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[发明专利]一种准单晶电池片生产工艺-CN202010767287.6在审
发明人：李雪方;贾宇龙;郭卫;崔龙辉 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及准单晶电池片生产领域。一种准单晶电池片生产工艺，多晶硅电池片生产过程中采用单晶方式制绒、多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷进行，其中，所述的单晶方式是指采用单晶设备生产，所述的多晶方式是指采用多晶设备生产本发明在多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷利用现有的多晶工艺生产设备，协调调整生产工艺，再结合采用单晶方式制绒，使得结果得到准单晶的转换效率能到20.06%
一种准单晶电池生产工艺

[发明专利]直拉单晶硅的生产方法及生产系统-CN202311132727.0在审
发明人：高贻刚;牛文富;汪沛渊;汪高峰;李一得;何曙光;王鹏 -专利权人：鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了直拉单晶硅的生产方法及生产系统，生产方法包括：步骤S1：单晶硅棒的制备，单晶硅棒的制备过程通过筛分式加料装置自动添加制备单晶硅的原材料；步骤S2：单晶硅棒通过第一输送装置输送通过第一箱体，单晶硅棒通过第一箱体内的冷却装置进行冷却；步骤S3：单晶硅棒通过第一输送装置后进入第二箱体，单晶硅棒通过第二箱体内的单晶硅棒打磨机构进行打磨；本发明通过对原材料进行杂质过滤及对原材料进行混合，保证了加入单晶炉中原材料的质量，保证了生产的单晶硅的质量
单晶硅生产方法系统

[发明专利]一种单晶金刚石生产设备的控温装置-CN202210666071.X在审
发明人：满卫东;龚闯;蒋梅荣;杨春梅;范冰庆 -专利权人：上海征世科技股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶金刚石生产设备的控温装置，包包括装置外壳，所述装置外壳的顶部一侧固定安装有冷水机。本发明中通过利用冷却盘管对进入进单晶金刚石生产设备的空气进行冷却，再由风扇将冷却后的空气经过滤网送往单晶金刚石生产设备内部，完成对单晶金刚石生产设备的风冷降温，本发明中的凹字形结构的冷却管进行水冷降温，降温效果好，根据单晶金刚石生产设备的温度来控制电磁阀关闭，只保留一个风冷散热，可以对单晶金刚石生产设备进行控温，满足不同单晶金刚石生产设备的不同温度需求，出风口内固定安装有干燥剂，吸收冷气中的水分，防止水气使单晶金刚石生产设备内的元件短路，保护单晶金刚石生产设备。
一种金刚石生产设备装置

[发明专利]一种生产单晶硅的方法-CN201210020267.8有效
发明人：王军;郭大伟;王楠 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅技术领域，尤其涉及一种生产单晶硅的方法，包括在坩埚底部放置方单晶；在所述方单晶上放置硅料及合金；将所述坩埚放置在单晶硅炉内，经过加热、熔化、长晶、退火和冷却的过程，获得单晶硅锭；其中，所述熔化过程中当所述方单晶熔化到规定深度后，开始所述长晶过程；切割所述单晶硅锭，获得单晶硅片。使用本发明实施例提供的单晶硅生产的方法，通过将放置在坩埚中锋的方单晶熔化到规定深度后，再开始长晶过程，使得长晶时以熔化到规定深度的方单晶为晶核。而且，在长晶过程中控制长晶速度，由此提高单晶硅片的生产效率。
一种生产单晶硅方法

[实用新型]一种气体回用装置及单晶硅生产设备-CN201920298047.9有效
发明人：贾祯;金雪;冉瑞应;杨东 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气体回用装置及单晶硅生产设备，该气体回用装置包括：气体净化模块、检测模块以及控制模块；其中，气体净化模块分别与单晶硅生产设备的出气口及进气口连接，检测模块分别与气体净化模块的出气口和单晶硅生产设备的进气口连接，控制模块分别与所述气体净化模块、所述纯净气体储存罐、所述检测模块电性连接，所述控制模块用于控制所述气体净化模块向所述单晶硅生产设备供气，或者，控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。本实用新型实施例中，可以避免将不符合使用要求的气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。
一种气体装置单晶硅生产设备

[发明专利]一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片-CN202210245418.3有效
发明人：徐志群;孙彬;付明全;杨振忠;马伟萍 -专利权人：广东高景太阳能科技有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对单晶硅进行切割，切割装置包括：金刚石切割线，金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制晶托上移，再将单晶硅从晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将单晶硅片逐片插入花篮中，对每个单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。
一种单晶硅生产方法

[发明专利]单晶硅基板的制造方法-CN202210975661.0在审
发明人：伊贺勇人;田畑晋;平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明提供单晶硅基板的制造方法，生产率高。在单晶硅锭的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从单晶硅锭分离单晶硅基板。由此，与使用线切割机从单晶硅锭制造单晶硅基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。
单晶硅制造方法

