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[发明专利]发射装置性能检测方法及系统-CN202010624852.3有效
发明人：李坤仪;王吉 -专利权人：深圳市速腾聚创科技有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：本发明提供了一种发射装置性能检测方法及系统。发射装置性能检测方法包括：以预设策略驱动待测发射装置发射出射光信号；接收出射光信号，获取出射光信号的性能参数；根据出射光信号的性能参数对待测发射装置进行筛选。发射装置的性能对激光雷达的测距能力有直接影响，尤其是发射装置的峰值功率。以预设策略驱动发射装置发射，通过出射光信号进行性能参数的测量，确保所有待测发射装置均处于相同的驱动环境中，获取到的性能参数仅仅与发射装置的自身性能有关。再根据获得的性能参数对发射装置进行筛选，将性能相近的发射装置筛选出来；筛选后的发射装置应用于激光雷达中，能够有效减少不同通道间的差异性，有利于提高激光雷达探测的准确性。
发射装置性能检测方法系统

[发明专利]高性能调频发射器-CN201310051035.3无效
发明人：姜秀坤 -专利权人：姜秀坤
申请日： 2013-02-16 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能调频发射器。它包括9V直流电源、拾音电路、振荡频率调整电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路及发射电路，其特征在于：所述的振荡频率调整电路由电位器RP和变容二极管D1组成，电位器RP的一端接电路正极VCC，电位器RP的活动端接变容二极管
性能调频发射器

[实用新型]高性能调频发射器-CN201320072959.7有效
发明人：姜秀坤 -专利权人：姜秀坤
申请日： 2013-02-16 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高性能调频发射器。它包括9V直流电源、拾音电路、振荡频率调整电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路及发射电路，其特征在于：所述的振荡频率调整电路由电位器RP和变容二极管D1组成，电位器RP的一端接电路正极VCC，电位器RP的活动端接变容二极管
性能调频发射器

[发明专利]场发射装置的性能优化-CN201280070914.4有效
发明人：罗德里克·A·海德;乔丁·T·卡勒;内森·P·梅尔沃德;托尼·S·潘;洛厄尔·L·小伍德 -专利权人：埃尔瓦有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：一种场发射装置被配置成热机，并且使所述装置的性能优化。
发射装置性能优化

[发明专利]发射器性能的评估-CN200680043471.4无效
发明人：凌福云;迪克·L·范维恩;穆拉利·拉马斯瓦米·查里;托马斯·孙 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H04L1/24 文献下载
摘要：本文描述促进在无线通信环境中监控发射器性能的系统和方法。可使用信号分析器对发射器的输出进行取样，且可将所述经取样信号传播到处理器。所述处理器可产生所述子载波的频率域信道估计值。可将所述信道估计值求平均，并使用其产生各种度量以评估发射器性能。
发射器性能评估

[发明专利]一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统-CN202311091819.9在审
发明人：赵明;袁楚卓 -专利权人：深圳市美矽微半导体有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H04B17/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统，涉及红外发射芯片测试技术领域，包括：将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测；性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测；性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测；性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测；结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。通过设置灵敏度检测模块、功耗能量检测模块、响应时间检测模块和抗干扰性检测模块，从多维度对红外发射芯片的性能进行综合测试，更为全面的提供检测数据。
一种红外发射芯片性能综合测试方法系统

[发明专利]一种物联网终端接收和发射性能的定量评估方法-CN202011032210.0在审
发明人：李刚;周鸣乐;杨宏;冯正乾;李孟良;李敏;卓兰;李旺;韩德隆;雷根 -专利权人：山东省计算中心(国家超级计算济南中心);中国电子技术标准化研究院
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明属于物联网终端领域，提供了一种物联网终端接收和发射性能的定量评估方法，包括获取物联网终端的通信数据，提取物联网终端的接收性能参数和发射性能参数；将接收性能参数和发射性能参数输入至评估模型中，输出物联网终端的接收性能等级和发射性能等级及相应评分，筛选出接收性和发射性能均在最优等级的物联网终端来构建物联网；其中，评估模型包括并行连接且模型架构相同的接收性能评估模型和发射性能评估模型。
一种联网终端接收发射性能定量评估方法

[发明专利]一种信号发射控制方法及装置-CN201811055911.9有效
发明人：霍彬 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H04B7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种信号发射控制方法及装置，确定终端对应的至少两根天线中每根天线的接收性能，根据至少两根天线中每根天线的接收性能，从至少两根天线中确定出发射天线，并通过发射天线发射无线信号。其中每根天线各自采用同一频段接收无线信号和发射无线信号，因此每根天线的接收性能和发射性能相同，这样就可以根据每根天线的接收性能，从终端对应的至少两根天线中确定出发射天线，实现根据天线的接收性能来灵活选取发射天线
一种信号发射控制方法装置

