专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]壳体、终端设备及壳体的制备方法-CN202110502253.9在审
  • 纪大伟;蔡明;胡邦红 - 华为技术有限公司
  • 2021-05-08 - 2022-11-08 - H05K5/02
  • 该壳体包括镁基金基体,该镁基金基体两侧分别设置有第一铝基金层和第二铝基金层,镁基金基体与第一铝基金层之间设置有第一过渡层,第一铝基金层远离第一过渡层的一侧表面具有外观层,镁基金基体与第二铝基金层之间设置有第二过渡层,第二铝基金层远离第二过渡层的一侧表面具有电连接层。其中第一过渡层可提高镁基金基体与第一铝基金层之间的界面结合力,第二过渡层可提高镁基金基体与第二铝基金层之间的界面结合力。
  • 壳体终端设备制备方法
  • [发明专利]基金与铝基金的连接方法-CN201510932199.6在审
  • 潘厚宏;郭雨菲 - 西南交通大学
  • 2015-12-15 - 2016-03-30 - B23K20/14
  • 本发明公开了一种镁基金与铝基金的连接方法。镁基金与铝基金通过中间层连接,连接方法包括以下步骤:1)第一扩散过程:对铝基金的扩散面和中间层的第一扩散面分别进行表面处理,然后利用真空扩散焊接工艺,在第一温度下对表面处理后的铝基金和中间层进行扩散连接;2)第二扩散过程:对镁基金的扩散面和中间层的第二扩散面分别进行表面处理,然后利用真空扩散焊接工艺,在第二温度下对表面处理后的镁基金和中间层进行扩散连接,即得到通过中间层连接的镁基金和铝基金;第一温度高于第二温度
  • 基金连接方法
  • [发明专利]用于化学气相沉积的金属前体溶液-CN200810109261.1无效
  • 雷新建;L·J·奎恩;J·A·T·诺曼;W·F·小伯戈恩;G·S·拉尔;M·厄尔曼;D·P·斯彭斯 - 气体产品与化学公司
  • 2008-04-16 - 2009-01-14 - C23C16/18
  • 本发明描述了用于化学气相沉积的金属前体溶液,描述了包含前体液体溶液的金属源,其用于包括原子层沉积的化学气相沉积方法,以在基底上形成保形的含金属薄膜。更具体地,该金属源前体液体溶液由以下物质组成(i)至少一种金属络合物,其选自:β-二酮化物、β-酮亚胺化物、β-二亚胺化物、烷基金金属羰基、烷基金羰基、芳基金、芳基金羰基、环戊二烯基金、环戊二烯基金异氰化物、环戊二烯基金氰、环戊二烯基金羰基、金属醇化物、金属醚醇化物、和金属酰胺,其中配体可以是与金属原子配位的单齿的、二齿的和多齿的,金属选自2到14族的元素,以及(ii)选自包括直链酰胺和环酰胺的有机酰胺的溶剂,以用于这种含金属源的前体。
  • 用于化学沉积金属溶液
  • [实用新型]快速直热式电子枪的阴极组件-CN200720056008.5无效
  • 周宏铸 - 宜昌市电子总公司东莞分厂
  • 2007-08-24 - 2008-06-11 - H01J29/48
  • 本实用新型涉及一种快速直热式电子枪的阴极组件,包括一基金热丝,该基金热丝的两端分别连接在两热丝引线上,两热丝引线固定设置于一支座上,基金热丝为螺旋状,且基金热丝表面上涂覆有作为阴极的氧化物涂层。本实用新型之重点在于通过将基金热丝设为螺旋状结构,加大了基金热丝在单位空间里的发热面积,然后在基金热丝的螺旋状部位上涂覆氧化物层,使氧化物与基金热丝的接触面积最大化,完全利用了基金热丝的发热面积
  • 快速直热式电子枪阴极组件
  • [发明专利]一种克服钼基金栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法-CN200910237091.X无效
  • 李永亮;徐秋霞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2009-11-04 - 2011-05-11 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种克服钼基金栅叠层结构制备中钼与硅反应的方法,包括以下步骤:步骤10:在半导体衬底(100)上形成高K栅介质层(101);步骤20:高K栅介质层(101)经过快速热退火处理后,在其上形成钼基金栅电极层(102);步骤30:在钼基金栅电极层(102)上形成势垒层(103);步骤40:在势垒层(103)上形成硅栅层(104)。本发明在钼基金栅和硅栅之间加入一层势垒层,可以防止钼基金栅在硅栅淀积的过程中与硅栅发生反应。另外,该结构的功函数由处于底层的钼基金栅决定,所以该方法不会影响P管功函数需要的钼基金栅的功函数,为实现高K/钼基金栅的叠层结构制备清除了障碍。
  • 一种克服基金属栅叠层结构制备反应方法

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