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[发明专利]一种钙钛矿忆阻器及其制备方法-CN202110005175.1在审
发明人：廖广兰;叶海波;刘智勇;刘星月;张许宁;史铁林;汤自荣 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了提供了一种钙钛矿忆阻器及其制备方法，包括自下而上排列的底电极、无铅钙钛矿层、聚合物保护层和顶电极层；其中，所述无铅钙钛矿层为无铅金属卤化物钙钛矿，所述无铅金属卤化物钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒结构所述方法包括：在底电极上采用热动态旋涂法旋涂无铅金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，退火处理在底电极上形成无铅钙钛矿层；在无铅钙钛矿层上旋涂聚合物溶液，退火，在无铅钙钛矿层上形成聚合物保护层；在聚合物保护层上通过热蒸发制备顶电极，在聚合物保护层上形成顶电极层，得到钙钛矿忆阻器。本发明避免了毒性铅的使用，并且无铅钙钛矿为致密的多边形纳米颗粒，覆盖率高，防止短路。
一种钙钛矿忆阻器及其制备方法

[发明专利]多孔性金属卤化物膜、其制备方法及利用其的钙钛矿结构的有机金属卤化物的制备方法-CN201810210093.9在审
发明人：徐章源;全男中;梁泰烈;鲁俊洪;金荣灿;朴恩映 -专利权人：韩国化学研究院
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C01G21/16 文献下载
摘要：本发明涉及与有机卤化物进行反应来转换为钙钛矿结构的有机金属卤化物的有机金属卤化物制备用多孔性金属卤化物膜、其制备方法及利用其的钙钛矿结构的有机金属卤化物的制备方法，详细地，本发明的多孔性金属卤化物膜满足以下关系式1，关系式1：I(101)/I(001)≥0.5，关系式1中，I(101)为利用多孔性金属卤化物膜的CuKα射线的X射线衍射图案中的(101)面的衍射强度，I(001)为相同的X射线衍射图案中的(001
有机金属卤化物制备多孔性金属卤化物钙钛矿结构衍射有机卤化物转换

[发明专利]一种通过有机小分子修饰的钙钛矿太阳能电池、制备方法及应用-CN202111004262.1在审
发明人：陈永华;徐亚民;夏英东;黄维 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种修饰剂、界面活性材料、钙钛矿太阳能电池及制备方法，属于有机光电领域。该修饰剂包括丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯等具有R1‑CH＝CHCOO‑R2结构的有机小分子，与离子液体配合来修饰卤化物钙钛矿，提高其光电特性及环境稳定性，并且显著提高钙钛矿太阳能电池的开压，最终提高钙钛矿太阳电池的性能。该制备方法将卤化物钙钛矿和有机分子修饰剂相接触，并进行退火处理，制备具有优异光电性能的钙钛矿薄膜材料。该工艺过程简单，重复性高，可在环境中制备，并且可根据实际应用要求优化有机分子，以最大程度发挥卤化物钙钛矿薄膜光电性能，实现优异的器件性能。
一种通过有机分子修饰钙钛矿太阳能电池制备方法应用

[发明专利]一种高质量有机铅卤化物钙钛矿薄膜的两步生长法-CN202211422600.8在审
发明人：周聪华;林思远;吴书越 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量有机铅卤化物钙钛矿薄膜的两步生长方法，其特征在于：在碘化铅薄膜表面涂布聚合物分子掺杂的有机离子盐薄层，然后进行退火处理，以制备有机铅卤化物钙钛矿薄膜。该方法利用聚合物分子的配位作用抑制有机离子盐的析晶过程，改善其成膜连续性与均匀性，利用聚合物分子的缓释效应调节有机铅卤化物钙钛矿薄膜的生长过程，提高结晶质量。该调控方法适用于旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法等方法，在高质量钙钛矿薄膜制备及其光电应用，尤其是钙钛矿太阳电池当中具有广泛的应用前景。
一种质量有机卤化物钙钛矿薄膜生长

[发明专利]一种无铅有机卤化镁钙钛矿电池及其制备方法-CN201710137501.8在审
发明人：马爱斌;陈哲勰;陈建清;宋丹;王家佳;杨东辉;江静华 -专利权人：河海大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅有机卤化镁钙钛矿电池及其制备方法，其电池结构由下至上分别是FTO导电玻璃、TiO2致密层、TiO2多孔层、Mg基钙钛矿吸收层、空穴传输层、银电极。现有的高效钙钛矿电池多为铅基钙钛矿电池，铅对环境和人体有很大的危害，而本发明以镁基卤化物钙钛矿薄膜替换现有的铅基卤化物钙钛矿薄膜，发展出了新的无铅钙钛矿电池，有利于对环境和人类健康的保护；+2价的镁相比于+2价的铅和锡更为稳定，因此镁基钙钛矿的化学稳定性更好，同时镁的价格低廉，极大地降低了钙钛矿吸收层薄膜的制作成本。
一种有机卤化镁钙钛矿电池及其制备方法

