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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体-CN201110372949.0有效
发明人：达维德·埃尔贝塔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体。可形成具有在硫属化物膜与另一膜之间的梯度膜的含硫属化物半导体装置。所述梯度膜可使其硫属化物浓度随着其延伸远离所述硫属化物膜而减小，而另一膜材料的浓度跨越所述梯度膜的厚度随移动远离所述硫属化物膜而增加。
具有硫属化物梯度含硫属化物半导体

[发明专利]用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制备方法-CN201580047842.5有效
发明人：尹锡喜;朴银珠;李豪燮;尹锡炫 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了用于制备太阳能电池的光吸收层的前体及其制造方法，所述前体包含：(a)聚集相复合体，其包括包含铜(Cu)‑锡(Sn)双金属的第一相和包含含锌(Zn)硫属化物的第二相，或者包括包含Cu‑Sn双金属的第一相、包含含Zn硫属化物的第二相和包含含Cu硫属化物的第三相；或者(b)核‑壳结构纳米颗粒，其包括包含Cu‑Sn双金属纳米颗粒的核和包含含Zn硫属化物或含Zn硫属化物和含Cu硫属化物的壳；或者(c)其混合物
用于制备太阳能电池光吸收及其方法

[发明专利]用于制造太阳能电池光吸收层的三层核‑壳型纳米颗粒及其制造方法-CN201480034054.8有效
发明人：李豪燮;尹锡喜;尹锡炫;朴银珠 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成太阳能电池的光吸收层的三层核‑壳型纳米颗粒及其制造方法，所述三层核‑壳型纳米颗粒由以下组成包含含铜(Cu)硫属化物的核，和(i)包含含锡(Sn)硫属化物的第一壳以及包含含锌(Zn)硫属化物的第二壳，或(ii)包含含锌(Zn)硫属化物的第一壳及包含含锡(Sn)硫属化物的第二壳。
用于制造太阳能电池光吸收三层纳米颗粒及其方法

[发明专利]用于清洁和钝化硫属化物层的方法-CN201410616638.8在审
发明人： M·巴菲尔;M·缪里斯;G·布莱墨茨 -专利权人： IMEC公司;鲁汶天主教大学;哈瑟尔特大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于化学清洁和钝化硫属化物层的方法，其中所述方法包括使硫属化物层和含硫化铵的环境例如硫化铵液体溶液或含硫化铵的蒸汽接触。提供了一种用于制造具有硫属化物吸收剂层的光伏电池的方法，所述方法包括：在基片上提供硫属化物半导体层；使硫属化物半导体层和含硫化铵的环境接触，由此除去杂质和钝化硫属化物半导体层；和随后在硫属化物半导体层上提供缓冲层
用于清洁钝化硫属化物层方法

[发明专利]含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法-CN200510118210.1无效
发明人：曾卉一;黄锦顺;郭国聪;郑发鲲;董振超 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法，涉及一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂ (A＝Li，Na，K，Rb，Cs；Tr＝Ga，In；Q＝S，Se，Te)的合成与晶体生长本发明的目的是将一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂的合成与助熔剂晶体生长技术结合起来。选择碱土金属硫属化合物、镓或铟的硫属化合物或卤化物以及适当的碱金属卤化物反应助熔剂为原料，通过反应助熔剂方法制备并生长一类含碱金属、镓或铟硫属化合物ATrQ₂晶体。
碱金属化合物晶体生长方法

[发明专利]一种用于光蒸发水的含半导体硫属化合物复合半透膜、其制备方法及用途-CN201710458177.X有效
发明人：陶富军;张玉良;施磊;王斌斌;李丽;董丽华;尹衍升 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B01D71/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光蒸发水的含半导体硫属化合物复合半透膜、其制备方法及用途，该方法包含：步骤1，采用纤维素硝酸酯制备半透膜前驱体溶液；步骤2，将镉硫属化合物添加至上述前驱体溶液中，搅拌均匀，得混合溶液；步骤3，将上述混合溶液平铺在平底容器上，自然干燥成膜，制备出含镉硫属化合物半透膜；步骤4，将含镉硫属化合物半透膜置于硝酸银溶液浸泡一段时间；步骤5，将上述浸泡过的含镉硫属化合物半透膜取出，自然晾干，制备出含半导体硫属化合物复合半透膜
一种用于蒸发半导体化合物复合半透膜制备方法用途

[发明专利]2D金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积-CN201610823311.7在审
发明人： G·孙达拉姆 -专利权人：超科技公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及2D金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积。具体地，公开了使用激光辅助原子层沉积来形成2D金属硫属化物膜的方法。一种直接生长方法包含贴附含金属分子层至经加热的基材的表面；然后使该含金属分子层与使用等离子体输送的含硫属化物的自由基化的前体气体反应以形成金属硫属化物的非晶2D膜；然后对该非晶2D膜进行激光退火以形成该金属硫属化物的结晶2D膜，其可以具有MX或MX2的形式，其中M为金属且X为硫属化物。
金属硫属化物膜激光辅助原子沉积

