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C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

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2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]涂布液、改性二氧化硅膜及其制备方法-CN201410183259.4有效
发明人：小堀重人 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：公开了用于制备改性二氧化硅膜的方法、涂布液和改性二氧化硅膜。所述用于制备改性二氧化硅膜的方法包括制备聚硅氮烷溶液，制备反应性含氟聚合物溶液，通过混合所述聚硅氮烷溶液与所述反应性含氟聚合物溶液而制备涂布液，通过在基板上涂布所述涂布液而形成涂层，从所述涂层中去除所述用于聚硅氮烷的溶剂和所述含氟溶剂，以及在结合基团结合到所述聚硅氮烷的同时将所述聚硅氮烷转变成二氧化硅。
涂布液改性二氧化硅及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910004430.X无效
发明人：佐藤胜广;中岛崇人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，通过将过氢化硅氮烷溶液涂布在硅基板上形成涂布膜，对涂布膜进行加热而使溶剂挥发，由此形成聚硅氮烷膜，通过对聚硅氮烷膜进行化学试剂处理来将聚硅氮烷膜转化为二氧化硅膜，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的。
半导体装置制造方法

[发明专利]低折射率膜形成用组合物、低折射率膜的形成方法以及通过该形成方法而形成的低折射率膜以及抗反射膜-CN201280010918.3有效
发明人：尾崎祐树 -专利权人： AZ电子材料IP（日本）株式会社
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明提供一种低折射率膜形成用组合物，其即使单层涂布也具有优异的抗反射功能，且不对环境造成影响，该低折射率膜形成用组合物的特征在于，其包含(A)无机聚硅氮烷以及(B)从含硅氮烷的有机聚合物、含硅氧硅氮烷的有机聚合物、含脲硅氮烷的有机聚合物中选出的至少一种有机聚合物，(A):(B)的重量比为40:60～17:83。
折射率形成组合方法以及通过反射

[发明专利]制造硅质膜的方法和用于该方法的聚硅氮烷膜处理液-CN201080039326.5有效
发明人：尾崎祐树;林昌伸 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成硅质膜的方法。根据该方法，在低温下可以由聚硅氮烷化合物形成具有亲水性表面的硅质膜。在该方法中，在基板表面上涂布含有聚硅氮烷化合物和二氧化硅转化反应加速剂的组合物以形成聚硅氮烷膜，然后在其上涂布聚硅氮烷膜处理液以使聚硅氮烷化合物在300℃以下转化为硅质膜。该聚硅氮烷膜处理液含有溶剂、过氧化氢和醇。
制造质膜方法用于聚硅氮烷膜处理

[发明专利]单填充型的改性二氧化硅膜及其制备方法-CN201410181695.8在审
发明人：小堀重人 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备单填充型的改性二氧化硅膜的方法和单填充型的改性二氧化硅膜，所述改性二氧化硅膜具有比典型的二氧化硅膜更低的折射率和更高的强度。所述方法包括通过在用于聚硅氮烷的溶剂中溶解聚硅氮烷而制备聚硅氮烷溶液，通过混合具有不与所述聚硅氮烷溶液反应的非反应性官能团的氟颗粒而制备涂布液，通过涂布所述涂布液到基板上而形成涂层，从所述涂层中去除用于聚硅氮烷的溶剂，和将所述聚硅氮烷转变成二氧化硅。
填充改性二氧化硅及其制备方法

[发明专利]用于使用聚碳硅氮烷形成低k介电含硅膜的可固化配制品-CN202080095132.0在审
发明人：刘玉民;让-马克·吉拉尔;张鹏;秦帆;根纳迪·伊多;法布里齐奥·马切吉亚尼;T·J·拉腊比 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：披露了形成含硅和碳的膜的组合物，这些组合物包含由硅氮烷桥联的碳硅烷单体组成的聚碳硅氮烷聚合物或低聚物配制品，该碳硅烷含有至少两个‑SiH2‑部分，作为末端基团(还披露了形成含硅和碳的膜的方法，这些方法包括以下步骤：形成包含聚碳硅氮烷聚合物或低聚物配制品的溶液，并且通过旋涂、喷涂、浸涂或狭缝涂布技术使该溶液与该基底接触以形成该含硅和碳的膜。
用于使用聚碳硅氮烷形成介电含硅膜固化配制