[发明专利]检测信号发射设备的发射性能的系统及方法-CN201710021405.7有效
发明人：郭超;屈可夫 -专利权人：普联技术有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H04B17/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测信号发射设备的发射性能的系统，包括：射频耦合器接收待测的信号发射设备发送的发射信号，对发射信号进行耦合生成耦合信号，输出耦合信号到射频开关；控制处理器接收到用户发送的请求检测信号发射设备发送的第i路发射信号的请求信号时，根据所述请求信号控制射频开关切换链路，以使第i路发射信号对应的耦合信号传送至测试仪器；测试仪器从第i路发射信号对应的耦合信号中提取数据包，自动触发对数据包的检测，并输出有效检测结果本发明还公开了一种检测信号发射设备的发射性能的方法。采用本发明实施例，能自动根据用户选择的发射设备发射的一路或多路信号进行检测，无需手动拆装置拓扑来更换测试通路，实现测试自动化。
检测信号发射设备性能系统方法

[发明专利]基站性能测试系统-CN201010250577.X无效
发明人：冯喜才;庄珍花 -专利权人：上海中铁通信信号国际工程有限公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H04W24/08 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基站性能测试系统，连接到基站的发射机和接收机，该基站性能测试系统包括：模拟信号产生子系统，连接到基站的发射机，模拟信号产生子系统产生测试信息比特，经调制和扩频后由发射机发射；发射机性能测试子系统，连接到模拟信号产生子系统和发射机，测试发射机的发射性能；模拟信号接收子系统，连接到基站的接收机，由接收机接收经调制和扩频的测试信息比特，经解扩和解调后还原测试信息比特；接收机性能测试子系统，连接到模拟信号接收子系统和接收机，测试接收机的性能。
基站性能测试系统

[发明专利]一种高性能电子发射材料-CN201710434864.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：虞庆煌
申请日： 2017-06-10 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01J1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能电子发射材料。该高性能电子发射材料由锌、镁和氮化硅制成，所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为50‑60:10‑20:9‑13。本发明提供的高性能电子发射材料性能优异，可以用于制备电子发射材料。
高性能电子发射材料氮化硅电子发射材料重量份制备

[发明专利]一种全固态激光雷达动态曝光方法、装置与激光雷达-CN202310408056.X在审
发明人：马志洁;谢武峻 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明提供一种全固态激光雷达动态曝光方法、装置与激光雷达，方法包括：控制光发射器以初始发射功率发射探测光；在曝光时间结束时，获取光子探测器阵列输出的直方图数据；根据所述直方图数据，确认当前探测性能是否满足预设性能条件；若不满足预设性能条件，则根据所述直方图数据动态调整所述初始发射功率，直到探测性能满足预设性能条件。通过动态调整光发射器的功率，使得全固态激光雷达的探测性能满足预设性能条件，确保探测效果的同时避免能量浪费。
一种固态激光雷达动态曝光方法装置

[发明专利]一种非标准PCIe3.0接口测试方法与系统-CN201610077603.0在审
发明人：廖祺;张柯柯;龚艳鸿 -专利权人：浪潮（北京）电子信息产业有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H04L12/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种非标准PCIe3.0接口测试方法与系统，分别对待测主板PCIe3.0接口进行发射性能测试和接收性能测试，获取待测主板PCIe3.0接口的存储波形；根据存储波形分析发射信号和参考时钟信号，得到眼图；根据眼图判断是否通过发射性能测试；令CPU进入Loopback模式；向CPU的接收信号中加入预设抖动信号；获取CPU的发射端的发射信号；根据CPU的发射信号与CPU的接收信号计算误码率，判断误码率是否小于预设误码率阈值，如果是则确定通过接收性能测试，当发射性能测试与接收性能测试均通过时，确定待测主板PCIe3.0接口通过测试，可以有效地对非标准主板PCIe3.0接口的发射信号品质和接收性能进行测试。
一种非标准 pcie3 接口测试方法系统

[发明专利]高发射性能的MEMS超声换能器-CN202110034536.5有效
发明人：孙成亮;朱伟;吴志鹏;王磊;林炳辉;胡博豪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及高发射性能的MEMS超声换能器，通过在超声换能器上设置深槽提高发射声压或者带宽，其中深槽的分布方式包括以下三种：一个或多个深槽贯穿超声换能器压电层、下电极、无源层、SiO2超声换能器发射的声波经过深槽时会引起深槽内的介质振动，这种振动会在超声换能器振膜上产生一个附加声场，通过调节深槽的尺寸，可以调节附加声场，从而调节超声换能器的发射声压、带宽、指向性等发射性能。
发射性能 mems 超声换能器

[发明专利]一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺-CN201910554067.2有效
发明人：欧阳威;吴翰;易春蓉;杜小霞 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理阴极薄膜提高场发射性能的工艺，该工艺通过使用不同种类的胶带以及改变胶带处理次数等参数来调控场发射点，并使用砝码压实的手段让胶带和待处理场发射阴极薄膜贴合更加紧密，最大限度地发挥出胶带处理改善场发射性能的作用，达到改善阴极形貌、降低场屏蔽效应并最终提高场发射性能的目的。实验结果证实，本发明提出的工艺对提高场发射性能有着极大的作用，再通过选择最优的胶带处理次数等工艺参数能有效地降低场发射器件的开启和阈值电场强度，从而获得性能优异的场发射器件。
一种处理阴极薄膜提高发射性能工艺

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