专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2227019个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种4,4乙基二铁戊烷的制备方法-CN202211511083.1在审
  • 王浩;周莹;周正勇;何通;王佳;朱奕锟;董长春 - 天元航材(营口)科技股份有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-02-24 - C07F17/02
  • 本发明公开的一种4,4乙基二铁戊烷的制备方法,属于化工催化剂生产领域。本发明以乙酰氯为酰化剂,采用路易斯酸为催化剂,二氯乙烷为溶剂,在(0±10)℃温度下对二铁进行酰化反应,反应时间7h,得到乙酰基二铁,经锌粉作为还原剂,在(80‑90)℃温度下进行还原反应,反应时间6h,得到的主产物再进行精馏制得含量≥97%的乙基二铁。在亚硫酸与甲醇反应后生成的亚硫酸甲酯中,由乙基二铁与戊酮缩合反应得到了4,4乙基二铁戊烷。目标产物为目前正在广泛应用的高氯酸铵(AP)热分解催化剂。研究结果表明,这种4,4乙基二铁戊烷新合成工艺具有较高的产率。为4,4乙基二铁戊烷的广泛应用奠定了基础。
  • 一种乙基二茂铁戊烷制备方法
  • [发明专利]一种制备金属薄膜材料的方法-CN200410098996.0无效
  • 杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 - 中国科学院半导体研究所
  • 2004-12-23 - 2006-07-05 - C23C14/48
  • 本发明提供一种制备金属薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的离子束外延生长设备,以纯度要求不高的低成本氯化为原材料,在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上,先用产生的同位素纯低能金属离子束和氮离子束制备一层薄氮化作为阻挡衬底与离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层,再用单束同位素纯低能金属离子外延生长金属薄膜,通过准确控制离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度,在超高真空生长室内,实现难提纯、高熔点的金属薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延本发明的生长工艺便于调控和优化,是一种经济实用的制备用于半导体技术领域金属薄膜材料的方法。
  • 一种制备金属薄膜材料方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top