专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电脑机箱的喷涂工艺-CN201710512851.8在审
  • 刘克军 - 昆山特酷信息科技有限公司
  • 2017-06-29 - 2017-09-08 - B05D7/14
  • 本发明公开了一种电脑机箱的喷涂工艺,包括以下步骤步骤S1,对电脑机箱表面进行氧化过程生成化学氧化;步骤S2,对机箱表面的化学氧化进行烘烤处理以脱去化学氧化中分子结合水;步骤S3,对机箱表面的化学氧化进行砂纸打磨以增加机箱表面粗糙度;步骤S4,对打磨后的机箱表面进行清洁擦洗;步骤S5,在化学氧化表面喷涂聚氟乙烯涂料形成漆膜;步骤S6,对漆膜进行烘干成。本发明在涂料喷涂之前对氧化进行烘烤使氧化中的分子结合水预先脱去,避免影响后续漆膜的附着力,产生流挂现象。本发明方法简单,易于操作。
  • 电脑机箱喷涂工艺
  • [发明专利]半导体基板的热氧化形成方法-CN202180035761.9在审
  • 大槻刚;阿部达夫 - 信越半导体株式会社
  • 2021-03-10 - 2023-01-31 - H01L21/316
  • 本发明涉及一种半导体基板的热氧化形成方法,其具有下述工序:相关关系获取工序,其中,预先准备由清洗而形成的化学氧化的构成各不相同的多个半导体基板,在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化,求出化学氧化的构成与热氧化的厚度的相关关系;清洗条件确定工序,其中,根据在相关关系获取工序中得到的相关关系,以使形成于半导体基板的热氧化的厚度为规定厚度的方式确定化学氧化的构成,并同时确定形成具有确定出的化学氧化的构成的化学氧化的清洗条件;基板清洗工序,其中,在所确定的清洗条件下对半导体基板进行清洗;热氧化形成工序,其中,对于进行了清洗的所述半导体基板,在与相关关系获取工序中的热氧化处理条件相同的条件下,对半导体基板进行热氧化处理,在所述半导体基板表面形成热氧化由此,能够再现性良好地将热氧化形成为如预期的厚。
  • 半导体氧化形成方法
  • [发明专利]镁合金化学转化-微弧氧化制备深色陶瓷的方法-CN201010267526.8有效
  • 邵忠财 - 沈阳理工大学
  • 2010-08-31 - 2010-12-15 - C23C22/10
  • 本发明属于镁合金表面处理技术领域,涉及镁合金化学转化-微弧氧化深色陶瓷制备方法。将不同型号的镁合金清洗干净后,首先对其进行化学转化处理,使其生成带有金属离子的化学转化;然后将已经生成带有金属离子的化学转化的镁合金放入微弧氧化电解液中,对其进行微弧氧化处理,得到深色微弧氧化陶瓷本发明通过引入不同金属阳离子Mn7+、Mo6+与V5+,形成带有相应金属离子的化学转化,然后将其放入不同的微弧氧化电解液中,微弧氧化处后得到不同颜色的微弧氧化陶瓷
  • 镁合金化学转化氧化制备深色陶瓷膜方法
  • [发明专利]氧化石墨烯和相关方法-CN201780028491.2有效
  • 施雷亚·H·戴夫;杰弗里·C·格罗斯曼;戈奇·代乌尔·韩;布兰特·凯勒 - 麻省理工学院
  • 2017-05-11 - 2022-01-11 - B01D71/02
  • 提供了包含氧化石墨烯片的和关联的过滤介质以及方法。在一些实施方案中,可以包含经历了一种或更多种化学处理的氧化石墨烯片。所述化学处理可以赋予有益的特性,例如相对小的层间距、与宽范围的环境的相容性、物理稳定性和电中性。例如,氧化石墨烯片可以经历在中的至少一部分氧化石墨烯片之间形成化学连接的一种或更多种化学处理。这样的化学连接可以赋予小的层间距、宽的相容性,和/或允许形成相对厚的。在某些实施方案中,氧化石墨烯片可以经历通过改变某些官能团的电离度赋予相对电中性的一种或更多种化学处理。本文所述的氧化石墨烯可以用于宽范围的应用。
  • 氧化石墨相关方法
