专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种厚铜板单面压工艺-CN201510516746.2在审
  • 计向东 - 昆山大洋电路板有限公司
  • 2015-08-21 - 2015-11-18 - H05K3/46
  • 本发明提出了一种厚铜板单面压工艺,包括以下步骤:前处理:使用尼龙刷对铜板表面进行磨刷,将铜表面磨刷1-2微米的棕;单面棕:将铜板水平放置,在铜板下表面贴一张胶片,借助铜板的重量,将胶片压入硫酸或者双氧水将未贴有胶片的一面进行咬蚀,取经咬蚀的铜板放入棕药水,在铜板的咬蚀面形成一有机棕膜,再次进行水洗,烘干,烘干温度为90℃;压:将S2中自铜板的咬蚀面依次放置PP、离型膜,铜板的上下设有两块钢板,使用压机进行压,本发明通过离型膜参与铜板压,可以很好的缓冲压过程中铜板平整性造成的失压气泡。
  • 一种铜板单面工艺
  • [实用新型]包边-CN200720095452.8无效
  • 王瑾玲;崔金明 - 天津市恒瑞塑胶机械有限公司
  • 2007-03-12 - 2008-04-02 - B29C47/12
  • 一种能够将三种塑料分为五且上下两将中间三包裹起来的挤出定型的装置,三种不同的塑料分别经过三台挤出机塑化后压入器的芯棒座,经过芯棒物料被分成五,然后进入一个模块把中间三合在一起,中间三的宽度要比表面两的宽度窄,进入模芯后表面两宽出来的部分汇合在一起形成一个方管状料流,中间三流入方管状料流的芯部,完成了包裹功能,达到了包边的目的。
  • 五层包边合层器
  • [发明专利]一种单晶钻石薄膜的制备方法-CN202010772092.0在审
  • 欧欣;周李平;伊艾伦;游天桂 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2020-08-04 - 2020-11-20 - C30B25/20
  • 本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法,包括以下步骤:获取钻石衬底和异质衬底;对钻石衬底的表面进行He离子注入,使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷,将钻石衬底中缺陷之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底;采用同质外延在钻石薄膜上生长一单晶钻石薄膜;将单晶钻石薄膜与异质衬底键,形成键结构;对键结构进行湿法腐蚀或电化学腐蚀,将缺陷去除,使钻石薄膜转移至异质衬底表面;若对键结构进行电化学腐蚀,则在将外延后的钻石薄膜与异质衬底键步骤之前,对进行同质外延后的钻石衬底进行高温退火,使缺陷发生石墨,形成石墨的缺陷;其中,He离子的注入能量和注入剂量根据溶解缺陷的方法分梯度设定。
  • 一种钻石薄膜制备方法
  • [发明专利]一种小型气密性无引线陶瓷封装结构-CN201610535293.2有效
  • 周平 - 成都振芯科技股份有限公司
  • 2016-07-08 - 2019-03-15 - H01L23/08
  • 本发明公开了小型气密性无引线陶瓷封装结构,包括陶瓷外壳(1)、粘片胶(2)、硅片(3)、键丝(4)和盖板(5);陶瓷外壳(1)包括陶瓷(11)和金属(12),所述陶瓷(11)为腔体结构,硅片(3)通过粘片胶(2)安装在所述腔体结构底部的粘芯区,陶瓷(11)包括上陶瓷(112)和下陶瓷(111),金属(12)包括封口环(125)和焊盘(121),封口环(125)、上陶瓷(112)、下陶瓷(111)和焊盘(121)从上往下依次设置,盖板(5)设置在封口环(125)的顶部,下陶瓷(111)的侧壁设有半圆孔(1110),键丝(4)用于连接硅片(3)与金属(12)。
  • 一种小型化气密性引线陶瓷封装结构
  • [发明专利]具有引线键互连且基板少的堆叠封装-CN201380038919.3有效
  • I·默罕默德 - 英帆萨斯公司
  • 2013-05-21 - 2017-08-11 - H01L23/00
  • 用于制造微电子单元(10)的方法,包括在可图案金属元件(28')的导电结合表面(30')上形成键引线(32)。形成的键引线具有与第一表面接合的基底(34)和远离第一表面的端面(38)。键引线具有在基底与端面之间延伸的边缘表面(36)。该方法还包括在导电第一表面的至少一部分上及键引线的一部分上形成介电封装(42),使得键引线的未被封装的部分,由端面或未被封装覆盖的边缘表面的部分中的至少一个来限定。图案金属元件,以形成在键引线下方并通过部分封装而相互之间绝缘的第一导电元件(28)。
  • 具有引线互连基板少堆叠封装
  • [发明专利]微米发光器件及其制备方法-CN202310247217.1在审
  • 潘安练;李亦;李梓维;李东 - 湖南大学
  • 2023-03-14 - 2023-05-09 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种微米发光器件及其制备方法,包括:分别提供驱动基板和发光器件;于所述驱动基板的第一表面依次形成第一键、第二键;于所述发光器件的第一表面依次形成第三键、第四键;分别对所述第二键和所述第四键进行图形化处理,以在所述第二键上形成第一图案,在所述第四键上形成第二图案;将所述第一图案和所述第二图案进行预键形成第一预键结构;对所述第一预键结构进行退火及加压处理。采用本方法给全彩Micro‑LED的垂直堆叠提供了方案,可以解决垂直堆叠过程中传统键材料无法直接实现同种颜色像素在水平面上的n极互连、阵列刻蚀难度大、键材料寿命短的问题。
  • 微米发光器件及其制备方法
  • [发明专利]MEMS器件封装方法及封装结构-CN202010093211.X在审
  • 王晓东;刘国安 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2020-02-14 - 2021-09-03 - B81C1/00
  • 本发明提供了一种MEMS器件封装方法及封装结构,在所述器件晶圆的表面上覆盖键介质之后且在刻蚀键介质以形成电极沟槽之前,先对所述键介质的顶面进行平坦,由此可以改善键介质用于键的表面的平整度,避免键后的盖板晶圆和相应的键界面之间产生空洞,由此降低后续在去除两晶圆之间的键介质时对键界面处的键介质的侧向刻蚀量,继而保证键可靠性,避免盖板晶圆剥离。而且,由于使用剥离工艺来在电极沟槽中形成电极,由此可以在键前能省去电极刻蚀的步骤,且形成的电极的顶部上不再覆盖有多余的键介质,由此简化了工艺并降低了成本,且还可以保证电极的形成不会影响在先形成的键介质的表面平整度
  • mems器件封装方法结构
  • [发明专利]半导体复合衬底、半导体器件及制备方法-CN202111244069.5在审
  • 田野;母凤文 - 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
  • 2021-10-26 - 2021-11-23 - H01L29/267
  • 本申请提供了一种半导体复合衬底、半导体器件及制备方法,属于微电子制造技术领域,半导体复合衬底具体包括基底层;键界面层,位于基底层上表面;以及SiC转移,位于键界面层的上表面,SiC转移由SiC晶圆的剥离转移得到半导体复合衬底制备方法:获取基底层和SiC晶圆;向SiC晶圆中注入离子形成离子SiC晶圆;对基底层和离子SiC晶圆进行键形成键合体;进行高温退火,退火后离子SiC晶圆在离子注入最大浓度所对应的深度处沿与离子SiC晶圆表面平行的方向分裂,对离子SiC晶圆远离键界面层的部分进行剥离,离子SiC晶圆靠近键界面层的部分为SiC转移
  • 半导体复合衬底半导体器件制备方法

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