专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]透气垫基材-CN201120459333.2有效
  • 廖顺得 - 廖顺得
  • 2011-11-18 - 2012-07-11 - A47C27/00
  • 本实用新型涉及汽车用品技术领域,特指一种透气垫基材;本实用新型透气垫基材,由多个透气单元呈矩阵状排列组成,透气单元为框架,各透气单元间由挠性连结条相互连结组成板状垫;本实用新型基材由透气单元组成,使基材内部具备透风透气缝隙或管道,空气可在基材人、外部任意流通交换,达到调节基材表面温度的效果,且基材具备弹性及高强度,可承受重压而不变形。
  • 透气基材
  • [实用新型]一种防揭开帽基材、帽及胶帽结构-CN202221729628.1有效
  • 何晓栋;宋卓;宁彦阳;夏炳欢 - 上海天臣微纳米科技股份有限公司;上海天臣射频技术有限公司
  • 2022-07-06 - 2022-11-04 - B65D51/24
  • 本申请公开了一种防揭开帽基材、帽及胶帽结构,所述帽基材包括:圆台或圆柱状结构,所述圆台或圆柱状结构的端部设有粘接环;所述帽基材至少依次复合第一基材层和第二基材层,所述第一基材层与第二基材层通过胶层相互连接;其中,所述第一基材层包括:基层、印刷信息层和/或防伪信息层。所述帽,包括:如所述的帽基材,所述帽由所述帽基材卷绕形成。所述胶帽结构,包括:帽顶以及所述的帽,所述帽顶连接于所述帽轴向较细的一端。本申请中的第一基材层与第二基材层相互粘接后,大大提升了帽基材的强度,解决了部分材料无较厚规格产品因而不能用于胶帽产品的问题。
  • 一种揭开基材结构
  • [实用新型]透风透气垫基材-CN201120456412.8有效
  • 廖顺得 - 廖顺得
  • 2011-11-17 - 2012-07-11 - A47C27/00
  • 本实用新型涉及汽车用品技术领域,特指一种透风透气垫基材;本实用新型透风透气垫基材,由多个透气单元呈矩阵状排列组成,透气单元为框架,各透气单元间由挠性连结条相互连结组成板状垫,板状垫其中一侧的透气单元的侧边具有公扣销,板状垫其中一侧的透气单元的侧边具有与公扣销匹配的母扣环;本实用新型基材由透气单元组成,使基材内部具备透风透气缝隙或管道,空气可在基材人、外部任意流通交换,达到调节基材表面温度的效果,且基材具备弹性及高强度
  • 透风透气基材
  • [发明专利]化合物材料晶片的制造方法-CN200810002207.7有效
  • 弗雷德里克·杜蓬 - 硅绝缘体技术有限公司
  • 2005-11-08 - 2008-07-16 - H01L21/00
  • 本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法:提供初始施基材(1),在初始施基材(1)内形成预定的分离区(4),将初始施基材(1)附着在操作基材(2)上,和在预定的分离区(4)对施基材(1)进行拆分,从而将施基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率,该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施基材(1)作为步骤a)中的初始施基材
  • 化合物材料晶片制造方法
  • [发明专利]化合物材料晶片的制造方法-CN200510115630.4有效
  • 弗雷德里克·杜蓬 - 硅绝缘体技术有限公司
  • 2005-11-08 - 2006-06-21 - H01L21/02
  • 本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法:提供初始施基材(1),在初始施基材(1)内形成预定的分离区(4),将初始施基材(1)附着在操作基材(2)上,和在预定的分离区(4)对施基材(1)进行拆分,从而将施基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率,该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施基材(1)作为步骤a)中的初始施基材
  • 化合物材料晶片制造方法
  • [发明专利]一种多层复合防静电基材-CN202010836989.5在审
  • 李啸寰;乐寿勇 - 江苏斯瑞达材料技术股份有限公司
  • 2020-08-19 - 2020-12-18 - E04F15/02
  • 本发明公开了一种多层复合防静电基材,包括防静电基材、硅胶防静电层、碳纤维层、复合外层和基材凸起,防静电基材的上下两侧均设置有硅胶防静电层,上侧硅胶防静电层的顶部设置有碳纤维层,下侧硅胶防静电层的底部设置有复合外层,防静电基材的上下两侧分别均匀设置有基材凸起,且基材凸起对应嵌合安装在硅胶防静电层上,防静电基材包括两组基材,两组基材相互远离的一侧均设置有基材封层,基材上自左向右等间距设置有降音组件,相邻两组降音组件之间设置有防腐组件,本发明结构设计合理,提高基材使用时的防静电效果,同时便于对基材受到外部物体撞击时进行吸音,减少产生刺耳响亮声音的情况,提高降噪隔音效果。
  • 一种多层复合静电基材
  • [发明专利]煞车块-CN200810172591.5有效
  • 莫韦恩 - 永克达工业股份有限公司
  • 2008-10-31 - 2010-06-09 - B62L1/10
  • 一种煞车块,其包括塑料射出成型的一第一基材,该第一基材一端形成一固定部,该固定部与夹座组设,该第一基材的另一端则形成一结合部,该结合部是用以与橡胶材质的一第二基材对应加工;该第二基材包覆结合部,使第一、第二基材成型为一,该第二基材相对第一基材的另一端形成有摩擦减速用的一煞车部。
  • 煞车
  • [发明专利]高密度QFN封装及其制备方法-CN201610141892.6在审
  • 陈莉;司文全 - 无锡华润安盛科技有限公司
  • 2016-03-11 - 2017-07-07 - H01L23/495
  • 本发明涉及一种高密度QFN封装及其制备方法。高密度QFN封装包括在基材上呈矩阵排列的多个QFN产品;每个QFN产品包括芯片及引线,芯片固定在基材上,引线将芯片与基材相连;基材上设置有覆盖基材、芯片及引线的塑封;各个QFN产品之间的间距为0.1mm制备方法包括在基材支撑板上形成基材和呈矩阵排列的多个QFN产品,并且使各QFN产品间的间距为0.1mm以上;将芯片安装于基材上;将引线连接于芯片和基材之间;将芯片、引线和基材形成塑封;去除基材支撑板,形成高密度QFN封装
  • 高密度qfn封装及其制备方法
  • [发明专利]三维集成晶片元件及其形成方法-CN202210382248.3在审
  • 庄学理;黄文铎;林新富;吴伟成 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-04-12 - 2022-10-28 - H01L21/822
  • 一种三维集成晶片元件及其形成方法,在一些实施方式中,本揭露涉及一种包含绝缘上硅(SOI)基材的元件。第一半导体元件设在绝缘上硅基材的正面上。互连结构布置在绝缘上硅基材的正面上方,且耦合第一半导体元件。浅沟渠隔离(STI)结构布置在绝缘上硅基材的正面中,且围绕第一半导体元件。第一及第二深沟渠隔离(DTI)结构从浅沟渠隔离结构延伸至绝缘上硅基材的绝缘层。部分的第一与第二深沟渠隔离结构透过绝缘上硅基材的主动层彼此分开。背面穿基材介层窗(BTSV)从绝缘上硅基材的背面完全延伸穿过绝缘上硅基材至正面。背面穿基材介层窗直接布置在第一与第二深沟渠隔离结构间。
  • 三维集成晶片元件及其形成方法

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