[发明专利]一种基于微孔结构的钙钛矿光伏器件制备方法-CN202210361793.4在审
发明人：胡芹;杨育倩;赵珍珠;李渝;苑成健;孙沐霖 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于微孔结构的钙钛矿光伏器件制备方法，依次制备了衬底、第一电极、第一载流子传输层、钙钛矿层、第二载流子传输层、第二电极。在ITO玻璃上制备第一载流子传输层；将包括金属卤化物和发泡剂的混合溶液旋涂在第一载流子传输层上，进行第一退火处理，制备金属卤化物薄膜；将胺盐溶液旋涂在金属卤化物薄膜上，进行第二退火处理，制备钙钛矿层；在钙钛矿层上制备第二载流子传输层通过将发泡剂作为添加剂引入金属卤化物溶液，制备了具有微孔结构的金属卤化物薄膜，促进胺盐在金属卤化物中的扩散，增加了两者的接触面积，使两者反应更充分，得到了晶粒尺寸大、排列致密的高质量钙钛矿薄膜。
一种基于微孔结构钙钛矿光伏器件制备方法

[发明专利]甲脒基盐涂布墨水及其制备方法与应用-CN202210651603.2有效
发明人：徐敬超;邵君;于振瑞 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种甲脒基盐涂布墨水及其制备方法与应用，该甲脒基盐涂布墨水包括：甲脒基卤化物、诱导添加剂、醇溶剂和配位溶剂，配位溶剂可溶解卤化铅，进而得到卤化铅‑配位溶剂‑甲脒基卤化物配位络合中间态膜。由此，该甲脒基盐涂布墨水可以有效地控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度和质量。
甲脒基盐涂布墨水及其制备方法应用

[发明专利]一种有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米线的制备方法及其应用-CN201810432152.7有效
发明人：王奉友;杨梅芳;孙云飞;范琳;杨丽丽 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机‑无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米线的制备方法及其应用，该方法首先通过牺牲导电薄膜法在导电玻璃上均匀腐蚀出微米级粗糙形貌。利用粗糙形貌凸起部分为支撑，在玻璃基底上涂覆铅卤化物钙钛矿前驱体溶液，通过控制钙钛矿前驱体溶液在粗糙玻璃表面的液体张力与重力之间的补偿作用，使钙钛矿前驱体在结晶过程中自拉伸形成铅卤化物钙钛矿纳米线。
一种有机无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米制备方法及其应用

[发明专利]一种有机小分子卤化物改性的钙钛矿光电功能材料、其制备及应用-CN201910815047.6有效
发明人：韩宏伟;吴佳汶;胡玥;荣耀光;梅安意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于光电功能材料技术领域，更具体地，涉及一种有机小分子卤化物改性的钙钛矿光电功能材料、其制备和应用。base:Sub>(X1)d(X2)e(X3)3‑d‑e，其中M为有机小分子卤化物，通过采用有机卤化物小分子对钙钛矿基光电功能材料ABX3进行改性，获得钙钛矿基光电功能材料，本发明的有机小分子卤化物改性的钙钛矿基光电功能材料能显著的提高钙钛矿的结晶度和填充因子，可获得电学性能优良的钙钛矿光电功能材料，且制备工艺方法简单、成本低廉。
一种有机分子卤化物改性钙钛矿光电功能材料制备应用

