专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于缩口竖井的拼装系统-CN201922226791.0有效
  • 程允;张雷刚;康增柱;李建平;罗晓青;刘光磊 - 北京中岩智泊科技有限公司
  • 2019-12-12 - 2020-08-14 - E21D11/40
  • 一种用于缩口竖井的拼装系统,该系统位于始发区域,包含施工竖井和进区域;施工竖井包含上部缩小区及下部扩大区;施工竖井下部扩大区内设置千斤及反力墙铁及拼装设备,以及管片拼装的每一节由多个管片拼装而成,管片通过施工竖井的上部缩小区后,调整姿态,在下部扩大区内完成拼装;千斤及反力墙包含用于进的反力墙及进千斤铁及拼装设备包含铁及位于其内部的管片拼装设备;管片拼装设备包含位主体台车和伸缩臂,以便于辅助管片拼装;管片拼装用于管片的姿态调整及拼装;管片拼装全部完成并形成完整节后,通过进千斤及反力墙将进隧道内部,完成拼装与进的全过程。
  • 一种用于竖井拼装系统
  • [实用新型]一种预制拼装式的拼装系统-CN201922214732.1有效
  • 程允;张雷刚;康增柱;罗晓青;刘光磊 - 北京中岩智泊科技有限公司
  • 2019-12-11 - 2020-08-14 - E21D11/08
  • 一种预制拼装式的拼装系统,该系统位于始发区域,包含施工竖井以及与之相连的进区域;其中施工竖井包含千斤及反力墙和管片拼装的每一节由多个管片拼装而成,在施工竖井内通过地面吊装系统吊装就位并完成拼装;千斤及反力墙包含用于进的反力墙及进千斤包含铁及位于铁内部的辅助拼装车;每辆辅助拼装车上均设置有若干辅助固定器和辅助拼装车顶部千斤,用于辅助管片的拼装;管片拼装全部完成后,通过对管片的拼装、连接并设置相应防水措施,使其形成整体的完整节,并在进千斤及反力墙的配合下,完成拼装与进的全部过程。
  • 一种预制拼装式顶管系统
  • [发明专利]路边管状地下车库的建造方法-CN201510084351.X在审
  • 严平 - 杭州南联地基基础工程有限公司;严平
  • 2015-02-13 - 2016-10-05 - E02D29/045
  • 本发明公开了一种路边管状地下车库的建造方法,管状地下车库包括车辆出入口及由形成的管状泊车,主要施工步骤如下:将第一节预制件从出发出入口吊装进入,使其在导向底座上到位;开动千斤横向使预制件进入出发的护筒内;人和机械在预制件内开始横向挖掘,将挖出土体用推车从出发出入口吊出至地面运走,如此边挖掘边推,将第一节预制件推进;吊入第二节预制件,推其与第一节预制件连接;如此一节节推直至接收终点本发明通过人工或小型机械挖掘,同时采用千斤顶顶升预制件建造地下车库,相对于采用大型机械施工,具有建造成本低、施工场地受限制较少的优势。
  • 路边管状地下车库建造方法
  • [发明专利]一种基于多栅结构的晶体-CN201410176187.0有效
  • 戴明志 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2014-04-28 - 2018-04-20 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种基于多栅结构的晶体,包括基底和处在基底上的介质层,所述介质层上设有一源、一漏以及连接在所述源和漏之间的沟道,所述沟道与至少两个栅连接,其中一个栅作为输出极,其余栅均作为输入极,所述的源、所有栅在介质层的下表面共面。本发明晶体设有一个或一个以上用于控制沟道的载流子的输入极,改变输入极的电压控制晶体的输出状态,进而用一个晶体实现多种逻辑输出,能够减少逻辑电路中晶体的个数,逻辑电路的制备方法简单。且使用栅和沟道共面的设计,有效缩小了晶体的体积,有利于提高逻辑电路的集成度,降低制作成本。
  • 一种基于多顶栅结构晶体管
