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[发明专利]提供器件参数-CN200980109193.1有效
发明人：卡·I·扬;史蒂文·斯普劳斯;达瓦尔·帕里克;内森·拉帕波特 -专利权人：桑迪士克公司
申请日： 2009-01-29 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G06F13/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件具有使用不同的协议提供对非易失性存储器的外部访问的第一和第二控制器。响应于来自所述第一控制器的请求，第二控制器从所述非易失性存储器提取器件参数，并将所提取的参数提供给所述第一控制器。在一个实施例中，器件参数是USB描述符，其可以包括厂商ID、产品ID、产品串和/或序列号。所述第一控制器可以是通用串行总线(USB)读卡器控制器。第一控制器在所述非易失性存储器件的枚举期间将所述器件参数提供给主机。所述器件参数可以用于建立第一控制器的设置。
提供器件参数

[发明专利]电子元器件替料查找方法、装置及应用-CN202210039879.5有效
发明人：周邦兵;钱佳;许欢;陈豪 -专利权人：杭州捷配信息科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：本申请提出了一种电子元器件替料查找方法、装置及应用，基于电子元器件的sku参数将不同电子元器件分类为不同类目，其中每个类目下的电子元器件的sku参数用同种方式描述；获取原电子元器件的原sku参数以及至少一需比较参数项；将与所述原电子元器件同类目的待选sku参数的每一需比较参数项和原sku参数的需比较参数项进行一一关系比对，得到待选sku参数对应的参数比对结果；若参数比对结果满足挑选规则，则选定参数比对结果对应的至少一待选sku参数对应的电子元器件为备选电子元器件；计算每一备选电子元器件和原电子元器件之间的相似度，选定相似度大的备选电子元器件为电子元器件替料，通过创新性的算法挑选出与原电子元器件最为匹配的电子元器件替料。
电子元器件查找方法装置应用

[发明专利]模型训练方法、工艺诊断方法、装置及存储介质-CN202110496674.5在审
发明人：景友亮;周平强 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本申请提供的模型训练方法、工艺诊断方法、装置及存储介质，对机器学习模型训练以学习器件电性参数及相应器件特征参数之间的映射关系，得到已训练的器件参数预测模型，可用于半导体工艺问题的诊断中。由器件参数预测模型根据输入的器件电性参数获得预测器件特征参数，比较预测预测器件特征参数和标准器件特征参数数据偏差，以判断是否异常，确定异常预测器件特征参数所对应的工艺问题。本申请创新地利用机器学习模型准确预测器件特征参数，并根据其异常分析工艺问题异常的判断，快速定位出现问题的工艺环节及相应的机台设备，极大提升诊断效率而诊断时间短；并且，基于已训练的器件参数预测模型准确地得到器件特征参数
模型训练方法工艺诊断装置存储介质

[发明专利]元器件的选型替代方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310156458.5在审
发明人：丁春光;张家立;韩俊杰;翟芳;于迪;梁安健;李颖;王浩 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种元器件的选型替代方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：根据被替代元器件的类别信息，从候选元器件中选择可替代元器件；根据被替代元器件的性能参数和可替代元器件的性能参数，确定被替代元器件和可替代元器件的共有性能参数；根据被替代元器件在共有性能参数下的第一参数值，以及可替代元器件在共有性能参数下的第二参数值，构建原始数据矩阵；根据原始数据矩阵，确定共有性能参数的参数权重；根据原始数据矩阵对应的标准化矩阵，以及参数权重，从可替代元器件中选择被替代元件的目标替代元器件上述方案，不仅实现了元器件选型替代过程的自动化，且提高了元器件选型替代的效率。
元器件选型替代方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种集成电路的器件参数优化方法-CN201310538413.0有效
发明人：吴玉平;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路的器件参数优化方法，包括，A、提取集成电路的寄生参数初始值；B、依据器件参数初始值和所述寄生参数初始值，构建第一函数，所述第一函数表示寄生参数值与器件参数值之间的关系；C、依据寄生参数值和器件参数值，确定所述集成电路的电路参数，并判断所述电路参数是否满足预定要求，如果否，调整所述器件参数值；D、依据调整后的器件参数值和所述第一函数得到寄生参数计算值，返回步骤C。本发明提供的集成电路的器件参数优化方法避免了现有技术中需要多次反复调用软件工具提取寄生参数和多次作物理版图的调整的缺陷，提高了集成电路的器件参数的优化效率，使得集成电路的器件参数的优化自动化容易实现。
一种集成电路器件参数优化方法

