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[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200510093867.7无效
发明人：畑雅幸;别所靖之;野村康彦;庄野昌幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。
半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光装置和显示装置-CN200980138656.7无效
发明人：畑雅幸;久纳康光;野村康彦;中岛三郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地得到所希望的色相的半导体激光装置。该半导体激光装置(100)具备：具有一个或多个激光发光部的绿色半导体激光元件(30)、具有一个或多个激光发光部的蓝色半导体激光元件(50)、具有一个或多个激光发光部的红色半导体激光元件(10)。而且，绿色半导体激光元件、蓝色半导体激光元件和红色半导体激光元件中的至少二个半导体激光元件具有如下关系，即，合计输出相对小的半导体激光元件的激光发光部的个数比合计输出相对大的具有多个激光发光部的半导体激光元件的激光发光部的个数、或输出相对大的具有一个激光发光部的半导体激光元件的个数多。
半导体激光装置显示装置

[发明专利]半导体激光装置-CN201010264997.3无效
发明人：谷川巧;清水源;三桥大树 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化，并且抑制发光部间隔变大，提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板，第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。
半导体激光装置

[发明专利]半导体激光装置和显示装置-CN200980147565.X无效
发明人：畑雅幸;久纳康光;野村康彦;中岛三郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供一种在再现白色光时，即使在振荡波长不同的多个激光元件间要求较大的输出差的情况下，也能够柔软应对的半导体激光装置。该半导体激光装置(100)具备：具有一个或多个激光发光部的红色半导体激光元件(10)；具有一个或多个激光发光部的绿色半导体激光元件(30)；和具有一个或多个激光发光部的蓝色半导体激光元件(50)。而且，红色半导体激光元件、绿色半导体激光元件和蓝色半导体激光元件中至少两个半导体激光元件具有如下关系：射出相对长的波长的光的半导体激光元件的激光发光部的个数比射出相对短的波长的光的半导体激光元件的激光发光部的个数多
半导体激光装置显示装置

[实用新型]发光装置-CN202223440175.3有效
发明人：今井武史;汤浅功治 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：具备多个半导体激光元件，包含分别具有第一波长的发光峰值波长的两个以上的第一半导体激光元件；分别具有比第一波长短的第二波长的发光峰值波长的两个以上的第二半导体激光元件；分别具有比第二波长短的第三波长的发光峰值波长的两个以上的第三半导体激光元件，排列为M行N列(M和N分别是M≥2，N≥3的自然数)的矩阵状，在M行N列的整体或者部分多个半导体激光元件在行方向在第一半导体激光元件旁边配置第一半导体激光元件以外的半导体激光元件，在第二半导体激光元件旁边配置第二半导体激光元件以外的半导体激光元件，在第三半导体激光元件旁边配置第三半导体激光元件以外的半导体激光元件。
发光装置

[其他]半导体激光器模块-CN201390000514.6有效
发明人：黑部立郎;木本龙也;长谷川英明 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体激光器模块，具备:半导体激光器元件，其具有半导体激光器；第1支承部件，其载置所述半导体激光器元件；第1温度调节元件，其对所述第1支承部件进行温度调整；半导体光元件，其具有对从所述半导体激光器元件输出的激光光进行放大的半导体光放大器；和第2支承部件，其载置所述半导体光元件。半导体激光器模块优选具备:光隔离器，其被配置在所述半导体激光器元件与所述半导体光元件之间。
半导体激光器模块

[发明专利]半导体激光装置和光装置-CN200810179134.9无效
发明人：井上大二朗;别所靖之;畑雅幸;野村康彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
半导体激光装置

[发明专利]半导体激光装置和光装置-CN200510053944.6无效
发明人：井上大二朗;别所靖之;畑雅幸;野村康彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
半导体激光装置