  • [发明专利]铝及铝合金化学转化-微弧氧化制备陶瓷的方法-CN201110169891.X有效
  • 邵忠财;杨丽;张璇 - 沈阳理工大学
  • 2011-06-23 - 2011-11-16 - C23F17/00
  • 本发明属于表面处理技术领域,涉及铝及铝合金化学转化-微弧氧化陶瓷制备方法。将铝及铝合金清洗干净后,首先对其进行化学转化处理,使其生成带有金属离子的化学转化;然后将其放入微弧氧化电解液中,对其进行微弧氧化处理,得到深色微弧氧化陶瓷。本发明通过引入不同金属阳离子Mn7+、Mo6+、Ni2+、Ce2+、Co2+与Zr2+,在铝及铝合金表面形成带有相应金属离子的化学转化,然后将其放入不同的微弧氧化电解液中,微弧氧化处后得到耐蚀性提高的微弧氧化陶瓷,同时也可以使层带上颜色。
  • 铝合金化学转化氧化制备陶瓷膜方法
  • [发明专利]一种化学焊接锰氧化物改性陶瓷的方法-CN202310577216.3在审
  • 王盼盼;蔡雅娟;马军;伊俊达;王晗 - 哈尔滨工业大学
  • 2023-05-22 - 2023-08-04 - B01D71/02
  • 一种化学焊接锰氧化物改性陶瓷的方法,它属于饮用水净化及废水污染治理领域,具体涉及一种化学焊接锰氧化物改性陶瓷的方法。本发明的目的是要解决现有改性的厚度难以控制和改性的均匀性差的问题。方法:一、陶瓷的预处理;二、配置预制液;三、固定陶瓷;四、预制液经氮气压入表面及孔道;五、重复步骤四;六、过一硫酸氢钾溶液经氮气压入表面及孔道;七、重复步骤五;八、将改性后陶瓷保存在去离子水中,得到化学焊接锰氧化物改性陶瓷。本发明制备的锰氧化物颗粒改性提高了陶瓷的亲水性和动态抗污染性能。本发明可获得一种化学焊接锰氧化物改性陶瓷
  • 一种化学焊接氧化物改性陶瓷膜方法
  • [发明专利]掺杂氧化的制备方法及掺杂氧化-CN201310398997.6有效
  • 夏晓川;申人升;柳阳;梁红伟;杜国同;胡礼中 - 大连理工大学
  • 2013-09-05 - 2013-12-25 - C30B25/02
  • 本发明提供一种掺杂氧化的制备方法及掺杂氧化,该掺杂氧化的制备方法包括以下步骤:选取衬底,所述衬底中含有目标掺杂元素;采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化,得到掺杂氧化初品;对制备得到的掺杂氧化初品进行热处理和激活,得到掺杂氧化。本发明掺杂氧化的制备方法步骤科学、合理,有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化具有优良的导电特性。
  • 掺杂氧化制备方法
  • [发明专利]半导体基板的热氧化形成方法-CN202180032465.3在审
  • 大槻刚;阿部达夫 - 信越半导体株式会社
  • 2021-03-08 - 2022-12-16 - H01L21/316
  • 本发明为一种半导体基板的热氧化形成方法,该方法具有下述工序:相关关系获取工序,其中,预先准备多个化学氧化的构成不同半导体基板,在相同的热氧化处理条件下形成热氧化,求出化学氧化的构成与热氧化的厚度的相关关系;基板清洗工序,其中,对半导体基板进行清洗;热氧化的厚度推定工序,其中,求出由基板清洗工序中的清洗形成于半导体基板的化学氧化的构成,根据相关关系,推定假设在相关关系获取工序中的热氧化处理条件下对半导体基板进行热氧化处理时的热氧化的厚度;热氧化处理条件确定工序,其中,以相关关系获取工序中的热氧化处理条件为基准,以使热氧化的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件;热氧化形成工序,其中,在热氧化处理条件确定工序中确定的热氧化处理条件下在半导体基板上形成热氧化由此,再现性良好地将热氧化形成为如预期的薄的厚度。
  • 半导体氧化形成方法

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