[发明专利]一种器件设计的参数优化方法及装置-CN202010006351.9在审
发明人：舒天宇;王雅儒;梁庆瑞;李鹏;陈龙 -专利权人：山东天岳电子科技有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种器件设计的参数优化方法及装置，用以解决通过模拟软件进行器件设计耗时过长，效率较低，参数优化结果不理想的问题。该方法根据预设的器件的结构参数，采用模拟软件，创建训练数据集，其中，所述训练数据集包括器件的结构参数与电学性能参数；采用创建好的训练数据集，训练神经网络模型；根据训练好的神经网络模型与器件的目标电学性能参数，通过遗传算法反推确定所述目标电学性能参数对应的器件的结构参数的最优解。通过建立神经网络模型，可在器件的一定结构参数范围内形成对模拟软件的代理，从而加快器件设计的进程，提高器件设计的效率，并且，通过机器学习，可根据器件的结构参数与电学性能参数之间的对应关系，实现器件的参数优化
一种器件设计参数优化方法装置

[发明专利]用于集成电路的工艺变化分析的方法-CN201510603715.0有效
发明人：郭晋诚;徐恭铭;胡伟毅;詹伟闵;管瑞丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：根据器件参数和工艺参数，生成描述集成电路的电子器件的网表。工艺参数包括电子器件单独的局部工艺参数和电子器件共用的全局工艺参数。识别关键电子器件，该关键电子器件包括对集成电路的设计规范的性能参数具有最大贡献的器件参数。确定用于关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数的敏感度值。敏感度值代表一个或多个性能参数对关键电子器件的全局和局部工艺参数的变化有多敏感。基于敏感度值对Monte Carlo(MC)样本进行分类。
电子器件集成电路局部工艺敏感度工艺变化器件参数全局设计规范性能参数最大贡献网表样本分析个性敏感分类

[发明专利]光器件驱动参数的配置方法-CN202211529773.X在审
发明人：张林波;张强;许远忠 -专利权人：成都光创联科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请公开了光器件驱动参数的配置方法，属于光器件设备技术领域，一种光器件驱动参数的配置方法，包括如下步骤：步骤100：向测试计算机输入多个参数集以建立基础数据集，其中，参数集包括用于驱动光器件产生光信号的驱动参数和该光信号的性能参数；步骤200：将待配置光器件安装到测试电路板上，测试计算机控制测试电路板给待配置光器件写入标准参数，并判断该光器件产生的光信号是否合格，如果合格则向该光器件写入标准参数，并取下该光器件；如果不合格，则执行步骤300，标准参数为预先设置的驱动参数。本申请提供了一种能够在配置光器件时不断积累经验的光器件驱动参数的配置方法。
器件驱动参数配置方法

[发明专利]器件参数的确定方法和装置-CN201410441793.0有效
发明人：黄慕真;胡志中;曹宗良;朱峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件参数的确定方法和装置，其中，该方法包括：获取器件的第一类型的参数的第一参数值；从预先配置的对应于器件的模型中获取第一类型的参数的参考值、以及参考值与第二类型的参数的参考值之间的对应关系；根据对应关系、以及第一参数值，确定器件的第二类型的参数的第二参数值。本发明通过根据模型中包含的参数间的关系以及器件的某个参数的实际参数值来确定其他参数值，从而能够得到器件的多个参数值，能够在无需对器件进行复杂的测量的情况下，客观地获得器件的多个参数，有助于对器件或电路的实际情况进行更加准确的评估
器件参数确定方法装置

[发明专利]基于大信号等效电路模型的GaN器件工艺参数统计分析方法-CN201680014212.2有效
发明人：徐跃杭;闻彰;徐锐敏;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：提出一种基于GaN器件等效电路模型的工艺参数分析方法，所述分析方法包括：步骤一：建立GaN器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：建立GaN器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，即非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤三：以器件的实测微波特性为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤四：基于建立的大信号模型提取多批次GaN器件的工艺参数，并对所述工艺参数进行统计分析。上述GaN器件模型的工艺参数的统计分析方法首先建立GaN器件小信号等效电路模型，然后建立工艺参数关联的GaN器件大信号等效电路模型，通过多批次器件建模最终获得工艺参数统计分布，有用于器件成品率分析和工艺参数优化
基于信号等效电路模型 gan 器件工艺参数统计分析方法