[发明专利]半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法-CN201880085252.5有效
发明人：片桐健;葛西洋平 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：提供一种能够实现小型化的半导体激光模块。半导体激光模块(1)具备光纤(44)和半导体激光元件(30A～30E)。半导体激光元件(30A～30E)分别包括半导体芯片(31)、电极焊盘(32、33)、以及支架(34)。半导体激光模块(1)还具备：供支架(34)安装的安装面(21A～21E)形成为台阶状的安装部(20)；和使激光与光纤(44)的入射端面44A)耦合的光学系统。半导体激光元件(30A～30E)包括在Z方向上邻接的上侧半导体激光元件(30C)和下侧半导体激光元件(30B)。而且，上侧半导体激光元件(30C)的一部分从安装面(21C)向下侧半导体激光元件(30B)侧伸出。
半导体激光模块制造方法

[发明专利]半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置-CN201010103971.0无效
发明人：别所靖之;大保广树;竹内邦生;德永诚一;久纳康光;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。该半导体激光元件的制造方法包括：形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面一侧的工序；和在此之后，至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序
半导体激光元件制造方法光学装置

[发明专利]半导体激光模块-CN201780078795.X有效
发明人：有贺麻衣子;稻叶悠介;山冈一树 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01S5/0683 文献下载
摘要：半导体激光模块具备：半导体激光元件、入射从所述半导体激光元件出射的激光并对入射的激光进行放大的半导体光放大器、和为了监视从所述半导体激光元件出射的激光的波长而测定该激光的一部分的强度的第1受光元件，所述半导体光放大器被配置于比所述第1受光元件的受光面更靠后方的位置。由此，减少到达用于对从半导体激光元件出射的激光进行监视的受光元件的杂散光。
半导体激光模块

[发明专利]半导体激光装置-CN200510093864.3无效
发明人：井上大二朗;畑雅幸;别所靖之 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：在支撑部件上，经多个融着层，顺序层积副基板、蓝紫色半导体激光元件、绝缘层和红色半导体激光元件。在蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极上，层积绝缘层，在绝缘层上形成导电层。在导电层上经融着层而层积红色半导体激光元件。导电层与红色半导体激光元件的p侧衬垫电极电气连接。蓝紫色半导体激光元件的n侧衬垫电极和红色半导体激光元件的n侧衬垫电极电气连接。
半导体激光装置

[发明专利]半导体激光器装置和它的制造方法-CN200510053771.8无效
发明人：别所靖之;畑雅幸;井上大二朗;山口勤 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：在蓝紫色半导体激光元件中，在上面形成p电极，在下面形成n电极。在蓝紫色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。在红色半导体激光元件中，在上面形成n电极，在下面形成p电极。在红色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。以与蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点不重叠的方式，红色半导体激光元件的p电极通过焊料膜H接合在p电极上。
半导体激光器装置制造方法

[发明专利]光半导体器件及其制造方法-CN200610093238.9无效
发明人：中西直树;滨口真一;山本博昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：提供光半导体器件及其制造方法。该光半导体器件具有：半导体激光元件(8)；形成有全息元件(4)的光学模块(3)，其中全息元件(4)衍射从半导体激光元件(8)射出并通过棱镜(7)反射的激光；受光元件(9)，其接收全息元件(4)衍射的激光并输出电信号；以及封装(2)，其容纳半导体激光元件(8)和受光元件(9)。封装(2)在内部具有各自独立的多个空间(12、13)，半导体激光元件(8)和受光元件(9)容纳在互不相同的空间中。通过这种结构，可以实现小型、薄型化，且能实现具有高可靠性半导体激光元件元件的光半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有接受监视器用激光的受光元件的半导体激光装置-CN02126891.6有效
发明人：河本聡 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-07-19 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种半导体激光装置，其具有半导体激光元件、受光元件、引线框架和外壳。上述半导体激光元件是射出激光的芯片状元件。上述受光元件是接受从上述半导体激光元件中射出的监视器用激光并将其变换成电信号的芯片状元件。在上述引线框架上安装上述半导体激光元件和上述受光元件。上述外壳，其结构是对上述半导体激光元件和上述受光元件进行包围，在其内面的至少一部分上具有光反射面。
具有接受监视器用激光元件半导体装置

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