“去除保护基”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3236876个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种制备蜘蛛抗菌肽的方法-CN201911020337.8在审
发明人：李长兵;姜和 -专利权人：成都医学院
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C07K7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备蜘蛛抗菌肽的方法，包括如下步骤：1)按照蜘蛛抗菌肽的氨基酸序列合成肽链，所得到的肽链上第6个和第11个氨基酸带了保护基A，第2个和15个氨基酸带保护基B；2)去除保护基A和保护基B的其中任意一个；3)氧化形成第一对二硫键；4)去除保护基A和保护基B剩下的一个；5)氧化形成第二对二硫键。
一种制备蜘蛛抗菌方法

[发明专利]一种低表面张力的硅基光纤阵列V槽的制作方法-CN201210100996.4有效
发明人：缪建民 -专利权人：缪建民
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种低表面张力的硅基光纤阵列V槽的制作方法，它包括如下步骤：在硅基上生成保护薄膜、在保护薄膜上旋涂光刻胶膜、在光刻胶膜上光刻出腐蚀Ｖ槽所需的图案、使用RIE工艺刻蚀掉腐蚀Ｖ槽所需图案位置对应的保护薄膜、利用丙酮溶液去除硅基上的光刻胶膜、使用KOH溶液或TMAH溶液蚀刻已经被露出的硅基，形成Ｖ槽、用对应溶液去除硅基上的保护薄膜；在去除保护薄膜后的硅基上通过LPCVD工艺淀积的低表面张力薄膜。
一种表面张力光纤阵列制作方法

[发明专利]利用滑菇培养基废料去除含铜工业废水的方法-CN201210339093.1无效
发明人：张成巍;宋俊洲 -专利权人：大连格兰清水环境工程有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除含铜废水的处理方法，具体是利用滑菇培养基废料来去除含铜废水，属于环境保护技术领域。利用滑菇培养基废料去除含铜废水的方法，其具体步骤为预处理—备料—粉碎—高温灭菌、干燥—反应—分光测定。该方法是利用多种混合料混合制成生物吸附剂高效去除铜离子，不仅运行简便，而且使农产品废料得到二次利用，减少污染，保护环境。
利用培养基废料去除工业废水方法

[发明专利]利用滑菇培养基废料去除含锌工业废水的方法-CN201210339084.2无效
发明人：张成巍;宋俊洲 -专利权人：大连格兰清水环境工程有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除含锌废水的处理方法，具体是利用滑菇培养基废料来去除含锌废水，属于环境保护技术领域。利用滑菇培养基废料去除含锌废水的方法，其具体步骤为预处理—备料—粉碎—高温灭菌、干燥—反应—分光测定。该方法是利用多种混合料混合制成生物吸附剂高效去除锌离子，不仅运行简便，而且使农产品废料得到二次利用，减少污染，保护环境。
利用培养基废料去除含锌工业废水方法

[发明专利]一种InP基衬底的刻蚀方法-CN202310864394.4在审
发明人：朱开放;任舟逸;任华;郭春祥;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供了一种InP基衬底的刻蚀方法，该InP基衬底的刻蚀方法，包括：提供一InP基衬底；对所述InP基衬底刻蚀，形成凹槽以及侧壁保护层；在所述凹槽底部形成第一底部保护层；去除所述侧壁保护层和第一底部保护层在刻蚀凹槽过程中会在凹槽的侧壁同步形成侧壁保护层，降低在刻蚀凹槽过程中对侧壁造成的损伤，提高了侧壁的光滑度。还能简化工艺流程，减少工艺时间。通过在凹槽底部表面形成第一底部保护层，并去除第一底部保护层能提高底部的光滑度。基于该种方法形成的InP基衬底的凹槽内表面光滑度较高，基于该InP基衬底制备的半导体器件的性能更优异，可靠性更强，更加稳定。
一种 inp 衬底刻蚀方法

[发明专利]电沉积磨具的制造方法-CN201610952548.5在审
发明人：关龙也;片山壮一 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：一种电沉积磨具(1)的制造方法，该电沉积磨具(1)的制造方法包含如下的工序磨具部形成工序，在由包含铝在内的材料形成的环状的基台(4)上形成由多孔性构造的镀层和分散在镀层中的磨粒构成的磨具部(36)；基台去除工序，使药液作用于与磨具部重叠的基台的一部分而将基台的一部分去除；以及保护层形成工序，在磨具部形成工序之前，在基台的表面上形成保护层(16)，该保护层用于相对于通过了镀层的药液保护基台。
沉积磨具制造方法

[发明专利]一种镍基合金的制备工艺-CN202311099231.8在审
发明人：谢立新;黄超 -专利权人：无锡亨通特种合金制造有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基合金的制备工艺，包括以下步骤：步骤1、配制；步骤2、筛选，将高压静电分离器抽真空，然后充入惰性气体，接着将镍基合金粉体加入到高压静电分离器中，在惰性气体保护下，通过高压静电分离器去除镍基合金粉体中非金属夹杂物；步骤3、熔炼；步骤4、精炼；步骤5、锻造；步骤6、热轧；步骤7、退火；步骤8、漂洗；步骤9、后处理，得到镍基合金材料成品；本发明在惰性气体保护下，通过高压静电分离器去除镍基合金粉体中非金属夹杂物，对夹杂物也有较好的去除效果，避免镍基合金粉末出现空心粉和粉末表面的氧化的现象，从而清除镍基合金冶炼缺陷，保证镍基合金的制备质量。
一种合金制备工艺

