧化硅层；利用CF4和He的混合气体干法刻蚀所述二氧化硅层后，再在其表面生长多晶硅层；利用Cl2和He的混合气体干法刻蚀所述多晶硅层后，再腐蚀去除所述二氧化硅层，形成多晶硅悬臂梁，并经清洗、烘干后，得到所述多晶硅悬臂梁阵列结构。本发明制得的多晶硅悬臂梁阵列结构的衬底的表面能得到了有效的减弱，悬臂梁构件发生负面弯曲的几率大大减小，有效提高了多晶硅悬臂梁工作的可靠性。
一种多晶悬臂梁阵列结构及其制备方法应用

[发明专利]一种无接触破碎多晶硅的方法-CN201410057558.3无效
发明人：季静佳;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无接触破碎多晶硅的方法，更具体的说，本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶硅的方法。本发明的无接触破碎多晶硅的方法，把至少一束激光射向多晶硅棒或者多晶硅块，多晶硅棒或者多晶硅块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后，该多晶硅棒或多晶硅块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶硅棒或多晶硅块的局部区域膨胀，在多晶硅柱或多晶硅块的表面或体内产生热膨胀应力，致使多晶硅棒或多晶硅块破碎。
一种接触破碎多晶方法

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