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- [发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法-CN201711423175.3有效
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周源;郭艳华;李明宇;张欣慰
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北京燕东微电子股份有限公司
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2017-12-25
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2023-09-19
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H01L27/02
- 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第一掺杂类型的第一外延层；第一掺杂类型的第二外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上以覆盖第一外延层；多个第一掺杂区，形成于半导体衬底内；多个第二掺杂区，各个第二掺杂区形成于第二外延层内或穿过第二外延层与对应的第一掺杂区相连，多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、半导体衬底以及第二外延层用于形成双向抑制电路，双向抑制电路包括第一整流二极管、第二整流二极管、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
- 瞬态电压抑制器及其制造方法
- [发明专利]测试结构及测试方法-CN202310225139.5在审
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代佳;张欣慰;王乾;李静怡;于江勇;张小麟
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北京燕东微电子科技有限公司
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2023-03-01
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2023-07-18
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H01L23/544
- 本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，结构设置冗余的问题。该测试结构，包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一子测试结构和第二子测试结构；第一测试电极，与每个测试金属层中的第一子测试结构分别相连；第二测试电极，与每个测试金属层中的第二子测试结构相连；其中，第一测试电极与每个测试金属层的第一子测试结构之间还设置有MOS管，不同测试金属层的第一子测试结构与第一测试电极之间的MOS管的开启电压不同。该测试结构可同时对多个测试金属层进行检测，可判断是否具有短路缺陷以及短路缺陷的位置，极大地节省了测试结构的数目，提高了测试效率。
- 测试结构方法
- [发明专利]测试结构及测试方法-CN202310201514.2在审
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代佳;于江勇;王乾;张欣慰;李静怡;张小麟
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北京燕东微电子科技有限公司
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2023-03-01
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2023-07-07
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H01L23/544
- 本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，测试结构冗余的问题。该测试结构包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一和第二子测试结构；第一测试电极，由金属和通孔与每个测试金属层中的第一子测试结构分别相连；第二测试电极，通过导电通道与每个测试金属层中的第二子测试结构相连；其中，第一测试电极与每个测试金属层的第一子测试结构之间还设置有二极管，不同测试金属层的第一子测试结构与第一测试电极之间的二极管的反向击穿电压不同。该测试结构可同时对多个测试金属层进行检测，可判断是否具有短路缺陷以及短路缺陷的位置，极大的提高了测试效率。
- 测试结构方法
- [发明专利]测试结构及测试方法-CN202310198529.8在审
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代佳;李静怡;王乾;于江勇;张欣慰;张小麟
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北京燕东微电子科技有限公司
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2023-03-01
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2023-06-20
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H01L23/544
- 本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，结构设置冗余的问题。该测试结构，包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一子测试结构和第二子测试结构；第一测试电极，与每个测试金属层中的第一子测试结构分别相连；第二测试电极，与每个测试金属层中的第二子测试结构相连；其中，第一测试电极与每个测试金属层的第一子测试结构之间还设置有预设电阻，不同测试金属层的第一子测试结构与第一测试电极之间的预设电阻的阻值不同。该测试结构可同时对多个金属层进行检测，单次测试即可判断是否具有短路缺陷以及缺陷的位置，极大的节省了测试结构的数目、提高了测试效率。
- 测试结构方法
- [发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法-CN201810146821.4有效
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周源;郭艳华;李明宇;张欣慰
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北京燕东微电子有限公司
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2018-02-12
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2023-05-16
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H01L27/02
- 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：半导体衬底及其第一表面上的第二外延层；第一埋层，向半导体衬底内延伸；第二埋层，第一部分向半导体衬底内延伸、第二部分向第一埋层内延伸；第一隔离区，向第二外延层内延伸以限定第一隔离岛和第二隔离岛；第二隔离区，向第二外延层内延伸，第一部分在第一隔离岛内限定第三隔离岛，第二部分与第二埋层的第一部分相连；第一阱区，一部分向第三隔离岛内延伸、另一部分通过第一隔离区与第一埋层相连；延伸至第二隔离岛内的第二阱区，与第一阱区的第一部分电相连。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
- 瞬态电压抑制器及其制造方法
- [发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法-CN201810146805.5有效
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周源;郭艳华;李明宇;张欣慰
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北京燕东微电子有限公司
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2018-02-12
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2023-05-16
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H01L27/02
- 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：半导体衬底；外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上；第一埋层，从半导体衬底的第一表面向半导体衬底内延伸，第一埋层与半导体衬底形成PN结；第二埋层，部分第二埋层和部分第一埋层形成第一瞬态电压抑制管；多个隔离区，分别从外延层表面延伸至第一埋层或第二埋层内；多个阱区，从外延层表面延伸至外延层内，多个阱区中的至少一个阱区与相应的隔离区接触以形成第二瞬态电压抑制管，至少部分第一埋层与半导体衬底电相连以使PN结被短路。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
- 瞬态电压抑制器及其制造方法
- [实用新型]晶圆的测试结构-CN202220300059.2有效
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于江勇;张小麟;代佳;张欣慰;周源;罗胡瑞
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北京燕东微电子科技有限公司
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2022-02-15
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2022-06-14
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H01L23/544
- 本公开提供了一种晶圆的测试结构，包括位于半导体层上并沿第一方向间隔排列的第一伪栅和第二伪栅；第一伪侧墙，位于第一伪栅的外围；第二伪侧墙，位于第二伪栅的外围，至少部分第一伪侧墙与第二伪侧墙相对设置；位于半导体层中的第一掺杂区，第一掺杂区包括位于第一伪侧墙与第二伪侧墙之间的重掺杂区，重掺杂区包括沿第二方向设置的两个分隔的接触区，位于两个接触区之间的重掺杂区的截面形状呈矩形；第一测试电极和第二测试电极，分别电连接至重掺杂区的两个接触区，其中，第一方向、第二方向以及半导体层的厚度方向彼此垂直。该测试结构根据电学测试结果获得伪侧墙的宽度，进而监控半导体器件中侧墙的宽度，提高测试的效率与准确率。
- 测试结构
- [实用新型]晶圆的测试结构-CN202220300478.6有效
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于江勇;张小麟;代佳;张欣慰;周源;罗胡瑞
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北京燕东微电子科技有限公司
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2022-02-15
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2022-06-10
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H01L23/544
- 本公开提供了一种晶圆的测试结构，包括位于半导体层表面的第一绝缘层；位于第一绝缘层表面的第一伪栅和第二伪栅，第一伪栅与第二伪栅沿第一方向间隔设置并沿第二方向延伸，构成待测电容的两个极板，第一方向、第二方向以及半导体层的厚度方向彼此垂直；位于半导体层上方的第一伪侧墙和第二伪侧墙，第一伪侧墙位于第一伪栅的外围，第二伪侧墙位于第二伪栅的外围，位于第一伪栅与第二伪栅之间的第一伪侧墙与第二伪侧墙构成待测电容的部分介质；第一测试电极和第二测试电极，第一伪栅电连接至第一测试电极，第二伪栅电连接至第二测试电极。该测试结构根据电学测试结果获得伪侧墙的宽度，进而监控半导体器件中侧墙的宽度，提高测试的效率与准确率。
- 测试结构
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