专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于硅酸和矿的硼酸钾制备方法-CN200810143750.9无效
  • 刘建良;廖志辉;李飞跃;朱崇高;刘东晓;段立山;黎志坚 - 湖南有色氟化学有限责任公司
  • 2008-11-28 - 2009-05-06 - C01B35/12
  • 基于硅酸和矿的硼酸钾制备方法,将硅酸浸出矿,经过滤,除杂,精制,合成硼酸钾产品的步骤如:I选取硅酸、矿制作浸出液;II将浸出液过滤,去渣留滤液;III滤液中加入N除杂剂进行除杂,过滤去杂质留精制液;IV上述精制液中加入氯化钾进行合成反应;V过滤溶液,得到硼酸钾软膏;VI硼酸钾软膏经干燥得到产品。它采用从硅酸浸出矿,再经过滤,除杂,精制,最后用精制液与氯化钾溶液合成硼酸钾产品的技术方案,它克服了硼酸钾传统生产工艺中必须使用不可再生的战略储备物-萤石,硼砂、硼酸货源紧缺,价格偏高,传统生产工艺生产成本高等缺陷它适合无机氟化物的制备,特别适合用于以硅酸和矿的硼酸钾的制备。
  • 基于硅酸硼酸制备方法
  • [发明专利]P高浓度掺杂硅及BCD产品P沟道MOS管制作工艺-CN201010608139.6有效
  • 潘光燃 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
  • 2010-12-16 - 2012-07-11 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种P高浓度掺杂硅及BCD产品P沟道MOS管制作工艺,用以解决现有技术中制作的P高浓度掺杂硅由于晶格缺陷导致的漏电问题。该P高浓度掺杂硅的工艺实现方法中,低压淀积氧化硅介质层,然后对衬底进行光刻,定义注入区域,在定义的注入区域内,注入离子,对注入的离子进行高温退火。由于在本发明实施例制作P高浓度掺杂硅前,低压淀积氧化硅介质层,可以缓减离子注入对硅表面的撞击,在进行离子注入时,注入的为离子,由于离子的分子量比较小,因此注入的能量较小,对硅表层的撞击减小,而且注入的杂质不包含原子,避免了由原子导致的缺陷问题,从而减小了产生晶格缺陷的风险,也降低了出现漏电的可能性。
  • 浓度掺杂bcd产品沟道mos制作工艺
  • [发明专利]一种具有给受体的染料分子及其季铵盐与制备方法-CN202011461662.0有效
  • 李航;朱沛宁;胡盛青;郑自儒 - 湖南航天磁电有限责任公司
  • 2020-12-08 - 2022-06-14 - C09B57/00
  • 一种具有给受体的染料分子及其季铵盐与制备方法,具有给受体的染料分子的制备方法,包括以下步骤:以4‑溴苯甲醛、吡啶‑4‑硼酸、碳酸钾为主要反应物得到吡啶‑4‑甲醛化合物;以吡啶‑4‑甲醛化合物、2‑甲基吡咯、氧化剂、三氟化乙醚为主要反应物,得含有吡啶结构的二吡咯化合物;以含有吡啶结构的二吡咯化合物、4‑二苯胺基苯甲醛和酸为主要反应物,得到具有给受体的染料分子。本发明还包括具有给受体的染料分子的季铵盐及其制备方法。本发明含有吡啶和三苯胺的二吡咯及其季铵盐类化合物与常规二吡咯类染料相比,吸收波长长,光热性质好,化学稳定性好,适用于光热力学治疗。
  • 一种具有受体染料分子及其铵盐制备方法
  • [发明专利]一类含有咔唑结构的强荧光二吡咯染料-CN200910011731.5有效
  • 肖义;张大奎 - 大连理工大学
  • 2009-05-24 - 2009-10-28 - C09B57/00
  • 本发明属于有机化工和精细化工技术领域中一类含有咔唑结构的强荧光二吡咯染料,由于含有咔唑结构的强荧光二吡咯染料及其衍生物的制备方法采用二吡咯与带取代基的咔唑醛为原料,它们的摩尔比为1∶2~5,哌啶为催化剂,4分子筛为脱水剂,二吡咯与催化剂的摩尔比为1∶0.01~0.20,在有机溶剂中,100~150℃,在氩气或氮气保护下,搅拌反应8~50h,咔唑醛与二吡咯活泼亚甲基脱水生成二吡咯衍生物,在二吡咯上引入带有不同取代基的咔唑结构后,改变了二吡咯化合物光性质,使其吸收光谱红移80纳米,发射光谱红移90纳米,保持较高荧光量子产率0.67,激光效率达30%以上,得到一类含有咔唑结构的强荧光的二吡咯衍生物
  • 一类含有结构荧光氟硼二吡咯染料

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