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[实用新型]桥式整流二极管-CN201621469010.0有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm，有源区尺寸4.72mm×4.72mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管反向击穿电压高，正向电流高。
整流二极管

[实用新型]开关电源用整流二极管-CN201922467605.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉开关电源用整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅层和外环高掺杂N型硅环中间有一个高掺杂P型硅基环；所述高掺杂P型硅基环和高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环横向距离相等，所述低掺杂的N型硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积石墨烯层。本实用新型的开关电源用整流二极管反向恢复时间短，开关特性好，适用于高速开关型电源。
开关电源整流二极管

[实用新型]一种桥式整流二极管-CN201721882359.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，有源区尺寸2.71mm×2.71mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属V作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管尺寸小，反向击穿电压高。
高掺杂衬底低掺杂基环桥式整流二极管本实用新型沉积金属石墨烯层反向击穿电压阳极金属电极阴极金属电极圆角长方体二极管阴极阳极保护膜硅晶片源区背面

[实用新型]一种快恢复二极管-CN201520928417.4有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，硅晶片尺寸为2.7mm×1.8mm，厚度为270±10μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有4个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有三个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。本实用新型反向击穿电压高，正向压降低，开关特性好。
一种恢复二极管

[实用新型]一种高压整流二极管-CN201520928435.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种高压整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，厚度为252±15μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角正方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有高掺杂P型硅基双环结构，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管（CNT）层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。本实用新型尺寸小，反向击穿电压高，正向压降低，稳定性好。
一种高压整流二极管

[实用新型]电子书触控板传感器用光电二极管-CN201721880634.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔，接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积Cr/Au混合金属作为阴极。本实用新型的二极管尺寸小，寿命长，灵敏度高，适用于电子书触控板传感器。
高掺杂衬底低掺杂触控板传感器光电二极管接触孔碳纳米阴极本实用新型圆角正方形二极管沉积金属混合金属外延硅层阳极灵敏度外凸起沉积背面

[实用新型]一种微型硅光电二极管-CN201520974428.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种微型硅光电二极管，硅晶片尺寸为0.5mm×0.3mm，有源区面积0.43mm×0.23mm，厚度为280±10μm，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环上有氮化硅钝化薄膜，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述氮化硅钝化薄膜上有圆角正方形状接触孔，所述接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积金属Au作为阴极。本实用新型尺寸小，灵敏度高，可应用于光通信、激光二极管功率控制等领域。
一种微型光电二极管

[实用新型]汽车传感器用光电二极管-CN201922467618.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，所述高掺杂P型硅层外边缘、高掺杂N型硅层内边缘和低掺杂的N型高阻硅衬底上覆盖氮化硅钝化薄膜；所述氮化硅钝化薄膜、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上沉积碳纳米层。本实用新型的二极管稳定性好，灵敏度高，可应用于汽车传感器。
汽车传感器用光电二极管

[实用新型]照明式开关电源用快恢复二极管-CN201922459013.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及照明式开关电源用快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有两个高掺杂P型硅基环，高掺杂P型硅基区、高掺杂N型硅发射区和两个高掺杂P型硅基环间等距离间隔，本实用新型的二极管结构反向恢复时间短
照明开关电源恢复二极管

[实用新型]照明用LED电源的整流二极管-CN201822254278.8有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了照明用LED电源的整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层；所述N型硅衬底上有两个环形结构，外环为高掺杂的N型硅扩散层，内环为高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有碳纳米管CNT层；所述碳纳米管CNT
高掺杂照明用衬底整流二极管基环本实用新型碳纳米管低掺杂钝化膜层环形结构桥式整流闩锁效应复合层能力强传导内环

[实用新型]IGBT模块用快恢复整流二极管-CN202023327304.9有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型涉及IGBT模块用快恢复整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅环上沉积氮掺杂碳纳米层，所述P型硅基环顶端包裹在氮掺杂碳纳米层内。本实用新型的IGBT模块用快恢复整流二极管采用氮掺杂碳纳米层和三个环形结构，内环的硅基环顶端略陷入氮掺杂碳纳米层内降低有源区对基区的注入，增加和碳纳米层的接触面积，形成的二极管结构反向恢复时间短，性能稳定
igbt 模块恢复整流二极管

[实用新型]低压快恢复二极管-CN202023314855.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及低压快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上沉积碳纳米层，所述N型硅衬底和氮掺杂碳纳米层接触处设有凹陷结构
低压恢复二极管

[实用新型]硅光电二极管-CN201320511499.3有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：硅光电二极管，低掺杂的长方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的长方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着N型硅层，P型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。
光电二极管

[实用新型]一种硅光电二极管-CN201320511500.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P+N结，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的正方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着低掺杂的N型硅层，所述高掺杂的P型硅层厚度为200±5μm，P型硅层上表面设有氮化硅膜，在P型硅层中心部位的氮化硅膜上开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极,N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极；所述低掺杂的正方体N型（N-）硅晶片边长为0.61mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。
一种光电二极管

[实用新型]一种用于IGBT模块的二极管-CN201721882349.8有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于IGBT模块的二极管，硅晶片尺寸为3.4mm×4.5mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，电极外设有保护膜，其特征在于，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有石墨烯层。本实用新型的二极管，正向反向击穿电压高，正向能承受的最大电流高。
高掺杂二极管衬底本实用新型低掺杂基区正向反向击穿电压圆角长方体石墨烯层最大电流保护膜发射区硅晶片电极基环

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