  • [发明专利]三维可变电阻存储器件及其制造方法-CN201310392442.0无效
  • 朴南均 - 爱思开海力士有限公司
  • 2013-09-02 - 2014-10-15 - H01L45/00
  • 半导体衬底包括外围,所述外围具有表面,其中,外围电路形成在外围中。外围电路包括形成在半导体衬底的表面上的驱动晶体,其中,半导体衬底形成驱动晶体的沟道。半导体衬底包括单元,所述单元具有表面,其中,单元表面的高度比所述外围表面的高度低,由此在单元中限定出沟槽。多个存储器单元,多个存储器单元的每个包括:开关晶体,所述开关晶体形成在单元中半导体衬底上;沟道,所述沟道沿着与半导体衬底的表面大体垂直的方向延伸;以及可变电阻层,所述可变电阻层响应于开关晶体而选择性地储存数据
  • 三维可变电阻存储器件及其制造方法
  • [发明专利]集成电路结构-CN201710840950.9有效
  • 邱子寰 - 络达科技股份有限公司
  • 2017-09-18 - 2020-09-08 - H01L23/528
  • 本发明涉及一种集成电路结构,包括主动、第一部金属图样、第二部金属图样、第一金属图样堆栈、第二金属图样堆栈、第一晶体以及第二晶体。主动形成于一基板。第一部金属图样电性连接该主动。第二部金属图样电性连接该主动,并与该第一部金属图样形成于同一金属层。第一金属图样堆栈包括堆栈的K层第一金属图样。第二金属图样堆栈包括堆栈的K层第二金属图样。第一晶体形成于该基板,通过该第一金属图样堆栈电性连接该第一部金属图样,并通过该第一部金属图样电性连接该主动。第二晶体设置于该第一晶体旁,通过该第二金属图样堆栈电性连接该第二部金属图样,并通过该第二部金属层电性连接该主动
  • 集成电路结构
  • [发明专利]一种改良栅结构的晶体-CN201310085224.2有效
  • 戴明志 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2013-03-15 - 2013-06-26 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种改良栅结构的晶体,包括基底和处在基底上的介质层,所述介质层上设有一源、一漏以及连通在所述源和漏之间的沟道,所述沟道区内设有第一栅作为晶体的输出极,其输出的逻辑值在沟道导通时为逻辑1,在沟道截断时为逻辑0;所述晶体还设有至少两个作为控制沟道的输入极;其中至少有一个输入极为第二栅;还有至少有一个输入极为第三栅和/或底栅;所述第二栅和第三栅均位于所述介质层上,且处在所述沟道的旁边本发明晶体,能够减少逻辑电路中晶体的个数,使逻辑电路的制备方法简单,器件面积减少,从而提高逻辑电路的成品率,降低制作成本,并且可以方便改善调整逻辑电路器件的电学性能。
  • 一种改良结构晶体管
  • [发明专利]机场滑行不停航地下方法-CN202210332287.2在审
  • 李泳;李长胜;袁晓晖 - 中国化学工程第十四建设有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-08-09 - E02D29/045
  • 本发明公开一种机场滑行不停航地下方法,该方法包括如下步骤S1.进行土壤勘探,明确滑行地下水位、土质类型、土壤渗透系数、地质柱状图情况;S2.将的内径确定为1500mm;S3.采用3D模型进行有限元分析,确定管管节的相关参数;S4.结合土质情况、地下水位、施工要求选择掘进机;S5.确定工作坑尺寸;S6.选择工作坑施工结构形式;S7.管工作井施工,包括板桩施工,土方开挖,混凝土浇筑三个步骤;S8.施工,整段完成后注浆。本发明的方法降低了对机场周边既有设施及机场正常运营的影响,同时也减少了土方开挖及滑行修复施工的工期。
  • 机场滑行停航地下方法

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