[发明专利]致密的二氧化硅质膜形成用组合物-CN201780026971.5有效
发明人：野岛由雄;小林政一 -专利权人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：[目的]提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物。为了形成具有加工性且致密的二氧化硅质膜，对该组合物进行基于二阶段转化的加工，所述二阶段转化包括：通过将聚硅氮烷组合物在朝向二氧化硅质物质的转化不充分的状态下形成表面干燥了的膜；然后接受二次加工。[手段]本发明提供一种含聚硅氮烷的覆膜形成用组合物，其包含特定的胺类化合物、聚硅氮烷化合物以及溶剂，本发明还提供一种二氧化硅质物质的形成方法，其中，将该组合物涂布于基材上，转化为二氧化硅质物质。
致密二氧化硅质膜形成组合

[发明专利]聚碳硅氮烷和包含其的组合物以及使用其制造含硅膜的方法-CN202180033235.9在审
发明人：冈村聪也;冈安哲雄;T·方姆史坦 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：[课题]提供能够形成耐酸蚀刻的含硅膜的聚碳硅氮烷和包含该聚碳硅氮烷的组合物。[解决方案]本发明提供一种聚碳硅氮烷，其包含‑[R1R2Si‑(CH2)4各自独立地为单键、氢或C1‑4烷基；R5独立地为单键或氢；n为1至2，以及一种包含该聚碳硅氮烷的组合物本发明还提供了一种形成含硅膜的方法，包括将该组合物涂布在基材上并加热。
聚碳硅氮烷包含组合以及使用制造含硅膜方法

[发明专利]一种用于大功率LED封装的高导热基板及制备方法-CN201010011493.0无效
发明人：耿秋菊;田民波;朱焰焰;袁玉柱 -专利权人：山东天诺光电材料有限公司
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种用于大功率LED封装的高导热基板及制备方法，该方法按如下步骤进行：a.取铝箔或铜箔，在其中之一面涂覆含聚硅氧烷或聚硅氮烷的复合材料，然后在惰性气体保护下，400～600℃烧结成含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层；b.在含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层表面粘贴上留有线路相对应的绝缘膜，或者在含聚硅氧烷的高导热绝缘涂层或含聚硅氮烷的高导热绝缘涂层表面用光刻胶刻上线路后产生导电层，然后将光刻胶洗掉，再在线路上物理镀、化学敏化或印刷上含有导电图形的导电层，然后揭去绝缘膜；c.最后在导电层外湿法镀金属层，得产品。
一种用于大功率 led 封装导热制备方法

[发明专利]适用于玻璃防雨自清洁涂层的陶瓷前驱体树脂-CN201110287424.7无效
发明人：杨丽君;王明存 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C08G77/54 文献下载
摘要：本发明公开了含氟聚硅氮硅氧烷树脂的合成方法，以及应用为玻璃表面耐久性防雨剂涂层的方法。将含氟氯硅烷单体混合物经过部分水解形成聚硅氧烷预聚物，然后经过与六甲基二硅氮烷的胺基交换反应制备含氟聚硅氮硅氧烷聚合物。聚硅氮硅氧烷与玻璃表面通过化学键结合在一起形成牢固结合的保护膜。在空气中水解形成的含氟聚硅氧烷弹性体涂层憎水、耐高低温和耐划刻，具有防雨、防雾和自清洁作用。
适用于玻璃防雨清洁涂层陶瓷前驱树脂

