专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体薄膜的纳区横向外延生长方法-CN200910025383.7有效
  • 王怀兵;黄小辉;杨辉;张书明 - 苏州纳晶光电有限公司
  • 2009-03-13 - 2009-08-19 - H01L21/205
  • 本发明公开了一种半导体薄膜的横向外延生长方法,包括以下具体步骤:(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催化剂薄层,退火后得到均匀分布在衬底上的岛状金属催化剂颗粒;(2)在外延设备中,在岛状金属颗粒的底部形成晶核;然后纵向生长纳米柱阵列;(3)利用湿法腐蚀方法除去纳米柱上的金属催化剂,得到取向、高度一致的半导体纳米柱阵列结构;(4)将上述腐蚀好的纳米柱放入外延设备中,通过侧向外延技术将纳米柱阵列合并成平整表面,由于横向外延发生在纳米区域内,能够有效地抑制了缺陷和残余应力的扩散,薄膜晶体质量比传统方法更均匀,提高二维半导体薄膜的晶体质量;而且方法简单,适应性广。
  • 半导体薄膜横向外延生长方法
  • [发明专利]一种从内向外锁定的带锁髓内钉-CN201210000866.3有效
  • 张建林 - 张建林
  • 2012-01-04 - 2012-07-11 - A61B17/72
  • 一种从内向外锁定的带锁髓内钉,包括A段和B段,A段上开有2个锁孔A,B段上开有2个锁孔B;在B段的内部沿轴向设置有2个浅孔,浅孔的一端开口在B段的端面上,另一端与锁孔B相通;在A段的内部设置有两个深孔,提供了一种结构简单、操作容易、手术容易,耗时少,只有一处切口的中心型自内向外锁定髓内钉,该髓内钉具有轴向持骨的稳定性,可抗剪弯折旋等多方面移位,且无应力遮挡和应力集中及偏向应力。
  • 一种向外锁定带锁髓内钉

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