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[发明专利]单分子仿形钝化钙钛矿薄膜、太阳电池及制备方法-CN202111357426.9在审
发明人：杨冠军;刘研;张高;刘梅军;李长久 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开一种单分子仿形钝化钙钛矿薄膜、太阳电池及制备方法，在基体上涂覆钙钛矿液膜，干燥，获得钙钛矿薄膜；在钙钛矿薄膜上涂覆本征均匀的单分子钝化层材料，形成单分子钝化层液膜，静置使单分子钝化层材料吸附在钙钛矿表面，干燥，获得单分子仿形钝化钙钛矿薄膜。本发明采用单分子仿形钝化层，不仅可以钝化钙钛矿薄膜的表面缺陷，提高电池稳定性。同时，其仿形单分子层结构不会在钙钛矿薄膜表面实现堆积，不会影响电池载流子的传输。
分子钝化钙钛矿薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种利用阳离子腐蚀法制备多孔单分子薄膜材料的方法-CN201210057469.X无效
发明人：刘波;王硕;李银丽;赵慧玲;梁浩 -专利权人：河南大学
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B41/47 文献下载
摘要：本发明提供一种多孔单分子薄膜材料的制备方法，属于薄膜材料制备领域。其中，该多孔单分子薄膜的制备方法包括：利用Langmuir-Blodgett(LB)技术在基底上制备硬脂酸单分子膜，调整制备LB膜时的表面压以控制薄膜的致密性。将硬脂酸单分子膜浸入到盐溶液中腐蚀获得多孔结构。通过调整浸泡时间，盐溶液浓度，溶液阳离子的价态以及拉膜时的表面压来控制孔的大小和覆盖面积。本发明实施例的多孔单分子薄膜的制备方法，能够制备超薄多孔薄膜，并且保证薄膜的平整性，不引入其它杂质。本发明的技术方案适用于多孔材料的制备中。
一种利用阳离子腐蚀法制多孔分子薄膜材料方法

[发明专利]磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法-CN201910479336.3有效
发明人：崔岩;罗军;杨美音;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法。所述磁性单粒子探测装置包括金属霍尔条以及设置在所述金属霍尔条表面的分子磁体薄膜，所述分子磁体具有二维磁结构且分子间交换作用为反铁磁耦合，所述分子磁体的易磁化轴垂直于所述二维磁结构表面。所述磁性单粒子探测方法包括：提供第一磁共振场，将所述分子磁体薄膜磁化至饱和状态；在所述分子磁体薄膜被磁化至饱和状态后，提供第二磁共振场，所述第二磁共振场为将所述分子磁体薄膜磁化至(N‑1，1)配位态的磁共振场；检测提供所述第二磁共振场之后所述金属霍尔条的输出电压，根据所述输出电压判断是否存在磁性单粒子。本发明能够降低磁性单粒子探测成本。
磁性粒子探测装置及其制造方法

[发明专利]石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法-CN201410137235.5无效
发明人：袁群惠;王亚敏;李守柱 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2014-04-05 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，将其溶解在有机溶剂甲苯中，配制成溶液，然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上，温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜；而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理，可控制得到具有单一晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜该方法得到的单分子薄膜结构中的晶型种数可调，成膜均匀，缺陷少，操作简单，温度条件温和，石墨易清洁可多次利用。通过本发明所述方法获得的石墨基底上生长的不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜可用于光电分子传感器等领域。
石墨基底生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜方法

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN202110068556.4在审
发明人：王虎 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及其制作方法，其包括：金属层；单分子自组装薄膜，覆盖于所述金属层表面，且所述单分子自组装薄膜具有疏水性；以及有机绝缘层，设置于所述单分子自组装薄膜上；相较于现有技术，本发明提高了有机绝缘层的黏附力
显示面板及其制作方法

[发明专利]一种聚合物薄膜中单分子链扩散运动轨迹的测定方法-CN201110038632.3有效
发明人：陈锐;赵江 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚合物薄膜中单分子链扩散运动轨迹的测定方法。该方法包括如下步骤：1)将荧光探针分子连接到待测聚合物的长链末端得到荧光标记聚合物；2)将所述荧光标记聚合物掺杂于未标记的所述待测聚合物中并制备成聚合物薄膜样品；3)将连续激光照射于所述样品上，得到所述荧光标记聚合物发射的荧光；4)将所述荧光进行聚焦成像得到所述荧光标记聚合物的连续单分子图像；将所述荧光标记聚合物随不同时间的连续单分子图像连接起来即得所述聚合物薄膜中单分子链扩散运动轨迹。本发明的探测方法，运用单分子荧光成像技术，具有单分子级别的灵敏度。
一种聚合物薄膜分子扩散运动轨迹测定方法

[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的制备方法-CN201210075757.8有效
发明人：李杰;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将单壁碳纳米管薄膜结构设置于基体，单壁碳纳米管薄膜结构包括金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于单壁碳纳米管薄膜结构上，形成复合结构，高分子材料层包覆每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；利用电子束轰击的方法除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
半导体性单壁碳纳米制备方法

[发明专利]超薄类金刚石碳薄膜的制备方法-CN200810142998.3无效
发明人：张俊彦;王琦;张军英 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过自组装有机单分子膜作为调制层制备超薄类金刚石碳薄膜的制备方法。本发明通过采用有机自组装单分子膜作为过渡层，制备超薄类金刚石薄膜。该方法成本低廉易操作，制备的薄膜具有优良的摩擦磨损特性。
超薄金刚石薄膜制备方法

