专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]多层立体效果的隐形磁条金融交易卡-CN201520879807.7有效
  • 程鹏;杨德奎 - 黄石捷德万达金卡有限公司
  • 2015-11-06 - 2016-04-06 - G06K19/06
  • 本实用新型多层立体效果的隐形磁条金融交易卡,包括有依次附着的正面膜层、正面印刷油墨层、正面基片层、反面基片层、反面印刷油墨层、反面膜层,在正面印刷油墨层与正面基片层之间增加正面透明基片层、层压胶层、中间印刷油墨层,其中层压胶层和中间印刷油墨层依次印刷在正面基片层上,在正面基片层与反面白基片层之间增加中间绕线层;在磁条和反面膜层上依次增加磁条遮盖层和印刷油墨层;在正面膜层向内植入双界面芯片模块;双界面芯片模块的底面植入到反面白基片层中;本实用新型结构设计合理、实用,功能更齐全,用途更广,而且将多层立体结构应用于带隐形磁条的交易卡上,丰富交易卡的产品种类,为客户提供更多的选择和优良的产品。
  • 多层立体效果隐形磁条金融交易
  • [发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202210108383.9在审
  • 大村和久 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-01-28 - 2022-08-16 - G03F7/16
  • 本发明提供基片处理装置和基片处理方法,其使形成于基片上的由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的膜厚更均匀。作为基片处理装置的液处理单元(U5)是对曝光处理前的基片正面,使用处理液进行处理的基片处理装置,其中,该基片正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜,该基片处理装置包括保持基片基片保持部(20)和处理液供给部(40),该处理液供给部(40)对由基片保持部(20)保持的基片正面供给以水为主成分的处理液。
  • 处理装置方法
  • [实用新型]一种偏光片结构-CN201620090928.8有效
  • 张坤彬 - 河源市美迪实业有限公司
  • 2016-01-29 - 2016-08-31 - G02F1/1335
  • 本实用新型涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种偏光片结构;本实用新型的一种偏光片结构包括基片基片的背面设置有凹部,基片的背面贴合在液晶面板上,基片正面依次设置有聚乙烯醇胶层和抗静电层,基片正面贴合有增亮膜;在本实用新型中,基片的背面贴合在液晶面板上,基片的背面上的凹部有利于吸附在液晶面板上,使基片不易脱落;基片正面依次设置有聚乙烯醇胶层和抗静电层,聚乙烯醇胶层增强基片的偏光性能,抗静电层使基片的抗静电性能增强,基片正面贴合有增亮膜,增亮膜方便基片自身调节其亮度;本实用新型可以本身调节亮度且抗静电性能好,防磨痕。
  • 一种偏光结构
  • [发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN202110982500.X在审
  • 稻叶翔吾;川北直史 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-08-25 - 2022-03-04 - H01L21/67
  • 本发明为在基片正面的周缘和侧面形成涂敷膜的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。在基片的包含正面的周缘和侧面在内的周缘部形成涂敷膜的基片处理装置,包括:基片保持部,其构成为能够以基片可旋转的方式保持基片;第1药液供给部,其构成为能够对包含基片的背面在内的基片的周缘供给第1药液;部分除去部,其将供给到基片上的第1药液中的、附着于基片正面和侧面的至少一部分的第1药液除去;第2药液供给部,其构成为能够对基片正面和侧面供给用于形成涂敷膜的第2药液;第1药液除去部,其将保留在附着了第2药液的基片上的第1药液除去;和控制基片保持部、第1药液供给部、部分除去部、第2药液供给部和第1药液除去部的控制部。
  • 处理装置方法存储介质
  • [发明专利]太阳能电池基片绒面结构的形成方法-CN200510029562.X有效
  • 苏晓平;江彤 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2005-09-12 - 2007-03-21 - H01L31/18
