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[发明专利]一种双向瞬态电压抑制保护电路-CN202310217198.8在审
发明人：雪克·玛力卡勒强斯瓦密;史宁 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种双向瞬态电压抑制保护电路，包含两个高侧二极管、两个低侧二极管、钳位电路和触发电路。该双向瞬态电压抑制保护电路用于实现受保护节点处的低电容，改善电压箝位，在浪涌事件时提供强劲的保护。
一种双向瞬态电压抑制保护电路

[发明专利]基于开路失效模式的瞬态电压抑制二极管及其电路、系统-CN202210027164.8在审
发明人：张少秋;刘宗金;夏杰;吴佳;吴晨雨;欧新华;袁琼 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于开路失效模式的瞬态电压抑制二极管及其电路、系统，包括保护外壳，及设置于保护外壳内的串联的熔断保险丝及瞬态电压抑制二极管；当工作电压小于瞬态电压抑制二极管的反向截止电压时，瞬态电压抑制二极管处于截止状态；当出现大于反向截止电压的过压尖峰脉冲时，瞬态电压抑制二极管导通并与熔断保险丝泄放脉冲能量；当尖峰脉冲能量超出瞬态电压抑制二极管承受范围时，击穿瞬态电压抑制二极管的晶圆导致短路，所述熔断保险丝熔断。本发明可以避免其所在应用电路的工作电压出现较大尖峰脉冲能量造成的电路起火的问题的发生。其结构简单，易于加工，成本较低，有利于在各类应用电路中进行广泛的推广使用。
基于开路失效模式瞬态电压抑制二极管及其电路系统

[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法-CN201711423175.3有效
发明人：周源;郭艳华;李明宇;张欣慰 -专利权人：北京燕东微电子股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第一掺杂类型的第一外延层；第一掺杂类型的第二外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上以覆盖第一外延层；多个第一掺杂区，形成于半导体衬底内；多个第二掺杂区，各个第二掺杂区形成于第二外延层内或穿过第二外延层与对应的第一掺杂区相连，多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、半导体衬底以及第二外延层用于形成双向抑制电路，双向抑制电路包括第一整流二极管、第二整流二极管、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
瞬态电压抑制器及其制造方法

[实用新型]瞬态电压抑制器-CN201721843260.0有效
发明人：周源;郭艳华;李明宇;张欣慰 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了瞬态电压抑制器，瞬态电压抑制器包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第一掺杂类型的第一外延层；第一掺杂类型的第二外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上以覆盖第一外延层；多个第一掺杂区，形成于半导体衬底内；多个第二掺杂区，各个第二掺杂区形成于第二外延层内或穿过第二外延层与对应的第一掺杂区相连，多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、半导体衬底以及第二外延层用于形成双向抑制电路，双向抑制电路包括第一整流二极管、第二整流二极管、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管。本实用新型提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
掺杂区外延层瞬态电压抑制器衬底半导体掺杂类型瞬态抑制二极管本实用新型整流二极管抑制电路双向瞬态电压抑制第一表面引出电极正反两面体积小电容穿过覆盖

[发明专利]低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法-CN201210198843.8有效
发明人：吴贵松;刘宗永;许晓鹏 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司
申请日： 2012-06-16 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法，该低电容玻璃实体封装硅瞬态电压抑制二极管包括壳体及沿壳体两端引出的引线，其还包括设于壳体内的瞬态电压抑制二极管管芯、整流二极管管芯、数个铝片层及两个钼电极，该瞬态电压抑制二极管管芯与整流二极管管芯之间串联连接，数个铝片层分别设于瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯的两个侧面上，该瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯还分别与一钼电极相连接，该两钼电极分别与一引线相连接本发明制作的低电容硅瞬态电压抑制二极管同时具有瞬态电压抑制二极管和整流管的功能，不仅体积小、重量轻、制作成本较低，且具有低结电容的显著优点，尤其适合在高频线路做保护器件使用。
电容玻璃实体封装瞬态电压抑制二极管及其制造方法

[发明专利]低电容瞬态电压抑制器-CN201910988224.0在审
发明人：雪克·玛力卡勒强斯瓦密 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：瞬态电压抑制器(TVS)器件将穿通可控硅整流器(SCR)应用于高压侧转向二极管和/或低压侧转向二极管，其中的穿通可控硅整流器结构可实现保护节点处的低电容。在某些实施方式中，可通过串联连接两个或多个正向偏置二极管来调整瞬态电压抑制器器件的击穿电压。可以针对单向或双向应用，配置低电容瞬态电压抑制器器件。在某些实施方式中，该器件包含MOS触发可控硅整流器，作为高压侧转向二极管。可以通过调节MOS晶体管的阈值电压，来调节瞬态电压抑制器器件的击穿电压。
电容瞬态电压抑制器

[发明专利]三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法-CN201610604715.7在审
发明人：乔明;方冬;于亮亮;李成州;李路;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极，恒流器件结构还包括：第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极，双向瞬态电压抑制二极管结构还包括：第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极，本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起
防护功能垂直型恒流器件及其制造方法

