专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种酿造古斯啤酒的制备方法-CN202111426570.3在审
  • 张娱阁 - 酒事有鲤(济南)品牌管理有限公司
  • 2021-11-25 - 2022-02-01 - C12C12/00
  • 本发明涉及一种酿造古斯啤酒的制备方法,包括以下步骤:(1)将麦芽粉碎;(2)糖化:加入α淀粉酶和β葡聚糖酶,进行糖化;(3)发酵:糖化后过滤,收集麦汁在煮沸锅内,通过板式换热器将麦汁降温到45℃,加入乳酸菌小时,pH到达3.5后停止酸化;酸化后煮沸过程中加入酒花;在煮沸结束最后5分钟,加入4kg海盐(4)煮沸杀菌(60min)后,将麦汁降温至20℃,接入酵母菌发酵,发酵20天左右,过滤、罐装,即可酿造出古斯啤酒通过该方法,可以很好的控制古斯啤酒的品质,同时不会产生较重的酵母味,同时具有乳酸菌赋予的微酸口感和鲜感。
  • 一种酿造古斯酸啤酒制备方法
  • [发明专利]高通量的古斯汉森位移型SPR传感器-CN201811481727.0有效
  • 王怡沁;刘振超;何赛灵 - 浙江大学
  • 2018-12-05 - 2020-12-15 - G01N21/552
  • 本发明公开了一种高通量的古斯汉森位移型SPR传感器,包括p光、s光周期光源,准直扩束器,小孔阵列平板,棱镜,传感芯片,古斯汉森位移放大装置,CCD。s光在传感芯片上无古斯汉森位移,作为参考光,p光在传感芯片每个检测单元上激发SPR现象,并相对于s光产生带有样品信息的古斯汉森位移,古斯汉森位移放大装置将微小的古斯汉森位移放大。CCD检测出放大的古斯汉森位移。本发明采取凹凸透镜组合将古斯汉森位移放大,用CCD检测古斯汉森位移的方法可实时检测多个样品,具有高效、高灵敏度的特点。
  • 通量古斯汉森位移spr传感器
  • [发明专利]一种基于古斯汉欣效应的光开关器件-CN201110297860.2无效
  • 郑铮;万育航;孔维敬 - 北京航空航天大学
  • 2011-09-30 - 2012-01-25 - G02F1/03
  • 本发明公开了一种基于古斯汉欣效应的光开关器件。该光开关器件包括输入光学元件、偏振控制元件、光学耦合元件、具有可变的古斯汉欣效应的多层膜结构元件、控制系统、以及输出光学元件。对于入射光束的波长、偏振态和角度,控制系统通过改变与多层膜结构中包覆层及各层的折射率或厚度,改变多层膜结构元件产生的古斯汉欣位移的大小,入射光在多层膜结构元件的表面以相同角度进行一次或多次反射,产生明显的古斯汉欣位移使得反射光束与无古斯汉欣位移时的反射光束能明显区分具有有限的通光区域的输出光学元件,其通光区域的大小和位置允许具有最大古斯汉欣效应时的光束通过并输出,而不允许具有最小古斯汉欣效应时的光束通过和输出。
  • 一种基于古斯汉欣效应开关器件
  • [发明专利]基于M-Z干涉结构的古斯汉森位移型SPR传感器-CN201811481736.X有效
  • 刘振超;王怡沁;何赛灵 - 浙江大学
  • 2018-12-05 - 2020-10-13 - G01N21/552
  • 本发明公开了一种基于M‑Z干涉结构的古斯汉森位移型SPR传感器。本发明包括激光器、偏振分光棱镜、SPR传感模块、分束镜、平面反射镜、楔形基板、偏振片、光强探测器。激光经偏振分光棱镜与平面镜组后分解为方向一致的TE与TM光,经SPR传感模块后,TM光将较TE光有一微小的古斯汉森位移。当携带传感样品折射率信息的古斯汉森位移量改变时,TM光经M‑Z干涉结构后的干涉光强将发生变化。本发明通过将微小的古斯汉森位移量精确转化为光程差,利用光强探测器探测干涉光强来反应光程差,从而可以提高对微小古斯汉森位移的检测精度与探测极限,且以TE光作为参考,可提高系统的稳定性以及信噪比。
  • 基于干涉结构古斯汉森位移spr传感器
  • [发明专利]一种古斯-汉欣位移量计算方法-CN202011637470.0在审
  • 曾然;倪鹏飞;黄佳莹;杨淑娜;李浩珍;胡淼;李齐良 - 杭州电子科技大学
  • 2020-12-31 - 2021-04-30 - G06F17/16
  • 本发明公开一种古斯‑汉欣位移量计算方法,包括步骤:S1、建立有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的模型;S2、确定入射介质中的四元向量和边界条件;S3、使用传递矩阵法求得有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的传输矩阵;S4、根据传输矩阵求得电磁波从真空入射到有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的反射系数矩阵;S5、利用固定相位法根据反射系数矩阵计算出古斯‑汉欣位移。本发明采用固定相位法,计算出有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移,能够准确地分析有限表面带隙拓扑绝缘体多层结构的古斯‑汉欣位移特性,能够准确地反映出入射电磁波的偏振态,入射角,有限带隙拓扑绝缘体的带隙宽度,层数,层厚等参数对古斯‑汉欣位移特性的影响。
  • 一种位移计算方法
  • [发明专利]一种古斯汉欣位移放大器、制备方法及其放大方法-CN202111287740.4在审
  • 李波瑶;林钰培;孙敬华 - 东莞理工学院
  • 2021-11-02 - 2022-03-01 - G01B11/02
  • 本发明公开了一种古斯汉欣位移放大器、制备方法及其放大方法,该位移放大器包括上下两种不同折射率的介质;上层为透光的玻璃棱镜,下层为GH位移产生装置;在上层玻璃棱镜的右端刻下凹面,凹面朝向位移放大器的径斜向右上方当光进入玻璃棱镜或玻璃薄片中传播时,接触到GH位移产生装置的薄层将会产生反射光;由于光在GH位移产生装置的表面反射时表面发生等离子体共振,将大大增加古斯汉欣位移,同时光在反射后将再次经过结构的凹面,从而将古斯汉欣位移再次进行放大本发明实现了古斯汉欣位移的双重放大,更加便于对位移的观察和测量,制备成本低廉,移植性强,灵活性高。
  • 一种古斯汉欣位移放大器制备方法及其放大

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