  • 一种太阳能电池正面上形成绒面结构的方法,包括:步骤1,用碳化硅(SiC)砂对硅基片正面进行喷砂处理,除去硅基片正面上的一些膜,如氮化硅膜、氮化钛膜、碳炭化硅膜,使有缺陷的硅层曝露在外面,并使硅基片正面形成粗糙表面,粗糙度大于0.3μm,而硅基片的背面保持光滑表面;步骤2,将其正面形成粗糙表面的硅基片浸渍到酸腐蚀溶液,经过该腐蚀处理的硅晶基片具有粗糙表面而硅片背面却变成了光滑表面;步骤3,清洗。用本发明方法在太阳能电池硅基片正面上形成绒面结构所需要的设备少,更容易在太阳能电池用的硅基片正面上形成绒面结构,缩短了太阳能电池的制造工艺时间,减少了化学腐蚀溶液的浪费,降低了太阳能电池的制造成本。
  • 太阳能电池基片绒面结构形成方法
  • [实用新型]一种背接触太阳能电池-CN201420360768.5有效
  • 刘运宇;王栩生;章灵军 - 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
  • 2014-07-01 - 2014-11-12 - H01L31/0224
  • 本实用新型涉及光电设备技术领域,尤其涉及一种背接触太阳能电池,包括:基片,所述基片包括基片背面和基片正面,所述基片正面基片背面上均分布有PN结;所述基片正面设置有正面第一电极栅线,所述基片背面分布有背面第一电极栅线和第二电极栅线,且两者电性相反;所述背面第一电极栅线和第二电极栅线交错分布,所述正面第一电极栅线和背面第一电极栅线相对于基体交错分布;所述基片背面还设有第一焊接电极和第二焊接电极,所述第二焊接电极连接第二电极栅线,所述第一焊接电极分别连接背面第一电极栅线和正面第一电极栅线
  • 一种接触太阳能电池
  • [发明专利]高频电路-CN200410005396.5无效
  • 稻元辰信;宫原二郎 - 夏普株式会社
  • 2004-02-12 - 2004-08-18 - H01P1/00
  • 一种高频电路包括其正面侧上具有电子元件的基片、在基片的几乎整个背面侧上形成的第一接地图案、基片正面侧上形成的微带线和连接到基片正面侧上的电子元件且在基片正面侧和背面侧上连续形成以便在平面图上在基片的背面侧上交叉经过微带线从而向电子元件提供偏置电压的偏置线,其中形成第一接地图案以便包围基片的背面侧上形成的偏置线,包围基片背面侧上的偏置线的部分第一接地图案连续地形成于基片正面侧上作为第二接地图案,从而将微带线分成两个部分,并排列片形跳线在第二接地图案上桥接两个分开的微带线部分以电连接分开的微带线
  • 高频电路
  • [发明专利]导体基片结构的校准方法-CN01808245.9无效
  • H·许布纳 - 因芬尼昂技术股份公司
  • 2001-03-28 - 2003-06-18 - H01L21/98
  • 在集成电路的三维集成过程中,将变薄的半导体基片(1)安置在第二半导体基片中,并保持机械和电气连接。在此之后,在第二薄半导体基片(1)中形成持续接触孔(24),该孔从基片背面(3)一直到基片正面(12)第一金属连线平面。为了将接触孔(24)与在正面(2)中安置的结构校准,在基片(1)的正面(2)设计了结构(4),它可以作为正面(2)上的校准标记(7)。从结构(4)向外生长出一个有效层(15),结构在基片(1)的背面(3)裸露,从而结构(4)能够从背面(3)用作校准标记(7)。这避免了在正面(2)与背面(3)上结构之间的校准误差。
  • 导体结构校准方法
  • [发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202011214947.4在审
  • 熊谷圭惠;久松亨;本田昌伸 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-11-04 - 2021-05-14 - H01L21/205
  • 本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种,使第一反应种吸附在基片正面的工序。此外,基片处理方法包括b)在腔室内,将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体,在基片正面形成膜的工序。此外,基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。
  • 处理方法装置

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