[发明专利]无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜、其制备方法及其应用-CN201911070609.5有效
发明人：曹昆;许新;陈淑芬;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤一：将锡基源化合物，有机无机源卤化物和多苯环芳香胺类化合物事先溶于混合极性溶剂中，同时加入氟化锡作为抗氧化剂，配制前驱体溶液，步骤二：将钙钛矿前驱体溶液旋涂到制备好的基板上，并且在旋涂结束后进行退火处理，即可得到锡基卤化物钙钛矿薄膜，本发明的非铅钙钛矿薄膜具有成膜性好，结晶性高，稳定性好的特点，基于本发明可制得环境友好且稳定性和光电转换效率较高的无铅钙钛矿太阳能电池
无铅锡基卤化物钙钛矿薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种半透明有机金属卤化物钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201710026626.3有效
发明人：张帅;陆永婷;袁宁一;丁建宁;房香 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-01-14 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种半透明有机金属卤化物钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法。该方法可改善厚度在150nm以下的有机金属卤化物钙钛矿层的性能，从而提高半透明钙钛矿太阳能电池的效率。通过向有机金属卤化物钙钛矿前驱体溶液添加偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物(Poly(vinylidene fluoride‑co‑hexafluoropropylene))，促进钙钛矿前驱体与溶剂分子形成中间体，并在旋涂和退火过程中减缓中间体向钙钛矿的转变，使钙钛矿层的针孔减少、晶粒尺寸增大、晶界减少、表面更平整及荧光寿命提高，从而实现了光活性层在150nm以下的半透明钙钛矿太阳能电池效率的提升。
一种半透明有机金属卤化物钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]有机无机杂化钙钛矿薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN201510821634.8有效
发明人：杨松旺;解俊杰;高潜潜;雷磊;曹启鹏;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及有机无机杂化钙钛矿薄膜以及钙钛矿太阳能电池的制备方法，所述钙钛矿薄膜的化学式为ABX₃，其中A为有机胺的阳离子，B=Pb²⁺,Sn²⁺²⁺中的至少一种，X为Cl^‒，Br^‒，I^‒中的至少一种，所述制备方法包括如下步骤：（1）在基底上旋涂B的卤化物溶液，获得B的卤化物薄膜；（2）在密闭腔体中放置A的卤化物粉体，并将步骤（1）获得的B的卤化物薄膜以面对所述A的卤化物粉体的方式置于所述A的卤化物粉体的上方一定高度处，使腔体内压力＜5千帕，并于80～150℃保温10分钟～24小时，即可得到所述钙钛矿薄膜。本发明制备的钙钛矿薄膜表面较为平整、晶粒较大、晶界较少，因此具有优异的光电转换性能。
有机无机杂化钙钛矿薄膜以及钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法-CN201610806771.9有效
发明人：杨盼;杨丽军;赵晓冲;王劲川;杨蕊竹 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开一种无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法，包括：(1)将SnX₂溶于有机溶剂中,磁力搅拌至完全溶解；(2)加入CsX混合，于避光条件下搅拌，获得CsSnX₃/Cs₂SnX₆无机非铅卤化物钙钛矿前驱体溶液；(3)对衬底材料进行超声清洗，用氮气吹干；(4)将衬底材料置于紫外臭氧清洗仪中照射处理；(5)将CsSnX₃/Cs₂SnX₆无机非铅卤化物钙钛矿前驱体溶液平铺在衬底材料表面，然后旋涂；(6)将旋涂后的材料加热保温一定时间后，冷却至室温，即得CsSnX₃/Cs₂SnX₆无机非铅卤化物钙钛矿薄膜。本发明制备的CsSnX₃/Cs₂SnX₆无机非铅卤化物钙钛矿薄膜稳定性好、成本低廉、设备要求低，并且绿色无污染，因而非常适合用于大规模产业化生产
一种环保无机卤化物钙钛矿薄膜化学合成方法

[发明专利]钙钛矿金属卤化物零维量子点复合材料及其制备方法、及有机胺盐的应用-CN202111523387.5在审
发明人：袁明鉴;姜源植;孙长久 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿金属卤化物零维量子点复合材料的制备方法，包括：混合第一前驱体、第二前驱体、及第三前驱体，得到钙钛矿量子点前驱体，第一前驱体为卤化甲胺、卤化甲脒、卤化铯、三氟乙酸铯、硬脂酸铯、及醋酸铯中的至少一种，第二前驱体为卤化铅、卤化亚锡、硬脂酸铅、及醋酸铅中的至少一种，第三前驱体为有机胺盐，其阳离子包含脂肪环骨架结构、芳环骨架结构、或噻吩环骨架结构，和结合于所述骨架结构上的至少一胺基结合头和至少一位阻基团；对所述钙钛矿量子点前驱体进行真空镀膜处理和退火处理。本发明还提供一种钙钛矿金属卤化物零维量子点复合材料，和有机胺盐于制备所述钙钛矿金属卤化物零维量子点/聚合物复合材料的应用。
钙钛矿金属卤化物量子复合材料及其制备方法有机应用

[发明专利]一种诱导卤化物钙钛矿单晶成为杂质中间带半导体的方法-CN201911364797.2在审
发明人：武莉莉;韩利鹏;刘才 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种杂质中间带卤化物钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用。该制备方法可以在卤化物钙钛矿单晶材料的禁带中引入一个新的杂质能带，通过能带结构的调控，在不改变其带隙大小的情况下大幅拓宽其光响应范围。本方法制备的杂质中间带卤化物钙钛矿单晶材料具有光谱响应范围可调，制备简单，成本低廉等优点，在光电探测器、发光二极管、光催化等领域有巨大的应用前景。
一种诱导卤化物钙钛矿单晶成为杂质中间半导体方法