“垂直腔面发射激光器阵列”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12722625个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]垂直腔面发射激光器阵列-CN202122220410.5有效
发明人：李浩 -专利权人：无锡神州高芯科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器阵列，属于垂直腔面发射激光器技术领域。解决了现有技术存在的功率转换效率、输出功率和出光均匀性较差的技术问题。该垂直腔面发射激光器阵列，包括半导体层及形成于一个半导体层上的若干阵列单元，每个阵列单元均存在氧化沟槽、台面、环以及出光面，出光面存在有电极，台面中设有氧化层，氧化层内存在出光孔，阵列单元中至少部分阵列单元的氧化沟槽、台面、环、电极四者中的任意一者或多者的形状为不规则形状以使出光孔的形成不规则形状，至少一部分阵列单元中不同的阵列单元的出光孔的形状彼此不同。本实用新型用于提高垂直腔面发射激光器阵列的功率转换效率、输出功率和出光均匀性。
垂直发射激光器阵列

[发明专利]垂直腔面发射激光器阵列-CN202110923392.9在审
发明人： M.A.希拉齐侯赛尼多克特;A.V.巴夫;M.G.彼得斯 -专利权人：朗美通经营有限责任公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：在一些实施方式中，垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括多个信道、多个迹线和多个发射器。多个信道中的一信道可以包括多个发射器中的发射器组，所述发射器组布置在发射器行中。
垂直发射激光器阵列

[发明专利]垂直腔面发射激光器阵列-CN201880099293.X有效
发明人：汪洋;贺永祥;锡瓦·兰卡;姜烔锡 -专利权人：深圳瑞识智能科技有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种VCSEL阵列(300)，其分为第一区域和第二区域。所述第一区域覆盖所述阵列的中心并且由所述第二区域包围。在给两个区域中的VCSEL通电给定时间段后，第一区域的温度将比第二区域的温度高。
垂直发射激光器阵列

[发明专利]高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列-CN202011554812.2有效
发明人：金冬月;潘永安;张万荣;杨绍萌;贾晓雪;周钰鑫;雷鑫;杨滢齐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的注入电流大于第二垂直腔面发射激光器单元的注入电流；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，大于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，可在不改变各个垂直腔面发射激光器单元原有台面排布的基础上，实现在较大偏置范围内对垂直腔面发射激光器阵列中结温分布均匀性的有效改善，进而提高其输出光束质量
均匀分布垂直发射激光器阵列

[发明专利]出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法-CN202011329497.3有效
发明人：金冬月;杨绍萌;张万荣;那伟聪;吴玲;杨滢齐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该阵列包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的电阻大于第二垂直腔面发射激光器单元的电阻；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，小于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，在垂直腔面发射激光器单元高度集成、不增大阵列的面积和不改变台面排布设计的基础上，能有效改善阵列的结温分布不均，并且能提高出光功率的均匀性和稳定性
功率均匀垂直发射激光器阵列及其制造方法

[实用新型]激光照明装置-CN201420504450.X有效
发明人：咸洋 -专利权人：咸洋
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一类激光照明装置，包括垂直腔面发射激光器阵列散热单元和电控单元，以及在垂直腔面发射激光器阵列光轴方向上放置的透光介质。散热单元除固定垂直腔面发射激光器阵列的作用外，可以保证垂直腔面发射激光器阵列正常工作时的有效散热。所述电控单元可以控制垂直腔面发射激光器阵列的开关及激光发光功率。垂直腔面发射激光器阵列光轴方向上的透光介质，可以改变激光发射的角度，满足不同照明角度的需要。该实用新型解决了现有激光照明技术中半导体激光器光斑需要先进行匀化整形处理，导致光功率损耗，以及垂直腔面发射激光器照明装置照明角度单一的问题。
激光照明装置

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器器件-CN202221903832.0有效
发明人：刘嵩;梁栋;张成 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器器件，包括：基板；多个金属层，设置在所述基板上；以及多个垂直腔面发射激光器阵列，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括多个发光单元；其中，每一所述垂直腔面发射激光器阵列与每一所述金属层电性连接通过本实用新型提供的垂直腔面发射激光器器件，能够提高垂直腔面发射激光器器件的发光均匀性。
一种垂直发射激光器器件

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法-CN202110645618.3有效
发明人：梁栋;张成;刘嵩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法，涉及激光器技术领域，所述垂直腔面发射激光器阵列包括多个垂直腔面发射激光器，所述制备方法包括：在衬底上形成第一外延结构；在所述第一外延结构远离所述衬底的一侧刻蚀形成多个发光孔本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法，以实现不形成台面结构，从而相邻垂直腔面发射激光器可以连续地连接，减小了相邻两个垂直腔面发射激光器之间的距离，增加了垂直腔面发射激光器阵列中垂直腔面发射激光器的设置密度
一种垂直发射激光器阵列及其制备方法