[发明专利]涂布组合物-CN201480037749.1有效
发明人： A·马尔加扬;C·布雷西;F-X·佩兰 -专利权人： AZ电子材料（卢森堡）有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明提供一种涂布组合物，其对环境造成的负担少，并且可获得防蚀性、防污性以及透明性高的固化膜。一种涂布组合物以及将其固化而获得的固化膜，所述涂布组合物的特征在于包含(A)在侧链具有经烷氧基改性了的硅烷基的聚硅氮烷；(B)非反应性聚二烷基硅氧烷；以及(C)反应性聚二烷基硅氧烷。
组合

[发明专利]改性聚硅氮烷、含有该改性聚硅氮烷的涂布液及使用该涂布液而制造的气体阻隔性膜-CN201580006849.2在审
发明人：伊东宏明 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：本发明涉及改性聚硅氮烷、含有该改性聚硅氮烷的涂布液及使用该涂布液而制造的气体阻隔性膜。本发明提供保存稳定性、特别是严酷的条件(高温高湿条件)下的保存稳定性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明的改性聚硅氮烷用²⁹Si‑NMR测定的SiH₃与SiH和SiH₂的合计之比[(SiH₃):(SiH+SiH<
改性聚硅氮烷含有涂布液使用制造气体阻隔

[发明专利]一种提高硅胶保护膜稳定性的方法及硅胶保护膜-CN201810139623.5在审
发明人：刘子庆;黄敏杰 -专利权人：佛山凯仁精密材料有限公司
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种提高硅胶保护膜稳定性的方法及硅胶保护膜。方法包括步骤：A、在N‑丙基乙二胺液体中添加全氢聚硅氮烷；B、在基材上涂布添加全氢聚硅氮烷的N‑丙基乙二胺液体；C、对涂布处理后的基材进行烘干处理；D、最后将覆膜压合在涂布处理的表面上，形成硅胶保护膜。通过本发明的方法，在涂布添加有全氢聚硅氮烷的N‑丙基乙二胺液体后，可以对硅胶保护膜的稳定性进行有效改善，尤其是在高温高湿的环境下，硅胶保护膜的粘着力下降幅度小，其性能仍保持在较高水平。
硅胶保护膜全氢聚硅氮烷乙二胺液体丙基涂布处理基材高温高湿烘干处理下降幅度覆膜压合

[发明专利]一种含氮多膦酸基聚硅氧烷/Nafion双层质子交换膜及其制备方法-CN201510203675.0有效
发明人：高山俊;陆晴漪;沈春晖;李伟;尹珊珊;李慧琳 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种含氮多膦酸基聚硅氧烷/Nafion双层质子交换膜及其制备方法，其制备方法为1)Nafion膜的预处理；2)含氮多膦酸基聚硅氧烷的制备将含氮有机多膦酸溶解在去离子水中，室温下持续搅拌溶解得到膦酸溶液，然后将有机硅氧烷缓慢滴加到膦酸溶液中，室温下持续搅拌12～24h得到含氮多膦酸基聚硅氧烷溶液；3)双层质子交换膜的制备将含氮多膦酸基聚硅氧烷溶液涂覆在经预处理的Nafion膜上，然后在30～50℃恒温放置本发明制备的双层质子交换膜在高温条件下具有较高的质子电导率和低的甲醇渗透系数，还具有较好的柔韧性和力学强度。
一种含氮多膦酸基聚硅氧烷 nafion 双层质子交换及其制备方法

[发明专利]含有聚硅氮烷的涂布组合物-CN201110006067.2有效
发明人：林昌伸 -专利权人： AZ电子材料(日本)株式会社
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C09D183/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有聚硅氮烷的涂布组合物。本发明提供埋设性和涂布性优异，可以形成具有优异膜物性的硅质膜的涂布组合物以及使用该组合物形成硅质膜的方法。一种涂布组合物，该涂布组合物含有全氢聚硅氮烷和溶剂，且前述全氢聚硅氮烷的分子量分布曲线分别在分子量800～2,500的范围和分子量3,000～8,000的范围内具有极大值，重均分子量Mw和数均分子量Mn通过将该涂布组合物涂布到具有间隙的基板上，在1000℃以下加热，可以形成埋设到间隙深部的硅质膜。
含有聚硅氮烷组合

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