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- [发明专利]一种单分散纳米环及其制备方法-CN201710190518.X在审
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郭振刚
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天津城建大学
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2017-03-28
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2017-07-25
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C23C14/35
- 本发明公开了一种单分散纳米环的制备方法。该方法通过在基片上制备单分散的聚苯乙烯微球，利用磁控溅射沉积薄膜的方法在基片上沉积一层薄膜，然后利用离子刻蚀技术对薄膜进行刻蚀，来制备单分散的纳米环结构样品。制备的单分散纳米环具有良好的均一性，并通过采用不同尺寸的聚苯乙烯微球可以制备不同尺寸的纳米环。该纳米环外形为圆形，纳米环的外径为20nm‑10μm，纳米环的内径小于纳米环的外径，纳米环的宽度是5nm‑1μm，纳米环的厚度是1nm‑500nm。该纳米环具有单分散性，结构一致以及尺寸可控等特点，制备方法简单，产额较高，在催化剂、电极材料、传感器和医学成像方面有广泛的应用。
- 一种分散纳米及其制备方法
- [发明专利]一种宣布式单光子源产生装置及方法-CN202211084104.6有效
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徐竞;陈诺;王子杰
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华中科技大学
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2022-09-06
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2023-05-09
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G02F1/35
- 本发明提供了一种宣布式单光子源产生装置及方法，包括；第一微环谐振腔与波导处于临界耦合状态；第一微环谐振腔的半径为第二微环谐振腔半径的一半；第一微环谐振腔用于控制谐振峰分布以及等效的耦合系数；第二微环谐振腔用于泵浦光的谐振，在自发四波混频作用下，信号光和闲频光波长处自发生成光子对；生成的信号光子和闲频光子在第一微环谐振腔的谐振峰对应的波长处产生。生成的信号光子和闲频光子在对应的过耦合谐振峰处产生，从而能够以更高的概率耦合进入波导，从而提升信号光子和闲频光子同时离开微环进入波导的概率，以此提高量子光源的宣布效率。本发明通过调控基于微环谐振腔的量子光源的谐振峰，达到提升宣布式单光子源宣布效率的效果。
- 一种宣布光子产生装置方法
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