[发明专利]倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法-CN201911383033.8在审
发明人：鲍益勤 -专利权人：欧比克半导体公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法，其包含:形成一垂直腔面发射激光器柱阵列；对垂直腔面发射激光器柱阵列涂布一介电层，介电层填满柱体之间的沟槽，形成垂直腔面发射激光器柱阵列并覆盖柱体；对垂直腔面发射激光器柱阵列进行平面化，以移除覆盖柱体的介电层，使得柱体一顶表面曝露出一金属层；于柱体一顶表面上的金属层涂布一金属涂层，金属涂层定义垂直腔面发射激光器柱阵列的一接触图案；以及，在金属涂层上涂布焊料以将垂直腔面发射激光器柱阵列倒装到一基板封装上本发明可以消除连接线及连接垫的需求，以减少倒装芯片垂直腔面发射激光器的面积，以及简化后续的光刻及金属相关制程。
倒装芯片发射垂直激光器封装及其制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法-CN202111642224.9在审
发明人：关宝璐;闻燕;张晓昱;王宏卓;叶文轩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S5/062 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法，垂直腔面发射激光器阵列结构由上至下依次包括偏振选择结构、液晶模块和垂直腔面发射激光器本体，偏振选择结构能够进行单偏振和偏振调控输出，以获得高正交偏振抑制比的偏振开关功能；液晶模块包括与垂直腔面发射激光器本体相对设置的玻璃基板，以及位于所述玻璃基板和所述垂直腔面发射激光器本体之间的衬垫，以及由所述玻璃基板、所述垂直腔面发射激光器本体和所述衬垫组成的液晶腔室，液晶填充在所述液晶腔室内；垂直腔面发射激光器本体用于发射线偏振光。本发明能够解决现有技术中激光器阵列偏振特性差、偏振调控效率低等缺陷，实现光偏振稳定且开关可调。
垂直发射激光器阵列结构及其制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器阵列-CN202210189671.1在审
发明人：刘嵩;张成;翁玮呈;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提出一种垂直腔面发射激光器阵列，包括：衬底；多个形成于衬底上的垂直腔面发射激光器子阵列，每一垂直腔面发射激光器子阵列包括多个发光单元；多个第一电极，第一电极形成于多个发光单元的一侧；多个第二电极，本发明提出的垂直腔面发射激光器阵列可以实现对垂直腔面发射激光器阵列分区控制。
一种垂直发射激光器阵列

[实用新型]一种光源模组、结构化光生成器以及深度相机-CN202220533827.9有效
发明人：朱瑞;朱健;郝成龙;谭凤泽 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光源模组、结构化光生成器以及深度相机，其中，该光源模组包括：垂直腔面发射激光器阵列以及超透镜阵列；垂直腔面发射激光器阵列包括多个垂直腔面发射激光器单元，垂直腔面发射激光器单元用于发射高斯光束；超透镜阵列包括多个与垂直腔面发射激光器单元一一对应的超透镜单元，超透镜阵列设置于垂直腔面发射激光器阵列的出光侧，且超透镜单元用于将高斯光束整形为平顶光束。通过本实用新型实施例提供的光源模组、结构化光生成器及深度相机，使用超透镜阵列作为调整高斯光束的工具的光源模组，不仅能很好地实现将高斯光束调整为平顶光束解决像素过曝问题，还具备了质量轻、整体厚度薄、系统简单
一种光源模组结构生成器以及深度相机

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器阵列及激光发射器-CN202221738295.9有效
发明人：刘嵩;梁栋;张成 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本实用新型提出一种垂直腔面发射激光器阵列及激光发射器，包括：衬底，至少一发光单元，设置在衬底上，且发光单元包括至少两个有源层，且有源层通过隧道结连接。以及绝缘层，设置在衬底上，且覆盖发光单元侧壁。其中，发光单元呈线性排布，以形成垂直腔面发射激光器阵列。其中，垂直腔面发射激光器阵列的长边与短边的比值大于或等于三。本实用新型提出的垂直腔面发射激光器阵列及激光发射器减小了发散角。
一种垂直发射激光器阵列激光发射器

[发明专利]一种激光器芯片及其制造方法与应用-CN202010314651.3在审
发明人：霍轶杰;张成;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明提出一种激光器芯片，包括，至少两个垂直腔面发射激光器阵列，所述至少两个垂直腔面发射激光器阵列的发光孔的孔径不同，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括至少两个垂直腔面发射激光器；其中，所述垂直腔面发射激光器包括本发明提出的激光器芯片可以提高光输出功率。
一种激光器芯片及其制造方法应用

[发明专利]微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构-CN201210171262.5无效
发明人：张祥伟;宁永强;秦莉;刘云;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，属于半导体光电子学技术领域，为提高现有高功率垂直腔面发射激光器光束的相干度，本发明提供微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，包括多个微透镜集成垂直腔面发射激光器，所述每个微透镜集成垂直腔面发射激光器由上至下为n面电极、衬底、缓冲层、n型DBR层、有源区、氧化限制层、p型DBR层、欧姆接触层和金属栅格电极；所述衬底上面腐蚀成微透镜；在所述有源区向下至金属栅格电极两侧设置钝化层本发明是阵列单元之间相干耦合输出的高功率垂直腔面发射激光器阵列，具有良好的光束相干性，在激光探测、激光雷达成像、激光加工、激光操控、激光武器等应用领域具有潜在的价值。
透镜集成垂直发射激光器相干控制阵列结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条