[实用新型]一种单晶炉及其副室延伸段-CN201220608693.9有效
发明人：白剑铭;孙二凯 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉的副室延伸段，其中，所述副室延伸段的底端与单晶炉的副室连接，所述副室延伸段的顶端与所述单晶炉的晶体提升机构连接，且所述副室延伸段设置有与所述副室的内部空间连通并能够容纳所述单晶炉生产的单晶硅棒的头部的贯穿内腔本实用新型提供的单晶炉的副室延伸段，因为其能够使的单晶炉生产出长度更长的单晶硅棒，这样就可以使单次生产的装料量更大，显著提升单晶炉的产量，进而降低生产成本。本实用新型还提供了一种具有上述副室延伸段的单晶炉。
一种单晶炉及其延伸

[发明专利]低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统-CN202110800323.9有效
发明人：周文辉;王忠保;闫龙 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法通过调整低电阻率重掺砷硅单晶晶棒生产过程中，等径尾部及收尾端部的单晶生长速率、补偿温度、氩气流量，改善低电阻率重掺砷硅单晶的生产工艺，采用调整后的低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法得到的重掺砷单晶硅晶棒，不仅电阻率能够满足要求，且晶棒尾部的晶变概率大幅度降低，实践表明，晶棒尾部的晶变概率由改善前的45%降低至5%以下，提高晶棒合格率，减少原料浪费，降低生产成本。
电阻率重掺砷硅单晶生产方法系统

[发明专利]一种基于深度强化学习的单晶炉智能控制方法及装置-CN202210790129.1在审
发明人：闫镔;杨杰;乔凯;陈健;石舒豪;杨帅;蔡爱龙;宋宝杰;马德魁 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明公开一种基于深度强化学习的单晶炉智能控制方法及装置，该方法包括：步骤1，构建深度强化学习网络；步骤2，将单晶炉各种状态信息和状态下动作的量化奖励输入构建的深度强化学习网络中，训练深度强化学习模型；步骤3，向训练好的深度强化学习模型中输入实时采集的单晶炉内部生产状态图像，获得最优设备控制动作；步骤4，根据最优设备控制动作智能控制单晶炉生产。本发明通过使用强化学习的方法，将单晶硅的一个生产流程看做一次强化学习决策，将单晶硅的生产质量作为决策奖励，把单晶炉内的视觉图像作为状态，训练出不同状态下的最优单晶炉控制动作，可以大大降低单晶硅生产的人力成本
一种基于深度强化学习单晶炉智能控制方法装置

[发明专利]信息处理方法、系统、存储设备及电子设备-CN202111501315.0在审
发明人：李朋朋;闫颖;李靖 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种信息处理方法、系统、存储设备及电子设备，涉及硅片生产领域，应用于信息处理系统，信息处理系统包括：制造执行模块、采集模块和呈现模块，该方法包括：通过制造执行模块确定生产任务，并将生产任务的任务标识发送至单晶炉，以控制单晶炉执行生产任务。通过采集模块从单晶炉采集生产任务的任务标识、单晶炉的生产信息和单晶炉的设备运行信息，并从制造执行模块采集生产任务的任务信息和单晶炉的设备属性信息。生产信息为单晶炉执行生产任务的过程中产生的信息。
信息处理方法系统存储设备电子设备

[发明专利]可连续生产的区熔炉装置及其工艺控制方法-CN201310399991.0有效
发明人：傅林坚;曹建伟;欧阳鹏根;王丹涛;陈明杰;石刚;汤承伟;邱敏秀;蒋庆良 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长炉领域，旨在提供可连续生产的区熔炉装置及其工艺控制方法。该可连续生产的区熔炉装置包括炉体、炉室法兰、直线单元、连接块、旋转单元和切割片；该可连续生产的区熔炉装置的工艺控制方法包括籽晶与熔融硅液熔接拉制出硅单晶。本发明在硅单晶生长过程中，需重新开始下一次单晶生长时，本发明可对硅单晶进行切除，迅速重新进行下一次单晶生长，可实现连续生产，节省大量氩气、电能、工时，降低生产成本，并提高单晶生产效率。
连续生产熔炉装置及其工艺控制方法

[发明专利]一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉-CN201510970073.8在审
发明人：司佳勇;周浩;尚繁;刘亚静 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其是涉及熔融液提拉法的大尺寸单晶生长技术领域，具体公开了一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉，通过优化单晶炉生产工艺及氩气吹扫方式，能够控制单晶硅生长界面保持良好的温度梯度，提高热场稳定性，提高单晶生长速率同时保证稳定的单晶质量，提高了产能，降低了能耗和生产成本。
一种法制尺寸单晶硅方法单晶炉

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[发明专利]直拉单晶用热屏装置及单晶硅生产设备-CN201910176730.X在审
发明人：杨敏;白喜军;李强;张亮桢 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种直拉单晶用热屏装置及单晶硅生产设备，所述直拉单晶用热屏装置包括：内屏，用于围绕单晶设置；外屏，同轴设置于所述内屏远离所述单晶的一侧；以及导流通道，嵌设于所述内屏与所述外屏之间，所述导流通道用于引入工作气体本发明实施例可以提高单晶的生长速度，以及，提高单晶硅的产量和生产效率。
直拉单晶用热屏装置单晶硅生产设备

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