专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件内形成高压的方法-CN02159827.4无效
  • 朴正焕;郭鲁烈 - 海力士半导体有限公司
  • 2002-12-27 - 2004-01-21 - H01L21/336
  • 本发明涉及一种在半导体器件中形成高压的方法。该方法包括,形成一双重扩散漏极,通过注入一种比注入该双重扩散漏极中的杂质的原子量高的杂质,使该双重扩散漏极非晶化至一第一深度,将杂质注入直至小于该第一深度的一第二深度,使得杂质浓度达到一预设值,然后活化该杂质因而,本发明能够通过抑制杂质的扩散减小薄层电阻,通过降低的深度抑制沟道现象,并通过充分活化杂质而去除晶体缺陷,并且由于随后的用于活化的退火工艺可在高温下进行,从而改善工艺的可靠性和器件的电学特性。
  • 半导体器件形成高压方法
  • [发明专利]室温p型磁性半导体p-n-p双重器件和电控磁器件-CN201610946797.3有效
  • 陈娜;刘文剑;姚可夫 - 清华大学
  • 2016-11-02 - 2019-04-30 - H01L43/10
  • 本发明公开了微纳电子和自旋电子学材料的半导体器件制备技术领域的一种室温p型磁性半导体p‑n‑p双重器件和电控磁器件。所述p‑n‑p双重器件是一种基于室温p型磁性半导体和n型Si的p‑n和p‑n‑p双重器件,在n型Si上下表面镀有室温p型磁性半导体薄膜,形成了Au/p‑CFTBO/n‑Si/p‑CFTBO/Au结构的p‑n‑p双重器件,具有明显的整流效应;所述电控磁器件是在单晶硅表面依次镀上一层Cr膜、Au膜、一层p型磁性半导体薄膜和HfO2等氧化物绝缘层薄膜;该电控磁器件通过外加门电压产生的电场效应对其磁学性能进行有效调控
  • 室温磁性半导体双重器件电控磁
  • [发明专利]双重环缝缝纫机-CN201310384964.6在审
  • 中岛穗纯;森田胜;野口宏;秋山辰仁;能本幸代 - JUKI株式会社
  • 2013-08-29 - 2014-03-26 - D05B1/08
  • 本发明提供一种双重环缝缝纫机,其防止双重环缝的线迹开线。该双重环缝缝纫机(100)进行双重环缝,具有:进给机构,其将被缝制物(C)向固定的方向输送;缝针上下移动机构,其使缝针(11、12)上下移动;以及打环器机构,其使打环器(13)沿与被缝制物的输送方向相交叉的方向进退移动,该双重环缝缝纫机(100)的特征在于,具有线形成装置(50),该线形成装置(50)将针线和打环线的缝制结束端部(T13、L12)彼此结合。
  • 双重缝缝
  • [发明专利]微波炉用磁控管-CN200410055802.9有效
  • 东正寿 - 东芝北斗电子株式会社
  • 2004-07-30 - 2005-02-09 - H01J23/54
  • 微波炉用磁管具备形成具有筒形的双重壁构造部分的高频扼流圈的金属封体(19)、接合于该金属封体(19)的绝缘圆筒(20)、以及通过金属封体(19)和绝缘圆筒(20)的内侧的天线引线(22)。在金属封体(19)的与绝缘圆筒(20)的环形接合区域设置环形平坦面(19d),并且对作为金属封体(19)的双重壁构造部分的内侧壁构造部分(19c),将内径慢慢变化,靠近天线引线的斜面部(191)连续地设于环形平坦面
  • 微波炉用磁控管
  • [发明专利]具有双重结结构的半导体元件-CN97112124.9无效
  • 张景植 - 现代电子产业株式会社
  • 1997-06-13 - 2002-08-07 - H01L29/78
  • 本发明为防止热载流子效应和漏电,提出一种具有双重结结构的半导体器件,包括在半导体基片上形成的栅绝缘膜;在该膜上形成的栅电极;由形成于上述半导体基片上的第1导电类型的第1杂质注入区和形成于该区下部其浓度较低的第2导电类型的第2杂质注入区构成的双重的源区;由形成于上述半导体基片上的第2导电类型的第3杂质注入区和形成于该区下部其浓度较高的第2导电类型的第4杂质注入区构成的双重的漏区,使多数载流子从上述第1杂质注入区向上述第
  • 具有双重结构半导体元件
  • [实用新型]一种长度可调的吊环固定板装置-CN201921657698.9有效
  • 杨洋;卓清山;韩志达;张鹏云 - 宁波华科润生物科技有限公司
  • 2019-09-30 - 2020-08-18 - A61B17/04
  • 包括固定板、缝合线段和设置在固定板两端的牵引线和翻袢线;其中:固定板上设有与固定板的形状匹配的若干缝合线通孔;缝合线段以一定的穿线方式穿过缝合线通孔并在固定板一侧形成若干可调吊环,以及在固定板的另一侧形成双重加压自锁;缝合线段的尾端在固定板的另一侧穿过双重加压自锁头,拉动缝合线段的尾端可调节可调吊环的长度。本实用新型的长度可调的吊环固定板装置,通过调节可调吊环的长度,适应不同长度的手术通道;双重加压自锁可有效保证在手术过程中韧带不会发生回退现象,并降低术后自锁脱开的风险;固定板不同的缝合线通孔数可配合与其相适应的穿线方式
  • 一种长度可调吊环固定装置
  • [发明专利]一种高温高压气藏垢动态沉积堵塞预测模型构建方法-CN202310443054.4有效
  • 刘建仪;曹立虎;刘治彬 - 西南石油大学
  • 2023-04-24 - 2023-07-25 - G06F30/28
  • 本发明公开了一种高温高压气藏垢动态沉积堵塞预测模型构建方法,包括构建裂缝性气藏裂缝‑基质双重介质气水两相渗流模型、裂缝性气藏裂缝‑基质双重介质气水两相渗流有限体积法数值模型、地层水离子浓度随地层水渗流迁移模型、高温高压气藏地层条件下硫酸盐与碳酸盐垢预测数学模型、地层水蒸气含量相态计算模型及考虑地层水蒸发的离子浓度修正模型和地层垢堵塞与储层伤害模型,并进行求解。本发明通过高温高压气藏垢动态沉积堵塞预测模型构建方法,考虑高温下压力降低使得水蒸发与离子动态迁移扩散因素,基于相态平衡、化学平衡、活度系数及溶度积规则,建立了地层动态垢预测模型。
  • 一种高温压气结垢动态沉积堵塞预测模型构建方法

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