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[发明专利]单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法-CN201911352260.4在审
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法。所述电路包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本发明将砷化镓单片放大电路的输入匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器及其制备方法

[实用新型]单片可重构砷化镓低噪声放大器-CN201922355120.4有效
发明人：周全;陈南庭;邓世雄;陈书宾;要志宏;王磊;王乔楠;陈然;张路洋;武康;郭尧;张慧芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓单片放大电路的输入端连接，砷化镓单片放大电路的输出端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输出端；片外输入匹配电路与砷化镓单片放大电路进行阻抗匹配得到预设噪声系数的单片可重构砷化镓低噪声放大器。本实用新型将砷化镓单片放大电路的输入端匹配网络从片上移至片外，实现了根据工作需求提高输入端匹配网络的Q值，降低了低噪声放大器的噪声系数。
单片可重构砷化镓低噪声放大器

[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN202010358791.0有效
发明人：杨为家;何畏;林士修;吴质朴 -专利权人：深圳市奥伦德元器件有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，其中，红外探测器包括：金属电极，以及自下而上依次设置的衬底、砷化镓基层和石墨烯层；衬底上设置有与砷化镓基层相平行的长条阵列式凹槽，砷化镓基层设置于长条阵列式凹槽上，砷化镓基层表面具有砷化铟量子点，金属电极设置在所述砷化镓基层两端。本发明中，通过在砷化镓基层表面设置砷化铟量子点，同时能够使得砷化镓基层相对该长条阵列式凹槽进行横向生长，从而可提高砷化镓基层的光响应能力，缩短红外探测器的响应时间，通过石墨烯层、砷化镓基层以及金属电极之间的配合
红外探测器及其制备方法

[发明专利]可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件-CN200910083493.9无效
发明人：孙晓明;郑厚植;甘华东;申超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。
实现自旋存储探测探测器复合功能器件

[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓废料熔体萃取分离方法-CN202211013421.9在审
发明人：李骕;秦红;林杭;马中旭 -专利权人：中南大学;湖南中大资珑科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓废料熔体萃取分离方法，采用单质铝与所述砷化镓废料共同升温至设定温度进行熔体萃取得到熔融体系，萃取完成后对熔融体系进行分段降温、分步冷凝依次得到砷化铝、铝和镓铝合金。本发明可实现砷化镓中砷铝的高效分离，同时得到高值产品砷化铝、铝、氢气、纯镓产品，无废含砷废水产生，工艺中所用的辅料铝除生成砷铝合金和镓铝合金水解制氢消耗外，无其他消耗，剩余的铝可继续返回铝熔体萃取工艺，
一种砷化镓废料萃取分离方法

[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料-CN200610088947.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
波长砷化铟砷化镓量子材料

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611129480.7有效
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面，形成石墨烯层；2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极，在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极；4)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出石墨烯层，在所述露出的石墨烯层表面制备减反层。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210776874.0在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210960137.6在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510976237.8在审
发明人：徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

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