[发明专利]单粒子束刻蚀薄膜的单纳米孔制作方法-CN200610147232.5无效
发明人：王志民 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：一种单粒子束刻蚀薄膜的单纳米孔制作方法，属于纳米技术领域。本发明将固体绝缘薄膜置于带有粒子检测装置的一个可水平旋转的载体上，用单粒子束刻蚀该薄膜，单粒子束入射角大于等于9.6°、小于等于90°，并且单粒子束在该薄膜底部、顶部、或二者之间与薄膜旋转轴交叉，待单粒子束完全穿透该薄膜后，固体绝缘薄膜底部的粒子监测器反馈使该薄膜被穿透处与单粒子束相对移动1，再刻蚀，如此反复，直至固体绝缘薄膜旋转一周，获得圆台形、双倒圆台形或圆筒形的单纳米孔。本发明方法制备的单纳米孔，孔径在1个nm级可控，孔深在从级到μm级可控，适于分辨单链DNA或RNA分子的碱基组分和检测双链DNA分子的大小，为核酸测序提供了关键器件。
粒子束刻蚀薄膜纳米制作方法

[发明专利]一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器及制备方法-CN201310302782.X有效
发明人：江潮;王嘉玮;米斯巴·莫扎;李德兴 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器及制备方法。所述气体传感器组成结构由下至上包括衬底、栅电极、介电层、活性层及源漏电极，所述活性层为有机单分子薄膜层。所述制备方法采用真空蒸镀的方法在介电层上蒸镀有机单分子薄膜层；蒸镀时，首先将蒸发源加热至目标温度（如123℃），待沉积速率稳定后开启束流挡板开始蒸镀；控制蒸镀时间以得到有机单分子薄膜层作为活性层。根据本发明的技术方案，通过将并五苯单分子层作为活性层的气体传感器，使得活性层中所有的并五苯分子都能够与外界接触。传感器工作时，并五苯分子将不受阻挡地与被探测气体直接相互作用，并能灵敏地将这种相互作用反映在其薄膜晶体管输出曲线的变化中。
一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器制备方法

[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的制备方法-CN201210075759.7有效
发明人：李杰;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将该单壁碳纳米管薄膜结构设置于所述基体的第一表面，所述单壁碳纳米管薄膜结构包括多个金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于所述单壁碳纳米管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁碳纳米管中的每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；将所述复合结构放置于一电磁波环境中，除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去所述金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
半导体性单壁碳纳米制备方法

[发明专利]一种基于纳米孔器件利用介电泳力对单分子进行减速和/或捕获的方法-CN202210724741.9在审
发明人：赵清;魏广昊;胡蕊 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C12Q1/6806 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米孔器件利用介电泳力对单分子进行减速和/或捕获的方法。如下步骤：制作固态纳米孔薄膜；将固态纳米孔薄膜作为分隔电解池的正极和负极的隔膜，得到纳米孔测序装置；采用纳米孔测序装置进行检测；将待测的单分子加入至电解池的负极接地腔室中；测试时，在隔膜的两端施加直流电压，通过导电层引入交流电压，分别对单分子提供电场力和介电泳力，分别作为单分子穿过固态纳米孔薄膜中纳米孔的驱动外场和停留在纳米孔内的捕捉力；通过控制介电泳力大于或近似等于电场力以实现对单分子的减速或捕获。本发明利用介电泳，拓展了纳米孔待测物的测量范围，并可实现对单分子的实时可控捕捉、减速穿孔，极大提升探测时间分辨率。
一种基于纳米器件利用电泳分子进行减速捕获方法

[发明专利]一种新型结构的有机电致发光器件及其制备方法-CN200710061234.7无效
发明人：杨利营;印寿根;陈向舟;许昊;叶丹琴;华玉林 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种采用自组装单分子膜修饰的金属薄膜作为空穴注入缓冲层的有机电致发光器件及其制备方法，属于有机电致发光技术领域。该器件依次包括导电玻璃ITO阳极层、作为器件的空穴注入缓冲层的自组装单分子膜修饰的金属薄膜层、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极层。本发明利用有机分子自组装技术形成自偶极的自组装单分子薄膜沉积在阳极表面的金属薄膜上作为器件的空穴注入缓冲层。
一种新型结构有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种环保抗菌塑料薄膜及其制备方法-CN202010924945.8在审
发明人：杨春云;卢丽容 -专利权人：广州扬新科技有限公司
申请日： 2020-09-05 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C08L51/10 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种环保抗菌塑料薄膜及其制备方法。本发明研制的产品中包括基体树脂，基体树脂为聚烯烃树脂；基体树脂中包含单分子二氧化钛，单分子二氧化钛通过化学键与基体树脂分子链主链结合；另外，单分子二氧化钛通过乙烯基三甲氧基硅烷与所述基体树脂分子链主链结合；还包括所述基体树脂质量1‑3％的聚丙烯酰胺；所述聚丙烯酰胺为低分子量聚丙烯酰胺(分子量＜100万)；所述聚丙烯酰胺为阴离子聚丙烯酰胺；本发明产品为多孔塑料薄膜；所述多孔塑料薄膜孔径分布范围为0.5‑100μm；所述多孔塑料薄膜孔隙率为10‑40％。
一种环保抗菌塑料薄膜及其制备方法

[发明专利]光学薄膜-CN98105835.3无效
发明人：高木彰;沼尾洋介;上抚忠广;平山隆之;松本卓也;曾根正人 -专利权人：日石三菱株式会社
申请日： 1998-01-14 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：提供一种具有单官性的结构单元，而且光学上显示正单轴性末端修饰液晶性高分子和液晶性高分子，对数粘度(dl/g)高于0.01以上，玻璃转变点高于5℃以上，且光学上显示正单轴性的液晶高分子所形成，液晶状态中形成的向列混合定向固定的光学薄膜，和高质量液晶显示元件用补偿薄膜。
光学薄膜

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