[发明专利]电感等效电路器件参数的确定方法、设备及存储介质-CN202310378049.X在审
发明人：郑宇 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本申请提供一种电感等效电路器件参数的确定方法、设备及存储介质。该方法包括：获取待预测的电感等效电路的电感尺寸参数；将电感尺寸参数输入至散射参数预测模型，输出对应的散射参数；构建求解器，求解器中包含电感等效电路对应的器件参数集，器件参数集中包含至少一组器件参数；将散射参数输入至求解器中，对器件参数进行迭代，直至根据迭代后的器件参数计算得到的电感等效电路的电信号满足第一损失函数；第一损失函数表示电感等效电路的电信号偏离基准电信号的程度。本方法利用散射参数预测模型快速确定电感尺寸参数对应的散射参数，进而根据散射参数通过迭代过程确定相应的器件参数，提高了确定器件参数的效率。
电感等效电路器件参数确定方法设备存储介质

[发明专利]外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型-CN201410712365.7在审
发明人：刘燕;宋志棠;汪恒;刘波 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参数和器件模型参数；根据校验后的工艺模型参数和器件模型参数建立二极管电学特性与器件尺寸、工艺模型参数和器件模型参数的依存性关系；利用寄生三极管网络模型仿真二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系，然后校验二极管阵列器件的工艺优化条件根据下一代二极管驱动阵列器件的性能要求，可以方便、快捷地确定器件工艺条件和器件参数，预测器件性能。
外延沟道隔离二极管驱动阵列建模方法仿真模型

[发明专利]一种BOM导出方法-CN201410633785.6有效
发明人：刘晓颖;薛林 -专利权人：青岛歌尔声学科技有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种BOM导出方法，所述方法包括下述步骤（1）对器件进行分类；（2）在同类器件中，确定器件模型；（3）比较器件与器件模型的参数，获得与器件模型参数相同的器件，并按层分类；（4）判断是否还有与原先器件模型参数不同的器件，如果有，将与原先器件模型参数不同的一个器件作为器件模型，返回步骤（3），如果没有，输出BOM。本发明的BOM导出方法先将器件按照类别和封装进行分类，确定器件模型，然后获得与器件模型参数相同的器件，将具有相同参数的器件进行分层，最后输出BOM，输出的BOM中器件已经按照类别、封装、层分类，无需工程师手动进行分层
一种 bom 导出方法

[发明专利]器件测试方法和电子设备-CN202111123059.6有效
发明人：刘佳豪 -专利权人：北京荣耀终端有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本申请提供一种器件测试方法和电子设备，涉及终端技术领域。该器件测试方法，利用预训练的仿真模型输出待测试器件在环境参数中的预测使用寿命。其中，仿真模型中配置有待测试设备的几何模型以及待测试器件的调整后的器件参数，器件参数为受到环境参数影响时，使得待测试器件的使用寿命发生变化的参数。而由于器件参数是根据待测试器件的真实使用寿命与待训练模型输出的测试寿命的差值调整的，仿真模型中配置的器件参数的精确度，进而，使得仿真模型输出的待测试器件的预测使用寿命也高。
器件测试方法电子设备

[发明专利]一种半导体功率器件特性的版图结构仿真设计方法-CN202310327368.8在审
发明人：杨彪 -专利权人：深圳信创产业发展有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件特性的版图结构仿真设计方法，包括基于半导体功率器件特性，确定特性参数；构建半导体功率器件的初始三维模型，并给予正交试验，通过特性参数对初始三维模型中的不同元器件进行仿真模拟，并判断是否符合特性参数；当元器件的仿真参数不符合特性参数时，进行元器件替换；当所有器件的仿真参数均符合对应特性参数时，生成半导体功率器件三维仿真版图。本发明的有益效果在于：本发明能够在半导体功率器件的仿真设计上进行处理，对半导体功率器件的特性进行分析，对设计过程中不合理的或者无法达到半导体功率器件设计参数和器件特性的地方进行修改，防止半导体功率器件不符合设计的预期要求
一种半导体功率器件特性版图结构仿真设计方法

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