[发明专利]三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法-CN201610602029.6在审
发明人：乔明;方冬;于亮亮;李成州;李路;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用P型掺杂衬底、阳极、N型掺杂外延层，恒流器件结构还包括：第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极，双向瞬态电压抑制二极管结构还包括：第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极，本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起
防护功能垂直型恒流器件及其制造方法

[实用新型]基于开路失效模式的瞬态电压抑制二极管及其电路、系统-CN202220060345.6有效
发明人：张少秋;刘宗金;夏杰;吴佳;吴晨雨;欧新华;袁琼 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于开路失效模式的瞬态电压抑制二极管及其电路、系统，包括保护外壳，及设置于保护外壳内的串联的熔断保险丝及瞬态电压抑制二极管；当工作电压小于瞬态电压抑制二极管的反向截止电压时，瞬态电压抑制二极管处于截止状态；当出现大于反向截止电压的过压尖峰脉冲时，瞬态电压抑制二极管导通并与熔断保险丝泄放脉冲能量；当尖峰脉冲能量超出瞬态电压抑制二极管承受范围时，击穿瞬态电压抑制二极管的晶圆导致短路，所述熔断保险丝熔断。本实用新型可以避免其所在应用电路的工作电压出现较大尖峰脉冲能量造成的电路起火的问题的发生。其结构简单，易于加工，成本较低，有利于在各类应用电路中进行广泛的推广使用。
基于开路失效模式瞬态电压抑制二极管及其电路系统

[发明专利]低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法-CN201210202114.5有效
发明人：吴贵松;杨秀斌;孙汉炳 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司
申请日： 2012-06-16 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管及其制造方法，该低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管包括壳体及沿壳体两端引出的上、下引线，其还包括设于壳体内的瞬态电压抑制二极管管芯、整流二极管管芯、数个焊料层及两个电极；所述壳体为玻璃可阀合金壳体，瞬态电压抑制二极管管芯与整流二极管管芯之间串联连接，数个焊料层分别设于瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯的两个侧面上，该瞬态电压抑制二极管管芯及整流二极管管芯还分别与一电极相连接本发明制作的低电容金属封装硅瞬态电压抑制二极管同时具有瞬态电压抑制二极管和整流管的功能，不仅体积小、重量轻、制作成本较低，且具有低结电容的显著优点，尤其适合在高频线路做保护器件使用。
电容金属封装瞬态电压抑制二极管及其制造方法

[发明专利]一种低电容双向瞬态电压抑制器结构及其制作方法-CN202110740486.2有效
发明人：朱伟东;赵泊然;江菲娜 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种低电容双向瞬态电压抑制器结构，其中，包括：第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件，第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件之间通过沟槽隔离，第一双向TVS二极管器件和第二双向TVS二极管器件均包括第一导电类型衬底，第一双向TVS二极管器件还包括第二导电类型埋层、第二导电类型外延层以及第一导电类型掺杂区A；第二双向TVS二极管器件还包括第二导电类型外延层、第二导电类型阱区以及第一导电类型掺杂区B。本发明还公开了一种低电容双向瞬态电压抑制器结构的制作方法。本发明提供的低电容双向瞬态电压抑制器结构实现了在电性能上的双向高静电保护能力和低电容。
一种电容双向瞬态电压抑制器结构及其制作方法

[发明专利]瞬态电压抑制器-CN201510516444.5有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管，其中，容性二极管组件包括在同一个半导体芯片中形成且所述半导体芯片内反向并联连接的第一二极管和第二二极管。该瞬态电压抑制器采用容性二极管组件作为无极性的电容元件，从而提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
瞬态电压抑制器

[实用新型]瞬态电压抑制器-CN201520633734.3有效
发明人：周源;张彦秀;韦仕贡;徐鸿卓 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括：彼此串联连接的容性二极管组件和第一齐纳二极管，其中，容性二极管组件包括在同一个半导体芯片中形成且所述半导体芯片内反向并联连接的第一二极管和第二二极管。该瞬态电压抑制器采用容性二极管组件作为无极性的电容元件，从而提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。
瞬态电压抑制器

[实用新型]无功耗整流装置-CN200920198066.0无效
发明人：陈吉庭 -专利权人：上虞舜宇照明工程有限公司
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H05B41/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无功耗整流装置，包括电子镇流器，所述电子镇流器包括灯丝电容，还包括延迟开关和双向瞬态电压抑制二极管，所述延迟开关和双向瞬态电压抑制二极管串联之后与所述灯丝电容并联。与现有技术相比，本实用新型利用与灯丝电容并联的延迟开关和双向瞬态电压抑制二极管串联所产生的高压导通而延时断开的特性为照明设备的灯丝提供预热，从而避免了冷态强行启动照明设备时灯丝表面物质溅射轰击管端荧光粉而造成灯管两端发黑
功耗整流装置

[发明专利]三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法-CN201610604546.7在审
发明人：乔明;方冬;于亮亮;李成州;李路;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极、N型掺杂外延层；恒流器件结构还包括：第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极，双向瞬态电压抑制二极管结构还包括：第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极，本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起，使得恒流器件具备了一定的抗浪涌能力，增强了恒流器件以及由其组成的系统的可靠性，大大缩减了面积。
防护功能垂直型恒流器件及其制造方法