专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于光纤与各向异性波导的偏振无关耦合的装置-CN202010455830.9在审
  • 飒米穆萨;刘永 - 苏州先米科技有限公司
  • 2020-05-26 - 2020-09-22 - G02B6/30
  • 本发明涉及光纤技术领域,具体公开了一种用于光纤与各向异性波导的偏振无关耦合的装置,其中,包括:光纤、转换器和波导,所述转换器的一端与所述光纤连接,所述转换器的另一端与所述波导连接,所述光纤与所述转换器连接的一端为楔形端头,所述转换器的一端的水平方向直径与所述楔形端头的水平方向直径相匹配,所述转换器的一端的垂直方向直径与所述楔形端头的垂直方向直径相匹配。本发明提供的用于光纤与各向异性波导的偏振无关耦合的装置能够实现匹配各向异性波导中TE和TM模式的直径,其中的楔形端头可以通过自动打磨处理来获得,因此不需要显著增加产品成本即可实现。
  • 一种用于光纤各向异性波导偏振无关耦合装置
  • [发明专利]一种小发散角半导体激光器及其制备方法-CN202011037170.9有效
  • 陈志标 - 武汉云岭光电有限公司
  • 2020-09-28 - 2021-11-30 - H01S5/10
  • 本发明涉及一种小发散角半导体激光器及其制备方法,该小发散角半导体激光器包括半导体激光器本体以及设置在半导体激光器本体出光端的一侧或者两侧的转换器,在转换器区域设置有扩展层,该扩展层设置在有源层的上方,激光器本体和转换器具有相同的有源层,扩展层仅设置在转换器区域,扩展层将激光器模式扩大,从而降低发散角。该小发散角半导体激光器仅仅在转换器区域设置有扩展层,同时该扩展层设置在有源层上方,不对有源层进行刻蚀,对激光器的性能影响很小的条件下获得小发散角。
  • 一种发散半导体激光器及其制备方法
  • [实用新型]一种用于光纤与各向异性波导的偏振无关耦合的装置-CN202020906831.6有效
  • 飒米穆萨;刘永 - 苏州先米科技有限公司
  • 2020-05-26 - 2020-12-29 - G02B6/30
  • 本实用新型涉及光纤技术领域,具体公开了一种用于光纤与各向异性波导的偏振无关耦合的装置,其中,包括:光纤、转换器和波导,所述转换器的一端与所述光纤连接,所述转换器的另一端与所述波导连接,所述光纤与所述转换器连接的一端为楔形端头,所述转换器的一端的水平方向直径与所述楔形端头的水平方向直径相匹配,所述转换器的一端的垂直方向直径与所述楔形端头的垂直方向直径相匹配。本实用新型提供的用于光纤与各向异性波导的偏振无关耦合的装置能够实现匹配各向异性波导中TE和TM模式的直径,其中的楔形端头可以通过自动打磨处理来获得,因此不需要显著增加产品成本即可实现。
  • 一种用于光纤各向异性波导偏振无关耦合装置
  • [发明专利]一种应用于数字散的饱水岩石试件表面制方法-CN201911200875.5有效
  • 张科;李娜;刘享华;许万忠 - 昆明理工大学
  • 2019-11-29 - 2021-09-10 - G01N1/28
  • 本发明公开了一种应用于数字散相关方法的饱水岩石试件表面制方法,本发明通过改变制作散的时间顺序,在岩石试件初步饱水时,用保鲜膜或橡胶严实包裹除制作人工散面的其余面,再喷漆制作人工散,防止水分在散面风干期间大量蒸发散完成后拆除保鲜膜或橡胶再次将岩石试件浸水至自然饱和状态。基于初步饱水后岩体内只有非常少量的气体排出,故散面在第二次饱水过程中不会因气体的逸出而顶起表面出现气泡,进而保证得到饱水岩石完整的散面,解决了饱水岩石利用数字散相关方法测量应变制作完整散的问题
  • 一种应用于数字岩石表面方法
  • [发明专利]一种与硅光集成芯片耦合的光纤阵列结构-CN202310684205.5在审
  • 刘亚东;蔡鹏飞 - NANO科技(北京)有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-09-01 - G02B6/42
  • 本发明公开一种与硅光集成芯片耦合的光纤阵列结构,包括:波导无源芯片以及光传导结构,且波导无源芯片上刻蚀有用于固定光传导结构的V型槽,光传导结构为光纤或光纤带;波导无源芯片与光传导结构耦合的一端的光大小与单模光纤的光相匹配,与硅光集成芯片耦合的一端的光大小与硅光集成芯片中转换器的光相匹配。波导无源芯片实现了转换功能,硅光集成芯片中光耦合结构的大小只需和波导无源芯片进行匹配即可,不受单模光纤的影响,可减少硅光集成芯片中光耦合结构的设计和制作难度,提高光耦合效率。
  • 一种集成芯片耦合光纤阵列结构
  • [发明专利]转换器及其制备方法-CN202211513231.3在审
  • 卢娟;王梦宾;付孟博;陶冶;刘杰涛;张薇;祝宁华 - 雄安创新研究院
  • 2022-11-29 - 2023-02-28 - G02B6/14
  • 本公开提供一种转换器及其制备方法,用于直接耦合光纤与光电探测器芯片,转换器包括:衬底;脊形波导,形成于衬底上,脊形波导包括沿平行于衬底表面方向依次连接的脊形单模波导、锥型渐变脊波导以及拓宽脊波导;其中,拓宽脊波导用于连接光纤,匹配光纤的;锥型渐变脊波导用于对光纤输出的光波的进行放大并集中传输光波;脊形单模波导用于将转换后的光波耦合到光电探测器芯片。该转换器提高了耦合效率、准和容差、传输效率,能够极大地降低单模光纤与脊形单模波导直接耦合的损耗,并且,该转换器紧凑集成度高,降低封装成本。
  • 转换器及其制备方法
  • [发明专利]一种转换器-CN202111101225.2有效
  • 黄庆忠;曾德圣 - 华中科技大学
  • 2021-09-18 - 2022-07-05 - G02B6/14
  • 本发明公开了一种转换器,采用基于超表面结构的菲涅尔微透镜,其中第一超表面结构包括在波导材料上刻蚀的多个长度相同、宽度不同的亚波长凹槽,第二超表面结构包括在波导材料上刻蚀的多个长度不同、宽度相同的亚波长凹槽;两种超表面结构组合使用能减小器件尺寸,同时也避免刻蚀极小线宽的步骤,从而降低了工艺要求;能够使单模输入光在维持其模式阶次的情况下改变其宽度。可以把宽光束变成柱面波实现聚束的功能或者把柱面波变成宽的基光束实现扩束的功能。宽可以通过增加菲涅尔微透镜的周期数而加宽,可以满足多种应用场景的实际需要。
  • 一种转换器

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