[发明专利]含金属硫属化合物的装置-CN201580056941.X有效
发明人：苏密特·C·潘迪;古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一些实施例包含一种装置，所述装置具有导电材料、含金属硫属化合物材料及位于所述含金属硫属化合物材料与所述导电材料之间的区域。一些实施例包含一种装置，所述装置具有第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的含金属硫属化合物材料。所述装置还包含位于所述含金属硫属化合物材料与所述第一电极及所述第二电极中的一者之间的电场修改区域。所述电场修改区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙、具有低介电常数及相对于所述含金属硫属化合物材料的金属的功函数偏移的低传导带。
金属化合物装置

[发明专利]锂金属阳极的表面保护-CN202080031662.9在审
发明人：苏布拉曼亚·P·赫尔勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：一种用于形成金属电极结构、更具体地是含锂阳极、包括前述含锂电极的高性能电化学装置、诸如一次电化学装置和二次电化学装置的方法和设备。在一个实施方式中，所述方法包括在集电器上形成锂金属膜。所述第一保护膜选自铋硫属化物膜、铜硫属化物膜、锡硫属化物膜、镓硫属化物膜、锗硫属化物膜、铟硫属化物膜、银硫属化物膜、介电膜、氟化锂膜或这些膜的组合。
金属阳极表面保护

[其他]烯烃的齐聚-CN87105159无效
发明人：迈克尔·尤金·兰迪斯;加里·韦恩·柯克;南希·玛丽·佩奇 -专利权人：无比石油公司
申请日： 1987-06-27 - 公布日： 1988-03-23 - 主分类号： C07C2/08 文献下载
摘要：烯烃齐聚的方法是使含烯烃的原料在100至500℃和10至20000千帕的压力下，与含有热稳定的层状硫属化物的催化剂相接触。层状硫属化物相邻层片之间被硫属化物撑柱分开。
烯烃齐聚

[发明专利]烯烃的齐聚-CN87105159.1无效
发明人：迈克尔·尤金·兰迪斯;加里·韦恩·柯克;南希·玛丽·佩奇 -专利权人：无比石油公司
申请日： 1987-06-27 - 公布日： 1991-10-09 - 主分类号： C07C2/08 文献下载
摘要：烯烃齐聚的方法是使含烯烃的原料在100至500℃和10至20000千帕的压力下，与含有热稳定的层状硫属化物的催化剂相接触。层状硫属化物相邻层片之间被硫属化物撑柱分开。
烯烃齐聚

[发明专利]纳米晶体-CN202080024026.3在审
发明人：庞浩;李洁 -专利权人：量子科学有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明提供了含铅(IV)化合物用于制备铅的硫属化物纳米晶体的用途，以及以低成本、尺寸可控和可扩大规模的方法制造宽频铅的硫属化物纳米晶体的方法，该方法包括使含铅(IV)化合物与有机酸和含硫属元素的试剂接触
纳米晶体

[发明专利]用于制造太阳能电池之光吸收层的墨组合物及使用其制造薄膜的方法-CN201480034058.6有效
发明人：李豪燮;尹锡炫;尹锡喜;朴银珠 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造太阳能电池光吸收层的墨组合物及使用其制造薄膜的方法，更具体而言，本发明涉及一种用于制造太阳能电池光吸收层的墨组合物及使用其制造薄膜的方法，其中核‑壳结构的纳米颗粒，与含锡(Sn)的双金属或金属间化合物的金属纳米颗粒，或含锡(Sn)硫属化物纳米颗粒分散在溶剂中，所述核‑壳结构由含有含铜(Cu)硫属化物的核和含有含锌(Zn)硫属化物的壳组成。
用于制造太阳能电池光吸收组合使用薄膜方法

[发明专利]含硫酚添加剂中间体和组合物的制备-CN95194315.4无效
发明人： P·斯基纳;D·J·希姆普金;D·R·阿达姆斯 -专利权人：埃克森美孚化学专利公司
申请日： 1995-07-31 - 公布日： 2002-04-24 - 主分类号： C10M159/12 文献下载
摘要：本发明叙述了一种方法，在该方法中使烯烃或炔属化合物与含硫中间体反应，生成与腈类密封材料相容的添加剂。烯烃或炔属化合物与含硫化合物例如含硫酚反应，形成低氯添加剂。本发明还公开了用于生产低氯中间体的方法。
含硫酚添加剂中间体组合制备

[发明专利]分层电阻可变存储装置和制造方法-CN200580018247.5无效
发明人： K·A·坎贝尔;J·李;A·麦蒂尔;J·T·穆尔 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：按照本发明，所提供的电阻可变存储元件具有至少一个含金属层(18)以及顶部和底部电极(14，22)，所述含金属层(18)优选地为硒化银层，位于两个硫属化物玻璃层(17，20)之间，所述两个硫属化物玻璃层(在至少第二硫属化物玻璃层(20)的上面设置金属层(50)，其优选地为银层，并且在所述银层上面布置导电粘合层(30)。按照本发明的另一个实施例，所提供的电阻可变存储元件具有第一硫属化物玻璃层(17)，银层(40′)位于所述第一硫属化物玻璃层上面，硒化银层(18)位于所述银层上面，第二硫属化物玻璃层(20)位于所述硒化银层上面，并且可选地使第二银层位于所述第二硫属化物玻璃层上面。
分层电阻可变存储装置制造方法

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