[发明专利]法罗培南钠的制备方法-CN200910052926.4无效
发明人：陈芬儿;黄建平;赵磊;古双喜 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C07D499/893 文献下载
摘要：一种法罗培南钠的制备方法，以(1′R，2″R，5R，65)-6-[(1′-R²)-2″-四氢呋喃基]青霉烯-3-羧酸酯为原料，R²为羟乙基，或叔丁基二甲基硅氧乙基，在钯催化剂，烯烃基捕捉剂的存在下去除羧酸的烯丙基或肉桂基保护基，又在碱的作用下制得法罗培南钠；或，B：当R²为叔丁基二甲基硅氧乙基时，在钯催化剂、三苯基膦和烯烃基捕捉剂的存在下去除羧酸的烯丙基或肉桂基保护基后，经氟化氢酸、氟化氢铵或稀酸的作用下去除羟基的硅基保护基，再在碱的作用下制得法罗培南钠，所述的烯烃基捕捉剂为5，5-二甲基环己二酮；所述的钯催化剂为二氯化钯、二氯化钯与三苯基膦的混合物、二(三乙氧基膦)
法罗培南钠制备方法

[发明专利]一种硅基OLED微显示器的制备方法-CN202011129418.4在审
发明人：孙云翔 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基OLED微显示器的制备方法，包括：将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；对基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对第一特性的光刻胶进行曝光显影，以在基板上形成第一光刻胶保护层；对基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得电极上存在有阳极保护层；针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；在基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，刻蚀去除阳极保护层；以及在完成去除阳极保护层后，进行盖板玻璃的封装和电路焊接。本发明可以制备出电极无腐蚀现象的硅基OLED微显示器。
一种 oled 显示器制备方法

[发明专利]乙酸格拉默(GLATIRAMER ACETATE)的合成-CN200980130802.1有效
发明人：萧宗育;何孟芬 -专利权人：台湾神隆股份有限公司
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C07K1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备多肽或其医药上可接受盐的方法，所述方法包含使包含经保护基保护的L-丙氨酸、L-酪氨酸、L-谷氨酸和L-赖氨酸的L-赖氨酸经保护多肽在水中与四烷基氢氧化铵反应以去除所述保护基。
乙酸格拉默 glatiramer acetate 合成

[发明专利]基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法-CN201310175534.3有效
发明人：徐哲;王金延;刘洋;蔡金宝;刘靖骞;王茂俊;谢冰;吴文刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的保护层并去除剩余光刻胶；对凹槽栅区域在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；去除保护层；淀积栅绝缘层并制备栅金属；涂敷光刻胶并光刻源漏端接触孔图形；腐蚀接触孔处绝缘层并去除光刻胶。本发明可制得具有自停止特性且槽底平整、台阶边缘光滑的凹槽栅结构，具有很高的可操作性和可重复性，所制备的氮化镓基增强型器件的性能优异，利于工业化生产。
基于停止刻蚀凹槽氮化增强器件制备方法

[发明专利]一种具有规则排列氨基酸的纳米层状化合物及其制备方法-CN200910133216.4无效
发明人：姚建;刘婉君 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明利用已经合成的带有规则排列酰氯的纳米层状化合物同氨基以外的活性基团被保护的天然(L型)和外消旋(DL型)氨基酸进行酰胺化接枝反应，然后利用保护基去除剂去除氨基酸的保护基，最终得到稳定的，具有规则排列氨基酸的纳米层状化合物
一种具有规则排列氨基酸纳米层状化合物及其制备方法

[发明专利]制备μ(mu)类鸦片受体拮抗剂的中间物的方法-CN200880024202.2有效
发明人：皮埃尔-让·科尔松;于颖;丹尼尔·D·朗;约安娜·斯特贾德斯 -专利权人：施万制药
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C07D451/02 文献下载
摘要：本发明提供一种通过在受控条件下氢化氨基受保护的3-(8-氮杂双环[3.2.1]辛-2-烯-3-基)苯甲酰胺中间物，来制备3-内-(S-氮杂双环[3.2.1]辛-3-基)苯甲酰胺的有效方法，其中氨基保护基可通过催化氢化作用去除
制备 mu 鸦片受体拮抗剂中间方法

[发明专利]一种RGD环肽前体的制备方法-CN202211499901.0在审
发明人：徐红岩;竺剑峰;程庆武;张成桂;韩世永;奚嘉麒 -专利权人：滨海吉尔多肽有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C07K7/64 文献下载
摘要：本发明涉及多肽合成技术领域，具体公开了一种RGD环肽前体的制备方法，主要包括以下步骤：(1)合成RGD线性多肽树脂；(2)去除天冬氨酸的α羧基保护基；(3)树脂上环化成内酰胺环；(4)去除赖氨酸ε氨基保护基
一种 rgd 环肽制备方法

[发明专利]一种半导体等离子刻蚀工艺-CN200910090173.6有效
发明人：李俊杰;杨盟 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子刻蚀工艺，包括：介质层贯穿刻蚀步，所述介质层贯穿刻蚀步的工艺气体包括氟基刻蚀气体、第一光阻保护气体以及稀释气体；硅主刻蚀步，所述硅主刻蚀步的工艺气体包括主刻蚀气体、碳基副产物去除气体以及第二光阻保护气体优选实施例中，所述氟基刻蚀气体为CF₄或者SF₆，所述第一光阻保护气体为CH₂F₂或者CHF₃或者HBr，所述稀释气体为He、Ar或者N₂；所述主刻蚀气体为Cl₂，所述碳基副产物去除气体为O₂，所述第二光阻保护气体为HBr。
一种半导体等离子刻蚀工艺

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条